| 意味 | 例文 |
Compound semiconductorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5417件
GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR ELEMENT例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 - 特許庁
GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体素子とその製造方法 - 特許庁
EPITAXIAL-GROWTH METHOD OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
III‐V族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法、および窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LAMP例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、並びにランプ - 特許庁
GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 - 特許庁
PRODUCTION OF BULK CRYSTAL OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体のバルク結晶製造方法 - 特許庁
GROWTH METHOD FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の成長方法 - 特許庁
WASHING APPARATUS AND METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
化合物半導体ウェハの洗浄装置および洗浄方法 - 特許庁
ACTIVATION METHOD OF POTASSIUM NITRIDE-BASED P-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
窒化ガリウム系p型化合物半導体層の活性化法 - 特許庁
SILICON COMPOUND, INSULATING FILM FORMING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加
シリコン化合物、絶縁膜形成材料及び半導体装置 - 特許庁
DERIVATION OF GROWTH RATE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加
化合物半導体薄膜の成長速度の導出方法 - 特許庁
PRODUCTION PROCESS FOR GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
III族窒化物系化合物系半導体の製造方法 - 特許庁
ETCHING METHOD AND, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
エッチング方法及び化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁
EVALUATION METHOD AND EVALUATION DEVICE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
化合物半導体ウェーハの評価方法及び評価装置 - 特許庁
NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 - 特許庁
NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
窒化物系化合物半導体素子及びその作製方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
3族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加
III−V族化合物半導体結晶の作製方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF ZnTe SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加
ZnTe系化合物半導体結晶の製造方法 - 特許庁
NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
窒化物系化合物半導体基板及びその製造方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR SWITCH CIRCUIT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
化合物半導体スイッチ回路装置およびその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加
化合物半導体結晶成長方法及びその装置 - 特許庁
GRINDING METHOD AND GRINDING DEVICE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
化合物半導体ウェーハの研削方法及び研削装置 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING ELEMENT MADE OF NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM AND SOLAR CELL USING SAME例文帳に追加
化合物半導体薄膜及びそれを用いた太陽電池 - 特許庁
NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE, LIGHT-EMITTING DEVICE, OPTICAL PICKUP SYSTEM, AND MANUFACTURING METHOD OF NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE例文帳に追加
窒素化合物半導体積層物、発光素子、光ピックアップシステム、および窒素化合物半導体積層物の製造方法。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体積層物の製造方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHTING DEVICE USING THE COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
化合物半導体基板及びその製造方法並びに化合物半導体基板を用いた発光素子及び照明装置 - 特許庁
METHOD FOR FORMING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
III−V化合物半導体を形成する方法およびIII−V化合物半導体装置を作製する方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM EVALUATION DEVICE, COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM EVALUATION METHOD AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
化合物半導体薄膜の評価装置、化合物半導体薄膜の評価方法、及び太陽電池の製造方法。 - 特許庁
METHOD FOR DEPOSITING NITROGEN-CONTAINING COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR DEPOSITING NIRIDE-BASED GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
窒素を含む化合物半導体の成長方法および窒化物系III−V族化合物半導体の成長方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR GROUP, AND THE III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT BASED THEREON例文帳に追加
III族窒化物系化合物半導体の製造方法、及びそれに基づくIII族窒化物系化合物半導体素子 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加
化合物半導体エピタキシャルウェハ及びそれを用いた素子 - 特許庁
NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
窒化物化合物半導体トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
To provide a nitride-based compound semiconductor and a nitride-based compound semiconductor element having long-term reliability.例文帳に追加
長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。 - 特許庁
NITROGEN COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
窒素化合物半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
化合物半導体発光ダイオードおよびその製造方法 - 特許庁
EMBEDDED ANGLE II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER DIODE例文帳に追加
埋め込み山型II−VI族化合物半導体レーザダイオード - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
化合物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING APPARATUS USING IT AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加
化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁
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