「Compound semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁

A window layer 23 is composed of a second III-V compound semiconductor with a larger band gap than the first III-V compound semiconductor.例文帳に追加

窓層２３は、第１のIII−Ｖ化合物半導体より大きなバンドギャップを有する第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR NITRIDE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND NITRIDE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, THE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DEVICE, AND THE LIGHT-EMITTING DEVICE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体、発光素子の製造方法及び発光素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体及び発光素子の製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE, LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LIGHT-RECEIVING ELEMENT例文帳に追加

化合物半導体積層構造、発光素子、及び受光素子 - 特許庁

To provide a quintuple III-V compound semiconductor film having high crystallinity, a semiconductor optical device including the semiconductor film, and a method of forming a III-V compound semiconductor film.例文帳に追加

良好な結晶性を有する五元III−Ｖ族化合物半導体膜、この半導体膜を含む半導体光素子、III−Ｖ族化合物半導体膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The compound is a III-V compound semiconductor manufactured by the method described in either (1) or (2) (3).例文帳に追加

（３）上記（１）または（２）記載の方法により製造されてなる３−５族化合物半導体。 - 特許庁

The compound semiconductor device is provided with: a compound semiconductor multilayer structure 2; a surface protective film 10 which is formed on the compound semiconductor multilayer structure 2; a source electrode 4 which is formed above the compound semiconductor multilayer structure 2; a drain electrode 5; and a gate electrode 6.例文帳に追加

化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２上に形成された表面保護膜１０と、化合物半導体積層構造２上方に形成されたソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極６と、が設けられている。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which displays light emission properties, Vf properties, etc equal to or above those possessed by a nitride compound semiconductor where Si is used as an n-type dopant even when the compound semiconductor is a nitride compound semiconductor where Ge is used in place of Si as an n-type dopant.例文帳に追加

ｎ型ドーパントとして、Ｓｉの代わりにＧｅを用いた窒化物系化合物半導体であっても、Ｓｉを用いた窒化物系化合物半導体と同等もしくはそれ以上の発光特性、Ｖｆ特性等を示す化合物半導体を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PHOTONIC DEVICE, AND THE SEMICONDUCTOR PHOTONIC DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の製造方法、半導体光素子の製造方法、および半導体光素子 - 特許庁

METHOD FOR GROWING NITRIDE SYSTEM GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 - 特許庁

FORMING METHOD OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, PRODUCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の形成方法、半導体光素子の製造方法及び半導体光素子。 - 特許庁

The optical semiconductor device comprises an optical semiconductor element having an element region on a compound semiconductor substrate wherein an angle of 5-85° is set between the dicing direction of the optical semiconductor element and the orientation of cleavage surface of the compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体基板上に素子領域が形成された光半導体素子を備え、光半導体素子のダイシング方向と、化合物半導体の割れ結界面方位との角度を５〜８５度とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit board, a manufacturing method thereof, and a semiconductor device, which are capable of obtaining a high-performance semiconductor element using a compound semiconductor while reducing the amount of a compound semiconductor material.例文帳に追加

化合物半導体材料を節減しつつ化合物半導体を用いた高性能な半導体素子を得ることができる半導体装置、半導体回路基板および半導体回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

STABILIZATION OF SURFACE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR LASER DEVICE USING THE METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE SUCH AS SEMICONDUCTOR LASER DEVICE例文帳に追加

化合物半導体表面の安定化方法、それを用いた半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ素子等の半導体素子 - 特許庁

A semiconductor optical device 1a has a 1st conductivity type semiconductor layer 5, a 2nd conductivity type semiconductor layer 9, and a compound semiconductor 7.例文帳に追加

半導体光デバイス１ａは、第１導電型半導体層５と、第２導電型半導体層９と、化合物半導体部７とを備える。 - 特許庁

The gallium nitride compound semiconductor comprises: an n-type gallium nitride compound semiconductor layer containing at least silicon; and a p-type gallium nitride compound semiconductor layer containing at least magnesium.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体は、少なくともシリコンを含むｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、少なくともマグネシウムを含むｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層とを有する。 - 特許庁

To prevent heat-originated defect in a semiconductor layer containing a compound semiconductor when fabricating a concentrated photovoltaic solar power generation module having compound solar cells using the compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体を用いる化合物太陽電池セルを備えた集光型光発電モジュールを構成する際に、化合物半導体を含む半導体層に熱による欠陥が生じることを防ぐ。 - 特許庁

The device for grinding a compound semiconductor substrate comprises a chuck 1 for holding a compound semiconductor substrate 2, a grinding stone 3 for grinding the compound semiconductor substrate 2 by moving it relatively, and a holder 5 of the grinding stone 3.例文帳に追加

化合物半導体基板２を保持するチャック１と、化合物半導体基板２を相対移動させて研削する研削砥石３と、研削砥石３を保持する砥石ホルダー５を備える。 - 特許庁

A compound semiconductor thin film includes a rear surface electrode 22, a p-type compound semiconductor thin film 23, an n-type compound semiconductor thin film 24, a buffer layer 25, a window layer 26 and a transparent conductive film 27.例文帳に追加

基板２１上に形成された裏面電極２２、ｐ型化合物半導体薄膜２３、ｎ型化合物半導体薄膜２４、バッファ層２５、窓層２６および透明導電膜２７を含む。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor manufacturing method which enables bonding of a support substrate without heating an entire compound semiconductor element and shortens an entire manufacturing time of the compound semiconductor element by shortening time for bonding.例文帳に追加

化合物半導体素子全体を加熱することなくサポート基板を接合することを可能とし、また接合時間を短縮化し、化合物半導体素子の製造時間全体の短縮化を図ること。 - 特許庁

The first III-V compound semiconductor layer 33 is GaAs, the second III-V compound semiconductor layer 35 is GaInNAs, and the third III-V compound semiconductor layer 37 is GaAs.例文帳に追加

第１のIII−Ｖ化合物半導体層３３はＧａＡｓであり、第２のIII−Ｖ化合物半導体層３５はＧａＩｎＮＡｓであり、第３のIII−Ｖ化合物半導体層３７はＧａＡｓである。 - 特許庁

APPARATUS FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LAMP例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造装置、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ - 特許庁

This method separates the substrate 1 used to form the compound semiconductor layer 3 from the compound semiconductor layer 3 to allow the substrate 1 to be reused, thus reduces the manufacturing cost of the compound semiconductor device.例文帳に追加

化合物半導体層の形成に用いた基板を化合物半導体層から分離させて再利用することができるため、化合物半導体装置の製造コストを低減させることができる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate having an uneven surface on which elements with suppressed characteristic deterioration can be precisely formed, a compound semiconductor device, and a manufacturing method of the compound semiconductor substrate.例文帳に追加

特性劣化が抑制される素子を精密に形成することができる凹凸表面を有する化合物半導体基板、化合物半導体デバイス及び化合物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁

To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.例文帳に追加

III 族窒化物系化合物半導体のｐ型化とｐ型領域を有する素子の形成 - 特許庁

FORMING METHOD OF NICKEL-SILICON BASED COMPOUND, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ニッケル−シリコン系化合物の形成方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

半導体発光素子の製造方法、及び窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法およびそれにより製造された半導体装置 - 特許庁

The vertical organic semiconductor device contains a compound represented by general formula (1) as a semiconductor material.例文帳に追加

一般式（１）で表される化合物を半導体材料として含む、縦型有機半導体デバイス。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、化合物半導体素子及び発光ダイオード - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND AlGaN-BASED SUPERLATTICE STRUCTURE例文帳に追加

化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びＡｌＧａＮ系超格子構造 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER OF COMPOUND OF GROUP III-V, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の形成方法及び半導体光素子の製造方法 - 特許庁

The groove 4 is penetrated into the semiconductor layer 3 and extended up to the inside of the compound semiconductor layer 2.例文帳に追加

溝４は半導体層３を貫通し、化合物半導体層２の内部にまで延びている。 - 特許庁

The phosphor includes semiconductor nanoparticles formed of compound semiconductor, and conductive transparent compounds.例文帳に追加

化合物半導体からなる半導体ナノ粒子と、導電性透明化合物とを含む蛍光体。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a substrate 2, a buffer layer 3, and a nitride-based compound semiconductor 4.例文帳に追加

半導体装置は、基板２と、バッファ層３と、窒化物系化合物半導体４とを備える。 - 特許庁

NEW COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

新規化合物及びその製造方法、並びに有機半導体材料、及び有機半導体デバイス - 特許庁

SUBSTRATE CONTAINING COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, ITS MANUFACTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

化合物半導体層含有基板およびその製造方法ならびにこれを用いた半導体装置 - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD OF ZnTe BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁

The organic semiconductor compound and the organic semiconductor polymer are represented by general formula 1.例文帳に追加

下記の一般式１で表わされる有機半導体化合物および有機半導体高分子。 - 特許庁