| 意味 | 例文 |
Compound semiconductorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5417件
To provide: a method for manufacturing the compound semiconductor substrate, by which a compound semiconductor substrate in which a compound semiconductor layer is grown on a metal layer can be manufactured easily at a low cost; the compound semiconductor substrate manufactured by the same; and an element using the substrate.例文帳に追加
金属層上に化合物半導体層が成長した半導体基板を簡便かつ安価で製造することができる方法、並びにそれによって製造された化合物半導体基板及び素子を提供する。 - 特許庁
A semiconductor light-emitting element has each layer comprising a group III nitride compound semiconductor.例文帳に追加
各層がIII族窒化物系化合物半導体から成る半導体発光素子である。 - 特許庁
The first conductive semiconductor region 13 consists of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加
第1導電型半導体領域13はIII−V化合物半導体からなる。 - 特許庁
This wide-gap semiconductor device is obtained by coating an external surface of the wide-gap semiconductor element with a synthetic polymer compound.例文帳に追加
ワイドギャップ半導体素子の外面を、合成高分子化合物で被覆する。 - 特許庁
RESIST COMPOUND, RESIST COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
レジスト化合物、レジスト組成物、半導体装置の製造方法および半導体装置 - 特許庁
METHOD FOR TREATING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER SURFACE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
化合物半導体層の表面処理方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
P-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, LIGHT-EMITTING DIODE, AND SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加
p型III族ナイトライド化合物半導体、発光ダイオードおよび半導体レーザ - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING III NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び半導体素子 - 特許庁
SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, APPLICATION SYSTEM, CRYSTAL GROWTH METHOD, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体レーザ素子、応用システム、結晶成長方法、及び化合物半導体素子 - 特許庁
CRYSTAL GROWTH METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND APPLICATION SYSTEM例文帳に追加
III−V族化合物半導体の結晶成長方法、III−V族化合物半導体層、半導体レーザ素子、および応用システム - 特許庁
The semiconductor layer part 5 includes: a first III-V compound semiconductor layer 7; and a second III-V compound semiconductor layer 9.例文帳に追加
半導体積層部5は、第1のIII−V族化合物半導体層7と、第2のIII−V族化合物半導体層9とを備える。 - 特許庁
SELECTIVE ETCHING OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, SELECTIVE ETCHING OF NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
化合物半導体の選択エッチング方法、窒化物系化合物半導体の選択エッチング方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁
A semiconductor device having a photo-refractive effect or optical switching function comprises an AlGaAs/GaAs compound semiconductor or InGaAs/GaAs compound semiconductor.例文帳に追加
また、フォトリフラクティブ効果または光スイッチ機能を有する半導体デバイスが当該AlGaAs/GaAs系化合物半導体薄膜を備える。 - 特許庁
METHOD FOR DETOXIFYING TOXIC COMPOUND, AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT COMPOUND例文帳に追加
有害化合物の無害化方法および有機半導体元素化合物の製造方法 - 特許庁
COMPOUND LEAD FRAME, COMPOUND TAPE CARRIER, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
複合リードフレーム及び複合テープキャリア及びそれらの製造方法並びに半導体装置 - 特許庁
STRUCTURE OF COMPOUND STORAGE CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE STRUCTURE OF COMPOUND STORAGE CIRCUIT例文帳に追加
複合記憶回路構造及び同複合記憶回路構造を有する半導体装置 - 特許庁
The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加
また、半導体レーザ1は、III−V族化合物半導体層9上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層11と、III−V族化合物半導体層11上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層13とを備える。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING CLASS III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加
3−5族化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁
To provide high-reliability compound semiconductor equipment.例文帳に追加
高信頼性を有する化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁
POLYMER COMPOUND AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED BY USING THE SAME例文帳に追加
高分子化合物及びそれを用いた有機半導体素子 - 特許庁
METHOD FOR IMPROVING PRODUCTIVITY OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
3−5族化合物半導体の生産性向上方法 - 特許庁
To provide a GaN-based compound semiconductor light emitting device.例文帳に追加
GaN系化合物の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加
化合物半導体薄膜の製造方法および製造装置 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM, LIGHT EMITTING FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
化合物半導体膜、発光膜およびその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR DETERMINING COMPOSITION OF COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER ON SUBSTRATE例文帳に追加
基板上の化合物半導体層の組成決定方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, PRINT HEAD, AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加
複合半導体装置及びプリントヘッド及び画像形成装置 - 特許庁
METHOD FOR FORMING LOW RESISTANCE COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加
低抵抗型化合物半導体材料を形成する方法 - 特許庁
To provide a method of producing a compound semiconductor substrate that can produce a compound semiconductor single-crystal substrate of high precision.例文帳に追加
高精度な化合物半導体単結晶基板を製造できる化合物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
A compound semiconductor substrate 1 is carried into a treatment chamber 1.例文帳に追加
処理室内に化合物半導体基板1を搬送する。 - 特許庁
OBSERVATION METHOD OF SURFACE DEFECT OF NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
ナイトライド系化合物半導体の表面欠陥観察法 - 特許庁
METHOD OF FABRICATING P-TYPE NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加
p型窒化物系化合物半導体膜の作製方法 - 特許庁
NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
窒化物系化合物半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
METHOD OF MAKING ELECTRODE FOR III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR TRANSPARENT例文帳に追加
3−5族化合物半導体用電極の透明化方法 - 特許庁
III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF PRODUCTION例文帳に追加
III−V族化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM AND SOLAR BATTERY例文帳に追加
化合物半導体膜の製造方法および太陽電池 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
化合物半導体バイポーラトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
NOVEL COMPOUND AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
新規化合物および有機半導体素子の製造方法 - 特許庁
GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加
GaN系化合物半導体基板とその製造方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
化合物系半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁
NITORGEN COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加
GaN系化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加
窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL SUBSTRATE例文帳に追加
化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND DOHERTY AMPLIFIER USING IT例文帳に追加
化合物半導体装置及びそれを用いたドハティ増幅器 - 特許庁
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