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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > ビームプラズマに関連した英語例文

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ビームプラズマを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 9



例文

電子ビームプラズマを用いる膜生成方法例文帳に追加

FORMATION OF FILM USING ELECTRON BEAM PLASMA - 特許庁

また本発明は、外部で発生するプラズマなしでビームプラズマを質量分析器の双極子磁界内で高める。例文帳に追加

A beam plasma is enhanced in the dipole magnetic field of the mass spectrometer without a plasma generated outside. - 特許庁

本発明の導波管250は、質量分析器の通路に沿って電界をビームプラズマに結合して、それによってECR状態を改善する。例文帳に追加

The waveguide 250 according to the invention combines the electric field with beam plasma along the passage of the mass analyzer, thereby improving the ECR status. - 特許庁

良質の膜、例えば、ダイヤモンド様炭素膜を生成することの可能な電子ビームプラズマを用いる膜生成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a film using electron beam plasma capable of forming a film of high quality such as a diamondlike carbon film. - 特許庁

例文

ビームプラズマおよびマスク表面付近に発生するプラズマ中のイオンがファラデーカップに入射することを抑制して、ビーム電流計測の誤差を小さくする。例文帳に追加

To make errors of beam current measurement small by suppressing incidence of ions in a plasma generated in beam plasma and near a mask surface to a Faraday cup. - 特許庁


例文

また、本発明は、外部で発生されたプラズマを導入せずに低エネルギーのイオンビームのために質量分析器の双極子磁界内でビームプラズマの高揚を行う。例文帳に追加

In the invention, beam plasma is enhanced in the dipole field of the mass analyzer for low-energy ion beams, without introducing plasma generated outside. - 特許庁

保護膜12は、イオンプレーティング、膨張性熱プラズマ、プラズマ励起化学気相成長法、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム、プラズマスプレーなどにより成膜することができる。例文帳に追加

The protective film 12 can be deposited by ion-plating, expansive thermal plasma, the plasma-excited chemical vapor deposition method, the organic metal vapor deposition method, the organic metal vapor deposition epitaxy, sputtering, electronic beams, plasma spray or the like. - 特許庁

無機膜62aに対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射することで、無機膜62aの表面62sに対して斜めに交差しかつビームの照射方向Dに沿った長手を有する複数の空孔62bが形成された層62を含む。例文帳に追加

The retardation compensation element includes a layer 62 having a plurality of holes 62b formed by obliquely irradiating an inorganic film 62a with at least one of an ion beam, atomic beam, molecular beam and plasma beam, the holes having a longitudinal direction obliquely intersecting the surface 62s of the inorganic film 62a and along the irradiation direction D of the beam. - 特許庁

例文

ウエハが導入されるチャンバ100と、チャンバ100内にラジカルを供給できるラジカルソース102と、チャンバ100内にイオンビームまたはプラズマを供給できるビームソース104と、チャンバ100内に導入されるウエハを支持して固定できるウエハステージ106及び前記イオンビーム、プラズマまたはラジカルによりイオン化されたチャンバ100内の電荷を中和できる中和器108を含む。例文帳に追加

This device is provided with a chamber 100 for introducing a wafer, radical source 102 capable of supplying radicals into the chamber 100, beam source 104 capable of supplying ion beams or plasmas into the chamber 100, wafer stage 106 capable of supporting and fixing the wafer led into the chamber 100 and neutralizer 108 capable of neutralizing electric charges inside the chamber 100 ionized by the ion beams, plasmas or radicals. - 特許庁

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