「Compound semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

DICHALCOGENOBENZODIPYRROLE COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE COMPOUND, THIN FILM CONTAINING THE COMPOUND, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING THE THIN FILM例文帳に追加

ジカルコゲノベンゾジピロール化合物、該化合物の製造方法、該化合物を含む薄膜及び該薄膜を含む有機半導体デバイス - 特許庁

In the wet etching method of a compound semiconductor, a laminated compound semiconductor layer is formed, which includes two layers of compound semiconductor layers 31 and 32 having different etching rates, and etching is carried out from the end surface of the laminated compound semiconductor layer, to form a tapered shape 113 on the end surface of the lower compound semiconductor layer 31.例文帳に追加

２層のエッチングレートの異なる化合物半導体層３１、３２より成る積層化合物半導体層を形成し、この積層化合物半導体層にその端面からエッチングを施して下層の化合物半導体層３１端面にテーパ形状１１３を形成する化合物半導体ウェットエッチング方法。 - 特許庁

To provide a surface treatment method of a compound semiconductor substrate which reduces a concentration of an impurity of surface of the substrate composed of a compound semiconductor to reduce a concentration of impurity of a layer formed on the substrate, to provide a compound semiconductor manufacturing method, to provide a compound semiconductor substrate, and to provide a semiconductor wafer.例文帳に追加

化合物半導体からなる基板の表面の不純物濃度を低減して、基板上に形成される層の不純物濃度を低減する化合物半導体基板の表面処理方法、化合物半導体の製造方法、化合物半導体基板、および半導体ウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing compound semiconductor element by which the removing cost of a supporting substrate used for the epitaxial growth of a compound semiconductor element can be reduced.例文帳に追加

化合物半導体素子のエピタキシャル成長に用いた支持基板を除去するために要するコストの低減する。 - 特許庁

METHOD OF EPITAXIALLY GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND GROWTH DEVICE例文帳に追加

化合物半導体のエピタキシャル成長方法及び成長装置 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which has much less crystal defects.例文帳に追加

結晶欠陥の極めて少ない化合物半導体の提供。 - 特許庁

GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化物系化合物半導体発光およびその製造方法 - 特許庁

To provide a low-resistance electrode of a compound semiconductor light-emitting element, and to provide a compound semiconductor light-emitting element which uses the same.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の低抵抗電極及びそれを用いた化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

３族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

化合物半導体素子および化合物半導体素子製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING POLYCRYSTAL OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３−５族化合物半導体の製造方法及び発光素子 - 特許庁

NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加

窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR INCLUDING INDIUM例文帳に追加

インジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

To provide a light-emitting element of a GaN-based compound semiconductor.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF NITROGEN COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, NITROGEN COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

窒化物系半導体発光素子の製造方法、窒化物系半導体レーザ素子の製造方法、および窒化物系半導体レーザ素子 - 特許庁

To provide a fabrication method of a gallium nitride-based compound semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法を提供する。 - 特許庁

A transparent electrode layer covers the insulating layer and p-type compound semiconductor layer, and is in ohmic contact with the p-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

透明電極層が絶縁層及びｐ型化合物半導体層を覆い、ｐ型化合物半導体層にオーミックコンタクトする。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE, COMPOUND MEMORY CIRCUIT DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

磁気記憶装置、複合記憶回路装置および半導体装置 - 特許庁

COMPOUND FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

化合物電界効果半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

TWO-WAY SWITCHING ELEMENT COMPOSED OF GaN COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体からなる双方向スイッチング素子 - 特許庁

To provide a novel II-III-V compound semiconductor.例文帳に追加

新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体を提供する。 - 特許庁

CHALCOPYRITE TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

カルコパイライト型化合物半導体光デバイスとその製造方法 - 特許庁

PROCESS FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, PROCESS FOR FABRICATING DEVICE, DEVICE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

複合半導体基板の製造方法、複合半導体基板、デバイスの製造方法、デバイス、電気光学装置並びに電子機器 - 特許庁

PROCESS FOR FABRICATING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体光装置を作製する方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR AND VAPOR PHASE GROWTH DEVICE例文帳に追加

化合物半導体の製造方法および気相成長装置 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体基板および発光素子ならびに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体基板および発光素子並びに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 - 特許庁

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

CHEMICAL COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS FORMING METHOD, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

化合物半導体素子、その形成方法および発光ダイオード - 特許庁

P-TYPE OHMIC ELECTRODE, COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT EQUIPPED WITH THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

ｐ形オーミック電極、それを備えた化合物半導体素子、化合物半導体発光素子及びそれらの製造方法 - 特許庁

GAS PHASE GROWTH OF GROUP III TO V ELEMENT COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法 - 特許庁

PHOSPHORUS-CONTAINING ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

有機半導体リン含有化合物およびその製造方法 - 特許庁

SUBSTRATE FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体成長用基板及びその製造方法 - 特許庁

FIELD EFFECT TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF EPITAXIAL GROWTH OF Al-CONTAINING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

Ａｌ含有化合物半導体層のエピタキシャル成長方法 - 特許庁

METHOD OF AND APPARATUS FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置 - 特許庁

LIGHT-EMITTING ELEMENT AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR THEREFOR例文帳に追加

発光素子用３−５族化合物半導体及び発光素子 - 特許庁

METHOD OF MEASURING CONTACT RESISTANCE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体発光素子のコンタクト抵抗測定方法 - 特許庁

To provide a compact semiconductor device having a compound function.例文帳に追加

複合機能を備えたコンパクトな半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a group III-V compound semiconductor which is possible to have a high luminance and a high light emitting efficiency, and to provide a light emitting element using this compound semiconductor.例文帳に追加

高輝度、高発光効率が可能な３−５族化合物半導体及びこれを用いた発光素子の提供。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体光素子を作製する方法 - 特許庁