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英訳・英語 memory effect
「メモリ効果」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 807件
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗メモリ効果を有するメモリセルを備えた集積メモリ例文帳に追加
INTEGRATED MEMORY PROVIDED WITH MEMORY CELL HAVING MAGNETORESISTIVE MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果メモリー素子例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETORESISTIVE MEMORY CELL - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ装置例文帳に追加
MAGNETRORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁
磁気抵抗効果膜、それを備えたメモリ素子及びそれを用いたメモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, MEMORY ELEMENT, AND MEMORY THEREWITH - 特許庁
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Weblio例文辞書での「メモリ効果」に類似した例文 |
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メモリ効果
効果のあるさま
the effect brought about by saying something
効果がないこと
something that takes effect quickly
effectiveness of matter (be effective or beneficial, have beneficial effects)
the Doppler effect
効果がないさま
of something, the state of being ineffective
neutralize the effect
「メモリ効果」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 807件
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法例文帳に追加
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY DEVICE - 特許庁
メモリ効果歪みを効果的に打ち消すことのできる歪み補償装置を得る。例文帳に追加
To obtain a distortion compensating apparatus which can effectively cancel memory effect distortion. - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果メモリの製造方法例文帳に追加
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, MAGNETIC STORAGE DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果素子の製造方法例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE ELEMENT AND MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁
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