| 意味 | 例文 |
Compound semiconductorの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5417件
METHOD FOR DEPOSITING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND SUSCEPTOR例文帳に追加
III−V化合物半導体を堆積する方法およびサセプタ - 特許庁
GALLIUM NITRIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND ILLUMINATING DEVICE例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオードおよび照明装置 - 特許庁
To obtain a gallium nitride (GaN) compound semiconductor of superior crystallinity.例文帳に追加
結晶性に優れた窒化ガリウム(GaN)系化合物半導体を得る。 - 特許庁
PHTHALOCYANINE COMPOUND, SEMICONDUCTOR USING THE SAME, AND ELECTRON DEVICE例文帳に追加
フタロシアニン化合物、並びにそれを用いた半導体及び電子素子 - 特許庁
The gallium-nitride-based compound semiconductor element includes the p-type gallium-nitride-based compound semiconductor manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体素子は、前記の製造方法によって製造されたP型窒化ガリウム系化合物半導体を備える。 - 特許庁
HEAT TREATING METHOD FOR P-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加
P型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法 - 特許庁
GALLIUM-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND PACKAGING BODY THEREOF例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその実装体 - 特許庁
MANUFACTURE OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAMINATE例文帳に追加
III−V族化合物半導体結晶積層体の製造方法 - 特許庁
To provide a compound semiconductor device which can inhibit current collapse and operate at high voltage, and provide a manufacturing method of the compound semiconductor device.例文帳に追加
電流コラプスを抑制するとともに、高耐圧動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
PROTECTIVE ELEMENT AND ITS FABRICATION PROCESS, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
保護素子及びその製造方法、並びに化合物半導体装置 - 特許庁
The 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b are provided between the 1st and 2nd compound semiconductor layers 24a to 23c.例文帳に追加
第3の化合物半導体層23a、23bは、第1及び第2の化合物半導体層24a〜23cの間に設けられている。 - 特許庁
GROUP III NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
III族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR UTILIZING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
III−V族化合物半導体を利用した電界効果トランジスタ - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
化合物半導体単結晶の製造方法及びその製造装置 - 特許庁
ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUND, AND TRANSISTOR AND ELECTRONIC ELEMENT INCLUDING THE SAME例文帳に追加
有機半導体化合物および、これを含むトランジスタと電子素子 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING DEVICE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR SOLAR CELL例文帳に追加
化合物半導体太陽電池の製造方法及び製造装置 - 特許庁
THERMOSETTING COMPOUND, THERMOSETTING RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
熱硬化性化合物、熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 - 特許庁
The compound semiconductor substrate is prepared in the preparation step (S10).例文帳に追加
準備工程(S10)では、化合物半導体基板を準備する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SYSTEM III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
窒化物系III−V族化合物半導体装置の製造方法 - 特許庁
CONDENSED AROMATIC COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND ORGANIC TRANSISTOR例文帳に追加
縮合芳香族化合物、有機半導体材料及び有機トランジスタ - 特許庁
P-TYPE ACTIVATING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
III族窒化物系化合物半導体のp型活性化方法 - 特許庁
USE OF ORGANIC MESOMERIC COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND ELECTRONIC COMPONENT例文帳に追加
有機メソメリー化合物の使用、有機半導体物質、及び、電子素子 - 特許庁
A current constriction layer 12 is configured by the group III-V compound semiconductor layer 11 and the group III-V compound semiconductor layer 13.例文帳に追加
III−V族化合物半導体層11とIII−V族化合物半導体層13とによって電流狭窄層12が構成される。 - 特許庁
(Al, Ga, In) N COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
(Al、Ga、In)N系化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁
ORGANIC COMPOUND, SEMICONDUCTOR DEVICE, ORGANIC EL ELEMENT AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加
有機化合物、半導体装置、有機EL素子並びに表示装置 - 特許庁
To provide an epitaxial growing process of a compound semiconductor capable of producing a compound semiconductor crystal having a good crystal quality.例文帳に追加
良好な結晶品質の化合物半導体結晶を得ることができる化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁
NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁
GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
II−VI族化合物半導体素子およびその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING DISLOCATION PIT DENSITY IN COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
化合物半導体ウェーハにおける転位ピット密度の測定方法 - 特許庁
MANUFACTURING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加
化合物半導体エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHTING DEVICE, AND SUBSTRATE FOR GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR GROWTH例文帳に追加
3族窒化物化合物半導体の製造方法、発光素子、照明装置及び3族窒化物化合物半導体成長用の基板 - 特許庁
III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
III−V族化合物半導体レーザ素子とその製造方法 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR 3-5-FAMILY COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL GROWTH例文帳に追加
3−5族化合物半導体エピタキシャル成長方法及び装置 - 特許庁
ELECTRODE STRUCTURE FOR NITRIDE-BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
窒化物系III—V族化合物半導体装置の電極構造 - 特許庁
GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAMINATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体積層物およびその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR FABRICATING NITROGEN-GROUP III ELEMENT COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加
窒素−3族元素化合物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR CLEANING SUBSTRATE FOR GROWTH OF GALLIUM-NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体成長用基板の洗浄方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LAMP例文帳に追加
III族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ - 特許庁
NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND ITS PURPOSE OF USE例文帳に追加
窒化物系化合物半導体、その製造方法及びその用途 - 特許庁
GROUP 3-5 COMPOUND SEMICONDUCTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ITS USE例文帳に追加
3−5族化合物半導体、その製造方法及びその用途 - 特許庁
After the compound semiconductor element is mounted on an electrode, the compound semiconductor element is electrically connected by using wire bonding etc.例文帳に追加
電極上に化合物半導体素子を搭載した後、ワイヤーボンディング等を用いて化合物半導体素子を電気的に接続する。 - 特許庁
PROTECTION DIODE, ITS MANUFACTURING METHOD AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
保護ダイオード及びその製造方法、並びに化合物半導体装置 - 特許庁
To provide a manufacturing method of ZnO compound semiconductor crystal capable of manufacturing a quality ZnO compound semiconductor substrate.例文帳に追加
良質なZnO系化合物半導体結晶を得ることができるZnO系化合物半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
SUBSTRATE FOR CRYSTAL GROWTH AND ZnO COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
結晶成長用基板およびZnO系化合物半導体デバイス - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND HETEROBIPOLAR TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加
化合物半導体エピタキシャルウェハ及びそれを用いたヘテロバイポーラトランジスタ - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL BY LEC PROCESS例文帳に追加
LEC法における化合物半導体単結晶の製造方法 - 特許庁
GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
III−V族化合物半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
ORGANIC SEMICONDUCTOR, PHOTOELECTRIC TRANSDUCER, IMAGING ELEMENT AND NEW COMPOUND例文帳に追加
有機半導体、光電変換素子、撮像素子及び新規化合物 - 特許庁
APPARATUS FOR PRODUCTION OF COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND ITS PRODUCTION例文帳に追加
化合物半導体単桔晶の製造装置及びその製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND EPITAXIAL LAYER, AND SEMICONDUCTOR LAMINATE STRUCTURE例文帳に追加
化合物エピタキシャル層の製造方法および半導体積層構造 - 特許庁
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