意味 | 例文 (807件) |
メモリ効果の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 807件
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗メモリ効果を有するメモリセルを備えた集積メモリ例文帳に追加
INTEGRATED MEMORY PROVIDED WITH MEMORY CELL HAVING MAGNETORESISTIVE MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果メモリー素子例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETORESISTIVE MEMORY CELL - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ装置例文帳に追加
MAGNETRORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果膜、それを備えたメモリ素子及びそれを用いたメモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, MEMORY ELEMENT, AND MEMORY THEREWITH - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法例文帳に追加
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
メモリ効果歪みを効果的に打ち消すことのできる歪み補償装置を得る。例文帳に追加
To obtain a distortion compensating apparatus which can effectively cancel memory effect distortion. - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果メモリの製造方法例文帳に追加
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果素子の製造方法例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE ELEMENT AND MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
ODTを効果的に制御するメモリモジュールシステム例文帳に追加
MEMORY MODULE SYSTEM FOR EFFECTIVELY CONTROLLING ODT - 特許庁
垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ例文帳に追加
PERPENDICULAR MAGNETIZATION MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
1回の充電サイクルでメモリ効果を解消する。例文帳に追加
To cancel out memory effect in one charging cycle. - 特許庁
トンネル電界効果トランジスタを用いたメモリ例文帳に追加
メモリの予防保守を効果的に行う。例文帳に追加
To effectively perform preventive maintenance for a memory. - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
増幅器のメモリ効果を容易かつ事前に評価すること。例文帳に追加
To easily and previously evaluate memory effects of an amplifier. - 特許庁
電界効果トランジスタ、集積回路、及びメモリ例文帳に追加
FIELD-EFFECT TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT, AND MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE-EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気記憶装置、および磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
メモリー効果の検出方法およびその解消方法例文帳に追加
DETECTION METHOD FOR MEMORY EFFECT AND ITS SOLUTION - 特許庁
磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY USING IT - 特許庁
磁気抵抗効果素子、強磁性体メモリ及び情報機器例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, FERROMAGNETIC SUBSTANCE MEMORY, AND INFORMATION INSTRUMENT - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
電界効果型半導体メモリ装置およびその製造方法例文帳に追加
FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁
磁気抵抗効果素子およびこれを有する磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC STORAGE DEVICE HAVING THE SAME - 特許庁
スイッチ素子、メモリ素子および磁気抵抗効果素子例文帳に追加
SWITCH ELEMENT, MEMORY DEVICE, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ素子例文帳に追加
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果素子を用いたロジックインメモリ回路例文帳に追加
LOGIC-IN-MEMORY CIRCUIT USING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリー装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイス例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY APPARATUS - 特許庁
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