例文 (3件) |
ふこしどーしすの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
ドーパントがドープされたシリコン粒子13を汎用エンジニアリングプラスチックを材料として形成された可撓性を有するフレキシブル基板である基板10に塗布する粒子塗布工程と、シリコン粒子13が塗布された基板10上に、水素ガスを含む混合ガスの雰囲気中でのプラズマCVDによってシリコン膜14を成膜する成膜工程と、を含む。例文帳に追加
The semiconductor film forming method includes a particle applying step of applying silicon particles 13 with dopant doped thereon to a substrate 10 being a flexible substrate formed with general-purpose engineering plastics as a material and a film forming step of forming a silicon film 14 on the substrate 10 with the silicon particles 13 applied thereon by plasma CVD in the atmosphere of mixed gas containing hydrogen gas. - 特許庁
(1)リチウムをドープ可能な電極活物質材料及びリチウム金属粉末を溶剤の存在下で混錬混合し、塗布可能なスラリーを調整するプリドープ及びスラリー調整工程、(2)集電体上への前記スラリーを塗布する塗布工程、(3)前記集電体上へ塗布したスラリーを乾燥する乾燥工程を含むことを特徴とする電極の製造方法。例文帳に追加
A method for manufacturing a electrode comprises: (1) a pre-doping and slurry-preparation step of kneading and mixing an electrode active material capable of being doped with lithium, and a lithium metal powder together in the presence of a solvent to prepare an applicable slurry; (2) an application step of applying the slurry onto a collector; and (3) a drying step of drying the slurry applied onto the collector. - 特許庁
ウエハ主面上に塗布されたフォトレジスト膜にマスクパターンを転写する際、アンダードーズあるいはデフォーカスまたはその両方の、オフコンディション条件で転写をした後、フォトレジスト膜に転写されたパターンを電位制御型外観検査用走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)で検査する工程を経て欠陥検査する。例文帳に追加
When transferring a mask pattern to a photoresist film applied on a wafer principal surface, after transferring on an off-condition of under dose or defocus or both, a defective inspection is carried out through a process which inspects a transferred pattern to the photoresist film with a scanning electron microscope (SEM) for a voltage potential controlling type visual inspection. - 特許庁
例文 (3件) |
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