「Compound Detector」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This fuel oil for the fuel cell is characterized by having a distillation profile of 135 to 170°C initial distillation point and ≤270°C of 95% distilled out temperature, and having ≤80 mass ppm total sulfur content and ≤1 mass ppm sulfur content derived from a sulfur compound heavier than dibenzothiophene and lighter than 4-methyl dibenzothiophene as measured by a GC-SCD (a gas chromatography having a sulfur chemiluminescence detector).例文帳に追加

初留点が１３５〜１７０℃、９５％留出温度が２７０℃以下の蒸留性状を有し、全硫黄分が８０質量ｐｐｍ以下である燃料電池用燃料油であって、ＧＣ−ＳＣＤ（化学発光硫黄検出器付きガスクロマトグラフィ）により測定される、ジベンゾチオフェンより重質で４−メチルジベンゾチオフェンより軽質な硫黄化合物由来の硫黄分が、１質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする燃料電池用燃料油。 - 特許庁

In this adhesive for laminate, a polyester polyol is mixed with a naphthalenedicarboxylic acid and/or its alkyl ester and the concentration of a cyclic ester compound calculated as dibutyl phthalate value extracted from the laminate film bonded by the adhesive for a laminate in extraction water extracted with water having 0.5 mL/cm2 per unit area of the laminate film measured by gas chromatography flame ionization detector is ≤0.5 ppb.例文帳に追加

ラミネート用接着剤において、ポリエステルポリオールに、酸成分として、ナフタレンジカルボン酸および／またはそのアルキルエステルを含有させるとともに、そのラミネート用接着剤によって接着された複合フィルムから、複合フィルムの単位面積当たり０．５ｍＬ／ｃｍ^２の水によって抽出された抽出水中の環状エステル化合物の濃度を、ガスクロマトグラフ−水素炎イオン化検出器で測定したジブチルフタレート換算値で、０．５ｐｐｂ以下にする。 - 特許庁

The defect detector comprises: XY coordinate transformation means 112 as coordinate transformation means for exciting an epitaxial growth substrate 17 where a compound semiconductor layer is grown epitaxially on a single crystal substrate by applying exciting light from above and then mapping the light emission intensity of photoluminescence over the whole epitaxial growth substrate; and defect detection means 113 for sequentially detecting defective pixels by using the difference between multiple pixels divided into coordinates by the coordinate transformation means 112 and multiple pixels adjacent thereto.例文帳に追加

単結晶基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させたエピタキシャル成長基板１７の上方より励起光を照射して励起した後に、フォトルミネッセンスによる発光強度のマッピングをエピタキシャル成長基板全体に渡って行う座標変換手段としてのＸＹ座標変換手段１１２と、座標変換手段１１２により座標に分割された複数のピクセルのそれぞれとこれに隣接する複数ピクセルとの差を用いて、欠陥検出すべきピクセルが欠陥ピクセルかどうかを順次検出する欠陥検出手段１１３とを有している。 - 特許庁