「Compound semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a compound semiconductor device capable of preventing leakage current therefrom regardless of an operation of a compound semiconductor element, and to provide a method for manufacturing the compound semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、化合物半導体素子の動作に関係なく、リーク電流を防止することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

化合物半導体光学装置およびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL BY LEC METHOD例文帳に追加

ＬＥＣ法化合物半導体単結晶製造方法 - 特許庁

NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

窒化物系化合物半導体装置及び発光装置 - 特許庁

EVALUATING SAMPLE MANUFACTURING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

化合物半導体層の評価用サンプル作製方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND CLEANING AGENT例文帳に追加

化合物半導体装置の製造方法及び洗浄剤 - 特許庁

NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化物系化合物半導体およびその製造方法 - 特許庁

COMPOUND-SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体積層構造及びその製造方法 - 特許庁

COMPOUND LEAD FRAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

複合リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 - 特許庁

CHALCOGENIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加

カルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LED例文帳に追加

窒化物系化合物半導体ＬＥＤの製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF POLYMER COMPOUND FOR SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY例文帳に追加

半導体リソグラフィー用高分子化合物の製造方法 - 特許庁

GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体およびその製造方法 - 特許庁

CRYSTAL EPITAXY STRUCTURE OF GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶エピタキシー構造 - 特許庁

AMMONIA PRODUCT FOR MANUFACTURING GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING AMMONIA FOR MANUFACTURING GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体製造用アンモニア製品、ＧａＮ系化合物半導体の製造方法及びＧａＮ系化合物半導体製造用アンモニアの製造方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板 - 特許庁

MANUFACTURE OF p-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の作製方法および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - 特許庁

The indium compound semiconductor thin film includes a lamination structure of a p-type indium compound semiconductor thin film 3 and an n-type indium compound semiconductor thin film 2.例文帳に追加

インジウム系化合物半導体薄膜は、ｐ型インジウム系化合物半導体薄膜３とｎ型インジウム系化合物半導体薄膜２との積層構造を有する。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法 - 特許庁

LED PACKAGE WITH COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体発光素子を有するＬＥＤパッケージ - 特許庁

METHOD OF GROWING CRYSTAL OF NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物系化合物半導体の結晶成長方法 - 特許庁

LED PACKAGE USING COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体発光素子を用いたＬＥＤパッケージ - 特許庁

To reduce the quantity of an Si impurity diffused in the second compound semiconductor layer of a compound semiconductor device having an AlInAs buffer layer on a substrate as a first compound semiconductor layer and the second compound semiconductor layer on the first compound semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に、第１の化合物半導体層としてＡｌＩｎＡｓバッファ層を有し、前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を有する化合物半導体素子において、第２の化合物半導体層に拡散するＳｉ不純物量の低減を目的とする。 - 特許庁

ACTIVATION METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM TO P-TYPE例文帳に追加

化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

化合物半導体結晶および結晶製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

化合物半導体電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層を形成する方法 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子 - 特許庁

First, the compound semiconductor layer is formed on a substrate.例文帳に追加

まず、基板上に化合物半導体層を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GAN SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING POLYCRYSTALLINE COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR BATTERY例文帳に追加

多結晶化合物半導体太陽電池の製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁

p-TYPE ACTIVATION METHOD OF GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を成長する方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体膜を成長する方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁