「メモリ効果」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び磁気ヘッド例文帳に追加

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETIC HEAD - 特許庁

アルカリ蓄電池を放電させることなくメモリ効果を低減することができるメモリ効果低減方法、メモリ効果低減回路、このメモリ効果低減回路を用いた電池電源装置、及びこのメモリ効果低減回路を用いた電池利用システムを提供する。例文帳に追加

To provide a memory effect reducing method capable of reducing a memory effect without discharging an alkali storage battery, a memory effect reducing circuit, a battery power supply device using the memory effect reducing circuit, and a battery utilization system using the memory effect reducing circuit. - 特許庁

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE MAGNETIC SENSOR, MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加

RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

不揮発性メモリ内のデータの正常化を効果的に図ることができるメモリ制御装置を提供する。例文帳に追加

To provide a memory controller for effectively normalizing data in a non-volatile memory. - 特許庁

磁気抵抗効果を有するメモリ素子及びその製造方法、並びに、不揮発性磁気メモリ装置例文帳に追加

MEMORY DEVICE HAVING MAGNETORESISTIVE EFFECT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY UNIT - 特許庁

トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ例文帳に追加

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME - 特許庁

磁気メモリセルの磁気抵抗効果増加方法、磁気メモリセル、およびその形成方法例文帳に追加

METHOD OF ENHANCING MAGNETORESISTANCE EFFECT OF MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC MEMORY CELL, AND METHOD OF FORMING THE SAME - 特許庁

磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法例文帳に追加

NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY ELEMENT UTILIZING MAGNETORESISTANCE EFFECT, MEMORY, AND ITS RECORDING/ REPRODUCING METHOD - 特許庁

磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびに磁気メモリデバイスの製造方法例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY CELL USING THE SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

メモリの測定時間を短縮し、メモリセルの不良の検出効果を向上させる。例文帳に追加

To improve effect for detecting a defective memory cell by shortening a measuring time of a memory. - 特許庁

磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法例文帳に追加

NONVOLATILE SOLID-STATE MEMORY DEVICE AND MEMORY USING MAGNETIC RESISTANCE EFFECT, ITS RECORDING AND REPRODUCING METHOD - 特許庁

一実施態様において、メモリハブは２つ以上のメモリを集約することにより、メモリ帯域幅を効果的に増加することができる。例文帳に追加

In one implementation, the memory hub permits an increase in effective memory bandwidth by aggregating the memory of two or more memories. - 特許庁

シンプルかつ低コストのメモリ管理手法により、メモリの断片化を効果的に抑制することができる新規な動的メモリ管理技術を実現する。例文帳に追加

To provide a new dynamic memory management technique capable of effectively suppressing memory fragmentation using a simple and low-cost memory managing method. - 特許庁

磁気抵抗メモリ効果をもつメモリセルを備えた集積メモリにおいて、記憶すべきデータに関してかなり高い信頼性が得られるようにする。例文帳に追加

To make it possible to obtain high reliability concerning data to be stored in an integrated memory provided with memory cells having a magneto resistance memory effect. - 特許庁

さらに，有機材料の形状記憶効果とクーロン力を利用することでメモリー効果を持たせる。例文帳に追加

A memory effect is further given by utilizing a shape memory effect and Coulomb force of an organic material. - 特許庁

電界効果トランジスタ、メモリセル、および電界効果トランジスタの製造方法例文帳に追加

FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びにその磁気抵抗効果素子を用いた磁気薄膜メモリ例文帳に追加

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC THIN FILM MEMORY USING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁

磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、磁気抵抗効果ヘッド、および磁気記録再生装置例文帳に追加

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE - 特許庁

巨大磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサ例文帳に追加

GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE HEAD, THIN FILM MAGNETIC MEMORY AND THIN FILM MAGNETIC SENSOR - 特許庁

強磁性トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気抵抗効果型ヘッド例文帳に追加

FERROMAGNETIC TUNNEL MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE HEAD - 特許庁

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気抵抗効果素子の製造方法例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

磁気抵抗効果素子、ヘッドスライダ、磁気情報再生装置および磁気抵抗効果メモリ例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, HEAD SLIDER, MAGNETIC INFORMATION REPRODUCTION DEVICE, AND MAGNETORESISTIVE EFFECT MEMORY - 特許庁

短チャネル効果を効果的に抑制することのできる多値の不揮発性メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a multi-valued nonvolatile memory which can effectively control short channel effect. - 特許庁

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置および磁気メモリ例文帳に追加

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY - 特許庁

磁気抵抗効果膜、磁気ヘッド、磁気ディスク装置、磁気メモリ装置、及び磁気抵抗効果膜の製造方法例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE FILM, MAGNETIC HEAD, MAGNETIC DISC DEVICE, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE FILM - 特許庁

巨大磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサ例文帳に追加

GIANT MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD, THIN-FILM MAGNETIC MEMORY, AND THIN-FILM MAGNETIC SENSOR - 特許庁

磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を備える不揮発性固体メモリ例文帳に追加

MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE SOLID STATE MEMORY COMPRISING THE SAME - 特許庁

磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッド及び磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ例文帳に追加

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD USING THE SAME, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

強磁性トンネル効果素子及び該強磁性トンネル効果素子を用いた磁気メモリ例文帳に追加

FERROMAGNETIC TUNNEL-EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY USING THE SAME - 特許庁

強誘電体メモリ装置のリテンション効果及びインプリント効果を抑制する。例文帳に追加

To suppress retention effect and imprint effect of a ferroelectric memory device. - 特許庁

電界効果トランジスタおよびそれを用いたメモリおよび半導体回路例文帳に追加

FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND MEMORY AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT INCLUDING THE FIELD EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

カップリング効果を低下させるメモリセルプログラミング方法例文帳に追加

MEMORY CELL PROGRAMMING METHOD FOR REDUCING COUPLING EFFECT - 特許庁

磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置例文帳に追加

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD AND ELECTRONIC DEVICE - 特許庁

ＯＤＴを効果的に制御するメモリモジュールシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a memory module system for effectively controlling ODT. - 特許庁

ＭＯＳ電界効果トランジスタ及びその製造方法並びにメモリセル例文帳に追加

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MEMORY CELL - 特許庁

強誘電体ゲート電界効果トランジスタを使用する不揮発性メモリ例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY USING FERROELECTRIC GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MAGNETIC MEMORY - 特許庁

磁気抵抗効果膜、その製造方法およびそれを用いたメモリ例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, ITS MANUFACTURING METHOD AND STORAGE DEVICE USING THE SAME - 特許庁

メモリー効果を有する二次電池の残存容量を精度よく推定する。例文帳に追加

To accurately estimate the remaining capacity of a secondary battery having a memory effect. - 特許庁

磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置例文帳に追加

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE - 特許庁

電界効果トランジスタ及び抵抗変化材４はメモリセルを構成する。例文帳に追加

The field-effect transistor and the resistance varying material 4 configure a memory cell. - 特許庁