「介在性成長」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

チタン（Ｔｉ）が介在することにより、基板１への硼化ジルコニウム・チタン層２の成長性および硼化ジルコニウム・チタン層２への窒化ガリウム系化合物半導体の成長性が改善される。例文帳に追加

Thus, it is possible to improve the growth property of the zirconium boride titanium layer 2 to the substrate 1, and the growth boride of a gallium nitride system compound semiconductor to the zirconium boride titanium layer 2 by interposing titanium (Ti). - 特許庁

Ti脱酸により巨大クラスター状介在物の生成を抑制して鋼板の表面性状を改善するとともに、介在物を微細分散化することにより、冷延−焼鈍時の粒成長性を制御して平均ｒ値ならびに強度伸びバランスを改善する。例文帳に追加

The surface nature of the steel sheet is improved by restraining the generation of huge cluster-state inclusion with Ti-deoxidation, and the average r value (Lankford value) and the balance between the strength and the elongation, are improved by finely dispersing the inclusions and controlling the grain growability at a cold-rolling-annealing. - 特許庁

サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる。例文帳に追加

To crystal-grow a flat non-polarity nitride semiconductor layer having high quality without interposing a low-temperature buffer layer between a sapphire substrate and the nitride semiconductor layer. - 特許庁

サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる窒化物半導体層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a nitride semiconductor layer which crystal-grows a flat non-polarity nitride semiconductor layer having high quality without interposing a low-temperature buffer layer between a sapphire substrate and the nitride semiconductor layer. - 特許庁

また、当該中間層は、金属基材層と導電性炭素層との間に介在し、導電部材の積層方向に成長した柱状結晶からなる結晶構造を有する。例文帳に追加

Further, the middle layer intervenes between the metal base material layer and the conductive carbon layer, and includes a crystal structure made of columnar crystal growing in a laminated direction of the conductive member. - 特許庁