「Compound semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

OXETANE COMPOUND-CONTAINING COMPOSITION USED FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE例文帳に追加

半導体パッケージに使用されるオキセタン化合物を含む組成物 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD OF MULTILAYER FILM COMPRISING COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

化合物半導体から構成される多層膜のドライエッチング方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体素子及び電極形成方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE BASE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS NEGATIVE ELECTRODE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその負極 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体単結晶を製造するための方法と装置 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化物系化合物半導体発光およびその製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER AND FET, AND METHOD OF MANUFACTURING THEM例文帳に追加

化合物半導体ウエハとＦＥＴおよびそれらの製造方法 - 特許庁

PRODUCTION OF COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND DEVICE THEREFOR例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法および製造装置 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LAMP例文帳に追加

化合物半導体素子、その製造方法、発光素子及びランプ - 特許庁

SWITCHING CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

スイッチ回路装置および化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁

To manufacture a p-type II-VI compound semiconductor film and manufacture a light-emitting device, comprising the II-VI compound semiconductor by using the same.例文帳に追加

ｐ型のII-VI族化合物半導体を製作し、これを用いてII-VI族化合物半導体からなる発光素子を製作する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

LAMINATING STRUCTURE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

化合物半導体層の積層構造及びその作製方法 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE USING GROUP-III NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体を用いた電子装置 - 特許庁

At this time, the second group III-V compound semiconductor layer may be laminated on the first group III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

このとき、第２のIII−V族化合物半導体層は、第１のIII−V族化合物半導体層上に積層されていても良い。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT OF GROUP III NITRIDE COMPOUND例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL THIN FILM OF ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND例文帳に追加

有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体層の製造方法および光電変換素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AMMONIA FOR USE IN MANUFACTURING METHOD OF GaN-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体の製造方法とＧａＮ系化合物半導体製造用アンモニアおよびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF NITRIDE BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法 - 特許庁

SILICA CONTAINING COMPOUND, LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL, FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

含珪素化合物、低誘電率材料、膜および半導体デバイス - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体結晶の製造方法 - 特許庁

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

窒化物系化合物半導体レーザ装置およびその製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体ウェハ及びそれを用いた電界効果トランジスタ - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

APPARATUS FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の単結晶製造装置 - 特許庁

LIGHT ENERGY CONVERSION BY IODINE COMPOUND AND SEMICONDUCTOR PHOTOCATALYST例文帳に追加

ヨウ素化合物と半導体光触媒による光エネルギー変換 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND UTILIZATION THEREOF例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法およびその利用 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び製造方法 - 特許庁

The nitride-based compound semiconductor substrate is obtained by slicing the manufactured nitride-based compound semiconductor crystal.例文帳に追加

これにより作製された窒化物系化合物半導体結晶をスライスすることで、窒化物系化合物半導体基板を得る。 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER, LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

化合物半導体ウェハ、発光ダイオード及びその製造方法 - 特許庁

CRYSTAL GROWING APPARATUS FOR GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体結晶の結晶成長装置 - 特許庁

COPOLYMER FOR SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY, COMPOSITION AND THIOL COMPOUND例文帳に追加

半導体リソグラフィー用共重合体、組成物及びチオール化合物 - 特許庁

GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND ITS HEAT TREATMENT例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶及び熱処理方法 - 特許庁

GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体結晶およびその製造方法 - 特許庁

The second III-V compound semiconductor layer 9 is placed on the first III-V compound semiconductor layer 7.例文帳に追加

第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層９は、第１のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層７上に設けられている。 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL ORGANIC COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR STRUCTURE, ORGANIC SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL ORGANIC COMPOUND例文帳に追加

液晶性有機化合物、有機半導体構造物及び有機半導体装置並びに液晶性有機化合物の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

太陽電池素子の製造方法および化合物半導体ウェハ - 特許庁

GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR BOARD HAVING PN JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板の製造方法 - 特許庁