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DLTSを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 9



例文

DLTS SAMPLE STRUCTURE, DLTS MEASURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

DLTSサンプル構造、DLTS測定方法および半導体デバイス - 特許庁

SCHOTTKY JUNCTION FOR DLTS MEASUREMENT AND ITS PREPARATION METHOD例文帳に追加

DLTS測定用ショットキ接合とその調製方法 - 特許庁

To provide a DLTS sample structure, a DLTS measuring method, and a semiconductor device for detecting an impurity coming into a semiconductor layer during a process.例文帳に追加

プロセス中に半導体層中に混入された不純物を検出することができるDLTSサンプル構造、DLTS測定方法および半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a DLTS measuring electrode in which false peak does not appear when performing measurement.例文帳に追加

測定時において疑似ピークが現れないDLTS測定用電極を提供する。 - 特許庁

例文

This applies to most modern drives, including DATs, 8mm helical scan drives, DLTs, etc. 例文帳に追加

DAT、8mm ヘリカルスキャンドライブ、 DLT などの最近のドライブのほとんどは可変長ブロックモードに対応しているから。 - JM


例文

In the evaluating method for evaluating the N-type silicon epitaxial wafer, at least a density of deep level due to metal impurities in the N-type silicon epitaxial wafer is measured by a DLTS method.例文帳に追加

また、N型シリコンエピタキシャルウエーハを評価する方法、製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, platinum is diffused to a wafer that has been subjected to the RTA heat treatment, and platinum concentration is measured by the DLTS method, thus obtaining atomic void concentration V.例文帳に追加

次にこのRTA熱処理を行ったウェーハに白金を拡散しDLTS法にて白金濃度を測定することにより原子空孔濃度Vを求める。 - 特許庁

The DLTS measurement is performed, by grounding the rear surface side of the substrate 22 and applying a reverse bias voltage which changes in pulse to the Schottky electrode 23, to detect a signal based on a transit phenomenon occurring in a depletion layer 24 within the substrate 22.例文帳に追加

DLTS測定は、基板22の裏面側をグランドに接地して、ショットキー電極23にパルス状に変化する逆バイアス電圧を印加し、基板22中の空乏層24内に生じる過渡現象に基づく信号を検出することにより行われる。 - 特許庁

例文

In the evaluation by the DLTS method, variation in electrostatic capacity is measured while the temperature is varied and the density of deep level due to the metal impurities in which a peak temperature at which the variation in the electrostatic has a peak is 170K is evaluated.例文帳に追加

少なくとも、N型シリコンエピタキシャルウエーハ中の金属不純物による深い準位の濃度をDLTS法によって評価するN型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法であって、前記DLTS法による評価において、温度を変化させながら静電容量の変化を測定して、該静電容量の変化がピークを示すピーク温度が170Kとなる金属不純物による深い準位の濃度を評価するN型シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法。 - 特許庁




  
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