「Compound semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor device which can accurately control the thickness of a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層の厚さを正確に制御できる化合物半導体デバイス製造方法を提供すること。 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING OHMIC ELECTRODE例文帳に追加

化合物半導体装置及びオーミック電極の形成方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LEC PROCESS COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＬＥＣ法化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁

The group 52 of second compound semiconductor layers is formed on the group 22 of first compound semiconductor layers through epitaxial growth.例文帳に追加

第２化合物半導体層群５２は、第１化合物半導体層群２２上にエピタキシャル成長により形成される。 - 特許庁

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

窒化物系化合物半導体エピタキシャルウエハ及び発光素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法 - 特許庁

POLYMERIC COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND ORGANIC TRANSISTOR例文帳に追加

高分子化合物、有機半導体材料及び有機トランジスタ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウェーハの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING POLYACENE COMPOUND AND ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ポリアセン化合物の製造方法及び有機半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャルウェハ及びそれを用いたトランジスタ - 特許庁

GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND FABRICATION THEREOF例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor single crystal having low dislocation density and the compound semiconductor single crystal.例文帳に追加

低転位密度の化合物半導体単結晶の製造方法及び化合物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT MADE OF NITRIDE-BASED COMPOUND例文帳に追加

窒化物系化合物からなる半導体素子の製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE GROWN ON METAL LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SUBSTRATE例文帳に追加

金属層上に成長した化合物半導体基板、その製造方法、及びそれを用いた化合物半導体素子 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF RECOVERING ETCHING DAMAGE OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

３−５族化合物半導体のエッチングダメージ回復方法。 - 特許庁

Further, the amount of discontinuity of the valance band of the second compound semiconductor layer is ≥0.1 eV with respect to the first compound semiconductor layer and third compound semiconductor layer.例文帳に追加

また、第２化合物半導体層の価電子帯の不連続量が、第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層に対して、０．１ｅＶ以上となるようにする。 - 特許庁

A method for manufacturing the GaN based compound semiconductor element comprises the steps of forming an N-type GaN compound semiconductor layer 12 on a substrate 10, and further forming a P-type impurity- deposed GaN based compound semiconductor layer 14.例文帳に追加

基板１０上にＮ型ＧａＮ系化合物半導体層１２を形成し、さらにＰ型不純物をドープしたＧａＮ系化合物半導体層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor thin film evaluation device which can detect a partial defect in a compound semiconductor thin film and inspect the whole of the compound semiconductor thin film.例文帳に追加

化合物半導体薄膜の部分的な欠陥の検出と化合物半導体薄膜全体の検査が可能となる化合物半導体薄膜の評価装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor epitaxial wafer in order not to cause crystal defects in the compound semiconductor wafer caused by temperature distortion and to provide the compound semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

化合物半導体ウェハに温度歪みによる結晶欠陥を生じさせないための化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

DEVICE FOR RECOVERING ELEMENT IN COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR RECOVERING ELEMENT, METHOD FOR DECOMPOSING AND REFINING ELEMENT, DEVICE AND METHOD FOR ETCHING COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

化合物半導体の元素の回収装置、元素の回収方法、元素の分解精製方法、化合物半導体のエッチング装置、エッチング方法および化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁

The semiconductor device having the compound semiconductor layer containing a group V metal is manufactured.例文帳に追加

Ｖ族金属を含む化合物半導体層を有する半導体装置を製造する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DIODE例文帳に追加

半導体発光素子及びその製造方法並びに化合物半導体発光ダイオード - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND HIGH FREQUENCY MODULE例文帳に追加

化合物半導体装置とその製造方法、半導体装置及び高周波モジュール - 特許庁

ETCHANT AND ETCHING METHOD FOR AlGaAs-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体層用エッチング液、エッチング方法および半導体基板 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体素子エピタキシャル成長基板、半導体素子およびそれらの製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法、並びに半導体素子 - 特許庁

VESSEL FOR GROWING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE-CRYSTAL例文帳に追加

半導体単結晶成長用容器及び化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, EPITAXIAL WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体層を成長する方法、エピタキシャルウエハ、および半導体装置 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is formed of a gallium-nitride (GaN) based compound semiconductor.例文帳に追加

半導体基板１は、窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体から形成されている。 - 特許庁

COMPOUND STIFFENER AND SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AS WELL AS SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED THEREWITH例文帳に追加

複合スティフナー及びそれを取り付けた半導体装置用基板並びに半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING IMPURITY CONCENTRATION OF COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

化合物半導体結晶の不純物濃度制御方法及び光半導体装置 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUBSTRATE例文帳に追加

複合半導体基板および半導体装置および複合半導体基板の製造方法 - 特許庁

A semiconductor device 4 is provided with a known semiconductor device 1 and a thermal compound 2.例文帳に追加

半導体装置４は、公知の半導体装置１と、サーマルコンパウンド２とを備えている。 - 特許庁

Semiconductor or GaN compound is suitable for the (n) type semiconductor material.例文帳に追加

このようなｎ型半導体材料は、例えばＧａＮ系化合物半導体が好適である。 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶、光半導体素子及びそれらの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURED BY THE METHOD例文帳に追加

化合物半導体の製造方法及びその方法により製造された半導体素子 - 特許庁

METHOD OF HEAT TREATING NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

窒化物化合物半導体層の熱処理方法及び半導体素子の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS COMPOUND, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, CIRCUIT SUBSTRATE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

半導体装置とその複合体、半導体装置の製造方法、回路基板、電子機器 - 特許庁

GROWTH METHOD FOR GARIUM NITRIDE GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR CRYSTAL BASE MATERIAL例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体結晶基材 - 特許庁

NITRIDE BASED GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ナイトライド系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING NITRIDE-BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体装置 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a compound semiconductor having a good operating characteristic.例文帳に追加

良好な動作特性を有する化合物半導体の半導体装置を提供する。 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法 - 特許庁