「Compound semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 - 特許庁

GROWING METHOD OF NITRIDE-BASED III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子 - 特許庁

NEW ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

新規な有機半導体化合物、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF n-InGaAs SEMICONDUCTOR AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｎ−ＩｎＧａＡｓ半導体及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁

In this compound semiconductor device, a III-V compound semiconductor layer is provided with a laminated structure, in which a second compound semiconductor layer which does not containing In but contains N is laminated on a first compound semiconductor layer which does not contain N but contains In, and the laminated structure is constituted by forming an intermediate layer, containing neither In or N between the first compound semiconductor layer and the second compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体装置において、III−V族化合物半導体層が、Inを含みNを含まない第１の化合物半導体層上にInを含まずNを含む第２の化合物半導体層が積層された積層構造を含み、前記積層構造は、前記第１の化合物半導体層と前記第２の化合物半導体層との間に、InおよびNを含まない中間層が形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体発光装置およびその製造方法 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

化合物半導体製造装置および化合物半導体製造方法 - 特許庁

To provide a method of forming an electrode for a compound semiconductor device.例文帳に追加

化合物半導体素子の電極形成方法を提供する。 - 特許庁

PROCESSING METHOD AND DEVICE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

化合物半導体の加工方法、及び化合物半導体の加工装置 - 特許庁

REFLECTION ELECTRODE AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LED EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

反射電極及びそれを備える化合物半導体発光素子 - 特許庁

VAPOR DEPOSITION SYSTEM, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM AND GROWTH METHOD THEREFOR例文帳に追加

気相成長装置、化合物半導体膜及びその成長方法 - 特許庁

To provide a benzodifuran compound and an organic semiconductor material.例文帳に追加

ベンゾジフラン化合物及び有機半導体材料を提供すること。 - 特許庁

An opening divides the p-type compound semiconductor layer and active layer into at least two regions, and exposes the n-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

開口部がｐ型化合物半導体層及び活性層を少なくとも二領域に分け、ｎ型化合物半導体層を露出する。 - 特許庁

To obtain a nitride compound semiconductor element which has an excellent light emitting intensity.例文帳に追加

発光強度に優れる窒化物化合物半導体素子を得る。 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

化合物半導体デバイス、及び化合物半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

To improve performance such as switching speed of compound semiconductor device.例文帳に追加

化合物半導体デバイスのスイッチング速度等の性能を向上する。 - 特許庁

The compound semiconductor of this type is not known previously.例文帳に追加

このタイプの化合物半導体は、従来、知られていないものである。 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

化合物半導体電界効果型トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

To provide an inspecting method for a compound semiconductor substrate, in which quality is evaluated with high precision during inspection on a compound semiconductor substrate having a multilayer structure.例文帳に追加

多層膜構造の化合物半導体基板の検査において、高精度に品質評価を行える検査方法を提供する。 - 特許庁

REFLECTING ELECTRODE, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE HAVING SAME例文帳に追加

反射電極及びそれを備える化合物半導体の発光素子 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR OHMIC ELECTRODE OF N-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING NITRIDE BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法 - 特許庁

SILICON SUBSTRATE FOR GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化合物半導体成長用Ｓｉ基板及びその製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR, SOLAR CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEM例文帳に追加

化合物半導体及び太陽電池並びにそれらの製造方法 - 特許庁

CdTe COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL FOR ELECTRIC OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

電気光学素子用ＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶 - 特許庁

COATING FOR REINFORCING ADHESION OF MOLDING COMPOUND TO SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

モールディングコンパウンドの半導体装置への付着を強化するコーティング - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM AND FIELD EFFECT TRANSISTOR USING IT例文帳に追加

化合物半導体薄膜及びこれを用いた電解効果トランジスタ - 特許庁

NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

REFLECTING ELECTRODE, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING THE SAME例文帳に追加

反射電極及びこれを備える化合物半導体発光素子 - 特許庁

GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND-SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子および製造方法 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing a p-type compound semiconductor thin film.例文帳に追加

pタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる方法。 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVING BRIGHTNESS OF 3-5 GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

３−５族化合物半導体発光素子の輝度向上方法 - 特許庁

VAPOR GROWTH DEVICE, COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM, AND ITS GROWTH METHOD例文帳に追加

気相成長装置、化合物半導体膜及びその成長方法 - 特許庁

To provide an Si substrate for growing compound semiconductor with which a compound semiconductor which is reduced in crystal defect can be grown epitaxially.例文帳に追加

結晶欠陥の少ない化合物半導体のエピタキシャル成長を可能とする化合物半導体成長用Ｓｉ基板の提供。 - 特許庁

NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, LAMP AND LIGHT SOURCE例文帳に追加

化合物半導体発光素子、その製造方法、ランプ及び光源 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

化合物半導体装置および化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR MULTISTRIPE LASER AND OPTICAL FIBER SYSTEM例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体マルチストライプレーザ及び光ファイバシステム - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

ETCHANT FOR GaInP SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ETCHING METHOD例文帳に追加

ＧａＩｎＰ系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁

POSITIVE ELECTRODE STRUCTURE AND GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

正極構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - 特許庁

To manufacture a gallium nitride compound semiconductor excellent in crystalinity.例文帳に追加

結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を製造する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING P-TYPE ELECTRODES OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体層のｐ型電極形成方法 - 特許庁

The nitride based III-V compound semiconductor device is manufactured by using a nitride based III-V compound semiconductor containing gadolinium(Gd).例文帳に追加

ガドリニウム（Ｇｄ）を含む窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を用いて窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置を作製する。 - 特許庁