「Compound semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor nanocrystal compound.例文帳に追加

半導体ナノクリスタル化合物を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR COMPOUND DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体複合装置およびその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR COMPOUND ELEMENT, AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加

半導体複合素子およびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING CHALCOPYRITE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

カルコパイライト型化合物半導体の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING QUALITY OF COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

化合物半導体ウエハの品質評価方法 - 特許庁

ZINC OXIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

酸化亜鉛系化合物半導体発光素子 - 特許庁

To provide a nitride-based compound semiconductor and a nitride-based compound semiconductor element having long-term reliability, and to provide a method of manufacturing the nitride-based compound semiconductor element.例文帳に追加

長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体、窒化物系化合物半導体素子、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

GROWING METHOD AND APPARATUS FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

化合物半導体の成長方法及び装置 - 特許庁

GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体基板 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

３−５族化合物半導体の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GARIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH p-n JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板 - 特許庁

DIOXAANTHANTHRENE-BASED COMPOUND, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ジオキサアンタントレン系化合物及び半導体装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

化合物半導体の製造方法及び装置 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

３−５族化合物半導体の製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR MULTILAYER THIN FILM AND MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

化合物半導体多層薄膜及び磁気センサ - 特許庁

GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER DIODE例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザダイオード - 特許庁

The compound semiconductor 7 includes 1at and 2nd compound semiconductor layers 24a to 23c and 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b.例文帳に追加

化合物半導体部７は、第１及び第２の化合物半導体層２４ａ〜２３ｃ並びに第３の化合物半導体層２３ａ、２３ｂを含む。 - 特許庁

METHOD OF FORMING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, TRANSFER METHOD OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND SILICON SUBSTRATE TO WHICH GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR IS BONDED例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法、移設方法、及び窒化ガリウム系化合物半導体層が接合されたシリコン基板 - 特許庁

VESSEL FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL, COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL MANUFACTURED BY USING THE SAME, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

化合物半導体単結晶製造用容器並びにそれを用いて製造された化合物半導体単結晶及び化合物半導体ウエハ - 特許庁

TETRACENE COMPOUND SUITABLE FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

有機半導体素子に適したテトラセン化合物 - 特許庁

GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３族窒化物化合物半導体発光素子 - 特許庁

LADDER-TYPE COMPOUND AND ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

ラダー型化合物及び有機半導体材料 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

GROUP-III NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

化合物半導体ウェハ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF ETCHING NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物系化合物半導体のエッチング方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR BATTERY例文帳に追加

化合物半導体太陽電池の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体単結晶の成長方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER AND ITS CLEAVAGE METHOD例文帳に追加

化合物半導体ウェハ及びその劈開方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法 - 特許庁

GROWING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWN BY THE METHOD AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

化合物半導体結晶の成長方法および当該成長方法で成長させた化合物半導体結晶ならびに化合物半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR MULTILAYER FILM例文帳に追加

化合物半導体多層薄膜の製造方法 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体電子デバイス - 特許庁

GROUP III NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体レーザ - 特許庁

METHOD FOR POLISHING COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL WAFER例文帳に追加

化合物半導体結晶ウェハの研磨方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER AND ITS PROCESSING METHOD例文帳に追加

化合物半導体ウェハ及びその加工方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING 3-5 GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

３−５族化合物半導体の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT例文帳に追加

化合物半導体量子ドットの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

３−５族化合物半導体の製造方法 - 特許庁

The semiconductor stack structure includes a p-type compound semiconductor layer, an active layer, and an n-type compound semiconductor layer, and the p-type compound semiconductor layer is positioned closer to a support substrate side than the n-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

半導体積層構造体はｐ型化合物半導体層、活性層及びｎ型化合物半導体層を有し、ｐ型化合物半導体層がｎ型化合物半導体層よりも支持基板側に位置する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate by which a crack occurrence in a specific region is controlled, a method of manufacturing the compound semiconductor substrate, and a semiconductor device using the compound semiconductor substrate.例文帳に追加

特定領域におけるクラック発生が抑制された化合物半導体基板、その製造方法及び化合物半導体基板を用いた半導体デバイスを提供する。 - 特許庁