「シクロペンタジエニルルテニウム」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム誘導体の製造方法及びその方法により製造されるビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム誘導体並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法例文帳に追加

PROCESS FOR PREPARING BIS(CYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM DERIVATIVE, BIS(CYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM DERIVATIVE PREPARED THROUGH THE PROCESS AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR RUTHENIUM FILM OR RUTHENIUM COMPOUND FILM - 特許庁

ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウムの製造方法及びその方法により製造されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウム並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING BIS(ALKYLCYCLOPENTADIENYL) RUTHENIUM, BIS(ALKYLCYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM PRODUCED BY THE SAME METHOD AND METHOD FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF RUTHENIUM THIN FILM OR RUTHENIUM COMPOUND THIN FILM - 特許庁

ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウムの製造方法及びその製造方法により製造されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウム並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING BIS(ALKYLCYCLOPENTADIENYL) RUTHENIUM AND BIS(ALKYLCYCLOPENTADIENYL)RUTHENIUM PRODUCED BY THE SAME METHOD FOR PRODUCTION AND METHOD FOR PRODUCING RUTHENIUM THIN FILM OR RUTHENIUM COMPOUND THIN FILM - 特許庁

ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウム錯体の合成方法、使用済の該錯体の精製方法及び該錯体の再利用方法例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING BIS (ALKYLCYCLOPENTADIENYL) RUTHENIUM COMPLEX, METHOD OF PURIFYING USED COMPLEX AND METHOD OF REUSING THE SAME - 特許庁

（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム及び（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムに対して０．１〜１００重量％のビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムを含有するルテニウム錯体混合物を原料として用い、ＣＶＤ法等によりルテニウム含有膜を製造する。例文帳に追加

This method for producing a ruthenium-containing film by a CVD method or the like uses, as a starting material, a ruthenium complex mixture that includes: (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium; and 0.1-100 wt.% of bis(2,4-dimethylpentadienyl)ruthenium based on the (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium. - 特許庁

類縁構造化合物を含有する（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムから、類縁構造化合物を分離することにより、５重量％以下の類縁構造化合物を含有する（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムを得て、それを原料として用いて薄膜を製造する。例文帳に追加

This ruthenium-containing thin film is produced by using the (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium containing ≤5 wt.% compound having the resembling structure as a raw material, which is obtained by separating the compound having the resembling structure from the (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium containing the compound having the resembling structure. - 特許庁

塩基存在下でルテニウム化合物とアルキルシクロペンタジエンと還元剤とを反応させてなるビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウムの製造方法である。例文帳に追加

This method for producing the bis(alkylcyclopentadienyl) ruthenium comprises reacting a ruthenium compound with an alkylcyclopentadiene and the reducing agent in the presence of a base. - 特許庁

化学気相成長法において、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムを用いてルテニウム膜を形成する際に、インキュベーション時間の短縮を図ることができるルテニウム膜形成用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for depositing a ruthenium film capable of shortening the incubation time when depositing the ruthenium film by using bis-(ethylcyclopentadienyl) in a chemical vapor growth method. - 特許庁

反応系の冷却、還元剤の分割添加をすることなく高純度のビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウムを製造できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which a high-purity bis(alkylcyclopentadienyl) ruthenium can be produced without cooling a reactional system and without dividedly adding a reducing agent. - 特許庁

α−イミノ酸型配位子又はα−アミノ酸型配位子を有するシクロペンタジエニルルテニウム（ＩＩ）錯体又は（ＩＶ）錯体存在下におけるアリル基の除去方法、並びにアリルエーテル類の製造方法。例文帳に追加

The method of removing allyl groups in the presence of a cycropentadienyl ruthenium (II) complex or (IV) complex having an α-imino acid type ligand or an α-amino acid type ligand, and the method of manufacturing allyl ethers are provided. - 特許庁

有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物がビス（シクロペンタジエニル）ルテニウムからなるルテニウム化合物であって、化合物の粒径が０．０２〜５．５ｍｍ、平均粒径が０．０３〜５．０ｍｍである。例文帳に追加

The ruthenium compound for the metallic organic chemical vapor deposition method consists of bis(cyclopentadienyl)ruthenium, and has particle sizes of 0.02-5.5 mm and an average particle size of 0.03-5.0 mm. - 特許庁

類縁構造化合物を含有していてもルテニウム含有薄膜を製造することができる（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、その製造方法、それを用いたルテニウム含有薄膜の製造方法等を提供する。例文帳に追加

To provide (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium which can be suitably used for producing ruthenium-containing thin film even if containing a compound having a resembling structure, a method for producing the same, a method for producing the ruthenium-containing thin film by using the same, etc. - 特許庁

ルテノセンまたはルテノセン類似構造化合物（具体的例示（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム）に濃硫酸を加え、次いで前記濃硫酸の０．５〜５倍体積量の濃硝酸を加えることにより、ルテニウム試料を製造し、その試料中のルテニウムを測定する。例文帳に追加

Concentrated sulfuric acid is added to ruthenocene or a compound having a structure similar to ruthenocene [specifically, (2,4-dimethylpentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)ruthenium] and then concentrated nitric acid is added thereto in an amount of 0.5 to 5 times the volume of the concentrated sulfuric acid to produce a ruthenium sample, and the ruthenium in the sample is measured. - 特許庁

化学気相成長法によるルテニウム膜形成原料として、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムに、１２０℃以上２４０℃以下で熱分解するルテニウム化合物を０．０１モル％以上５モル％以下添加して溶解させた組成物を用いる。例文帳に追加

A composition with ruthenium compound of ≥ 0.01 mol.% and ≤ 5 mol.% to be thermally decomposed at the temperature of ≥ 120°C and ≤ 240°C added to and dissolved in bis-(ethylcyclopentadienyl) ruthenium is used for a raw material for depositing a ruthenium film by the chemical vapor growth method. - 特許庁