例文 (999件) |
半導体チャネルの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2128件
リードチャネル半導体集積回路例文帳に追加
ソース半導体部61は、チャネル半導体部41上に設けられる。例文帳に追加
The source semiconductor section 61 is disposed on the channel semiconductor section 41. - 特許庁
狭チャネル金属酸化物半導体トランジスタ例文帳に追加
N−チャネル半導体材料を含むデバイス例文帳に追加
DEVICE CONTAINING N-CHANNEL SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁
垂直チャネルを有する半導体素子の製造方法例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING VERTICAL CHANNEL - 特許庁
電気チャネル自己検査式半導体試験システム例文帳に追加
ELECTRIC CHANNEL SELF-INSPECTION SEMICONDUCTOR TESTING SYSTEM - 特許庁
チャネル長の長い半導体素子及びその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LONG CHANNEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
半導体素子のエピチャネル形成方法例文帳に追加
マルチチャネル半導体テストシステム例文帳に追加
半導体素子のリセスチャネル用トレンチ形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING TRENCH FOR RECESS CHANNEL OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
PチャネルMOSトランジスタ、NチャネルMOSトランジスタ及び不揮発性半導体記憶装置例文帳に追加
P-CHANNEL MOS TRANSISTOR, N-CHANNEL MOS TRANSISTOR, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE - 特許庁
そのため,半導体装置100は,チャネル密度が高く,結果としてチャネル抵抗成分が小さい。例文帳に追加
Consequently, the semiconductor device 100 has high channel density to result in a small channel resistance component. - 特許庁
単チャネル効果を防止しつつチャネル長の短い微細な半導体装置を微細化する。例文帳に追加
To miniaturize a fine semiconductor device with short channel length, while preventing single channel effect. - 特許庁
短チャネル効果を防止しつつチャネル長の短い微細な半導体装置を実現する。例文帳に追加
To achieve a minute semiconductor device having a short channel length while preventing a short channel effect. - 特許庁
チャネル層13の上にチャネル層13とは組成が異なる第2半導体層19を備える。例文帳に追加
A second semiconductor layer 19 whose composition is different from that of the channel layer 13 is provided on the channel layer 13. - 特許庁
半導体装置10の半導体基板20は、チャネル区域10Aと非チャネル区域10Bを有している。例文帳に追加
A semiconductor substrate 20 of the semiconductor device 10 has a channel region 10A and a non-channel region 10B. - 特許庁
チャネル層14は、第2の窒化ガリウム系半導体からなる。例文帳に追加
The channel layer 14 is made from a second gallium nitride-based semiconductor. - 特許庁
半導体装置、回路基板及びチャネル型バスの相互接続方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE, CIRCUIT SUBSTRATE, AND INTERCONNECTION METHOD OF CHANNEL TYPE BUS - 特許庁
横型短チャネルDMOS及びその製造方法並びに半導体装置例文帳に追加
HORIZONTAL SHORT CHANNEL DMOS AND ITS MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
半導体チャネルとして有機/無機混成材料を有する薄膜トランジスタ例文帳に追加
THIN-FILM TRANSISTOR HAVING ORGANIC/INORGANIC MATERIAL AS SEMICONDUCTOR CHANNEL - 特許庁
Nチャネル金属酸化膜半導体(NMOS)ドライブ回路およびその製法例文帳に追加
DRIVE CIRCUIT IN N-CHANNEL METALLIC OXIDE FILM SEMICONDUCTOR (NMOS) - 特許庁
半導体層1aのチャネル領域1a’は、延在部201を有する。例文帳に追加
A channel region 1a' of a semiconductor layer 1a has an extended part 201. - 特許庁
半導体集積回路装置およびpチャネルMOSトランジスタ例文帳に追加
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND p-CHANNEL MOS TRANSISTOR - 特許庁
ポゴタワー電気チャネル自己検査式半導体試験システム例文帳に追加
SEMICONDUCTOR TEST SYSTEM OF POGO TOWER ELECTRIC CHANNEL SELF-INSPECTION TYPE - 特許庁
垂直チャネルトランジスタを備える半導体素子の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR - 特許庁
炭化けい素nチャネルMOS半導体素子およびその製造方法例文帳に追加
SILICON CARBIDE N CHANNEL MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE - 特許庁
チャネル層15は導電性の酸化物半導体により形成されている。例文帳に追加
The channel layer 15 is formed of a conductive oxide semiconductor. - 特許庁
pチャネルMOSトランジスタおよび半導体装置の製造方法例文帳に追加
P-CHANNEL MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
nチャネルMOSトランジスタおよびその製造方法、半導体装置例文帳に追加
N-CHANNEL MOS TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
垂直チャネルを有する半導体素子及びその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL CHANNEL, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁
マルチチャネル半導体装置及びそれを具備したディスプレイ装置例文帳に追加
MULTICHANNEL SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME - 特許庁
P型の再成長したチャネル層を有する半導体トランジスタ例文帳に追加
SEMICONDUCTOR TRANSISTOR WITH P TYPE RE-GROWN CHANNEL LAYER - 特許庁
バルブ型埋め込みチャネルを備えた半導体素子及びその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR ELEMENT PROVIDED WITH BULB-TYPE RECESSED CHANNEL, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
チャネル領域10は、半導体基板の表層に形成される。例文帳に追加
The channel region 10 is formed on a surface layer of a semiconductor substrate. - 特許庁
チャネル長を増大させた半導体素子及びその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH INCREASED CHANNEL LENGTH AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
多重チャネルを有する半導体素子及びその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING MULTI-CHANNEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法例文帳に追加
OXIDE-SEMICONDUCTOR CHANNEL FILM TRANSISTOR AND ITS METHOD OF MANUFACTURING SAME - 特許庁
ビタビ識別方法、リードチャネル半導体デバイス及び磁気ディスク装置例文帳に追加
VITERBI IDENTIFYING METHOD, LEAD CHANNEL SEMICONDUCTOR DEVICE AND MAGNETIC DISK DEVICE - 特許庁
半導体素子の垂直チャネルトランジスタ及びその形成方法例文帳に追加
VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME - 特許庁
半導体基板の上に相互接続チャネルを形成する方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING INTERCONNECT CHANNEL ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁
リセスチャネル領域を備えた半導体素子の製造方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING RECESSED CHANNEL REGION - 特許庁
炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図る。例文帳に追加
To improve channel mobility of a silicon carbide semiconductor device. - 特許庁
トランジスタは、そのチャネル形成領域に酸化物半導体を含んでいる。例文帳に追加
A channel formation region of the transistor includes an oxide semiconductor. - 特許庁
炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図る。例文帳に追加
To improve the channel mobility of a silicon carbide semiconductor device. - 特許庁
低チャネル抵抗かつ高耐圧の半導体装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a semiconductor device that has a low channel resistance and a high breakdown voltage. - 特許庁
縦チャネル型絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法例文帳に追加
FABRICATION OF VERTICAL CHANNEL INSULATED GATE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
短チャネル効果の抑制効果に優れた半導体装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a semiconductor device, which is excellent in inhibiting a short-channel effect. - 特許庁
薄膜トランジスタはチャネル領域を含む半導体層を有する。例文帳に追加
The thin film transistor has a semiconductor layer including a channel area. - 特許庁
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