「Compound semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The nitride compound semiconductor is equipped with a layer formed of the n-type nitride compound semiconductor shown in (1) as an n-type nitride compound semiconductor layer (2).例文帳に追加

（２）ｎ型窒化物系化合物半導体層として、上記（１）のｎ型窒化物系化合物半導体からなる層を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体。 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND HETEROBIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャルウェハおよびヘテロバイポーラトランジスタ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD OF II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体のドライエッチング方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR BATTERY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体太陽電池及びその製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体および製造方法 - 特許庁

3-5 GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

３−５族化合物半導体およびその製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体単結晶およびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導発光素子の製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体集積回路およびその製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND LIGHT EMITTING DIODE ARRAY例文帳に追加

化合物半導体発光素子及び発光ダイオードアレイ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法 - 特許庁

HEAT TREATMENT METHOD AND ITS APPARATUS FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

化合物半導体の熱処理方法及びその装置 - 特許庁

WET ETCHING METHOD AND DEVICE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

化合物半導体のウエットエッチング方法およびその装置 - 特許庁

DRY ETCHING METHOD FOR GALLIUM-NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND THE LIKE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体等のドライエッチング方法 - 特許庁

COMPOUND-SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 - 特許庁

The DC device 47a has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 3b, a III-V compound semiconductor SCH layer 5b, a III-V compound semiconductor active layer 7b, a III-V compound semiconductor SCH layer 9b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 11b.例文帳に追加

ＬＤデバイス部４７ａは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層３ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層５ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層９ｂ、およびｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１１ｂを有する。 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

To increase the transconductance of a compound semiconductor device in comparison with those of conventional ones, with respect to the compound semiconductor device having a MESFET.例文帳に追加

ＭＥＳＦＥＴを有する化合物半導体装置に関し、従来よりも相互コンダクタンスを高くすること。 - 特許庁

METHOD FOR EPITAXIALLY GROWING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長法、および窒化ガリウム系化合物半導体を備えた電子デバイス - 特許庁

VAPOR PHASE GROWTH DEVICE FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND VAPOR PHASE GROWTH METHOD FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR PROCESSING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体層の加工方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体、発光素子、照明装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SYSTEM USING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体層の形成方法、化合物半導体装置、および化合物半導体装置を用いたシステム - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL GROWTH VESSEL AND METHOD FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL BY USING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体単結晶成長用容器及びそれを用いた化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING ZnTe-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND ZnTe-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法およびＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶 - 特許庁

METHOD FOR TREATING SURFACE OF ZnTe BASE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND ZnTe BASE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＺｎＴｅ系化合物半導体結晶の表面処理方法およびＺｎＴｅ系化合物半導体結晶 - 特許庁

ELECTRODE FOR LIGHT-EMITTING DEVICE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT-EMITTING DEVICE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用電極および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, WAFER, AND GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の製造方法、ウエハ、ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

窒化物系化合物半導体結晶の製造方法及び窒化物系化合物半導体基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL PRODUCED BY USING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法及びそれを用いて製造した化合物半導体単結晶 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND OPTICAL DISK APPARATUS EQUIPPED WITH THIS COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

化合物半導体装置およびその製造方法、ならびにその化合物半導体装置を備えた光ディスク装置 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATION APPARATUS USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子 - 特許庁

First, a group III-V compound semiconductor layer 16a is formed on a group III-V compound semiconductor substrate 12.例文帳に追加

まず、III−Ｖ族化合物半導体基板１２上にIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａを形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE MADE OF GALLIUM-NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

化合物半導体積層体及びその製造方法並びに半導体デバイス - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体基板及び該化合物半導体基板を用いた半導体装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE, COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEM例文帳に追加

半導体エピタキシャル基板、化合物半導体装置、およびそれらの製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR RADIATION DETECTOR USING COMPOUND SEMICONDUCTOR InSb SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

化合物半導体ＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器 - 特許庁

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, ITS MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物系化合物半導体結晶、その製造方法、および半導体装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND HEAT TREATMENT APPARATUS例文帳に追加

窒化物系化合物半導体の製造方法、半導体装置、熱処理装置 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材 - 特許庁

TETRABENZANTHRACENE-BASED COMPOUND, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE COMPOUND例文帳に追加

テトラベンズアントラセン系化合物、それを用いた半導体装置及び電界効果トランジスタ - 特許庁

METHOD OF PREPARING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LUMINOUS ELEMENT USING IT例文帳に追加

半導体基板の作成方法ならびに半導体基板およびそれを用いる化合物半導体発光素子 - 特許庁