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COWPを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 11



例文

WET CLEAN COMPOSITION FOR CoWP AND POROUS DIELECTRICS例文帳に追加

CoWPおよび多孔質誘電体用湿式洗浄組成物 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a carbon nanotube on a CoWP.例文帳に追加

CoWP上でのカーボンナノチューブ作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for wet cleaning which demonstrates proficient cleaning on CoWP exposed patterned wafers while maintaining CoWP integrity.例文帳に追加

CoWPが露出したパターン化ウェハを、CoWPの完全性を維持したままで洗浄することのできる優れた湿式洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

A cap metal nitride layer 35 is provided on a cap metal 34 comprising CoWP.例文帳に追加

CoWPからなるキャップメタル34の上部に、キャップメタル窒化層35を設ける。 - 特許庁

例文

A CoWP film 107 formed by electroless plating is provided on the upper surface of the Pd film 106.例文帳に追加

また、Pd膜106の上面には、無電解めっきにより形成されたCoWP膜107を備える。 - 特許庁


例文

To provide a means for suppressing the dissolution of copper being a wiring metal before forming a cap coating film of CoWP or the like.例文帳に追加

CoWP等のキャップ膜の形成まで配線金属である銅の溶解を抑制するための手段を提供すること。 - 特許庁

A copper wiring structure is provided with a layer (CoWP layer) 15 containing cobalt and a coating layer (CoSi2 layer) 16, which coats the CoWP layer 15 and has an oxidation resistance and a hydrofluoric acid resistance, and the layer 15 is formed on the surface of a copper wiring layer 14.例文帳に追加

コバルトを含む層(CoWP層)15と、CoWP層15を被覆するもので耐酸化性および耐フッ酸性を有する被覆層(CoSi_2 層)16とを備えたものであり、CoWP層15は銅配線14表面に形成されているものである。 - 特許庁

The subject invention uses the dielectric deposition, spacer formation, and/or selective deposition of a passivating metal such as CoWP, to passivate a Cu inductor that is formed after the last metal layer.例文帳に追加

本発明は、誘電体の堆積、スペーサ形成、および/またはCoWPのようなパシベーション金属の選択的堆積を使用して、最終金属層の後に形成されたCuインダクタをパシベーションする。 - 特許庁

Thus, diffusing of the material constituting the CoWP film 107 into the copper layer 105 is prevented by the Pd film 106, improving reliability of the semiconductor device.例文帳に追加

これにより、CoWP膜107を構成する材質が銅層105へ拡散することをPd膜106により防止することができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

例文

Consequently, Ni9 is turned into an eutectoid, added to copper and scattered and the barrier layer 5c comprising CoWP and the like is formed on it by nucleating Ni 9 which can be formed on the copper wiring 8 without preprocessing.例文帳に追加

従って、Ni9が共析して銅に添加されて散在し、銅配線8上に存在するNi9を核として、この上に形成するCoWP等によるバリア層5cを前処理なしで成膜することができる。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device with a more excellent electric characteristic compared with a conventional manner concerning the semiconductor device, having a multilayer wiring with a damascene structure and a conductive barrier membrane such as CoWP, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ダマシン構造の多層配線およびCoWP等の導電性バリア膜を有する半導体装置において、従来よりも電気特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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