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EB lithographyの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
Patterns for a semiconductor device are delineated by using the EB lithography system.例文帳に追加
ＥＢ描画装置を用いて半導体装置のパターンを描画する。 - 特許庁
To provide a method of forming a proper resist pattern by EB (electron beam) direct lithography and proper circuit pattern thereafter in a manufacturing process of semiconductor devices, etc., using the EB (electron beam) direct lithography, which coats the entire substrate uniformly with an EB (electron beam) direct lithography resist even in the presence of electrodes having a gold layer and wirings on the substrate.例文帳に追加
EB（電子線）直接描画を用いる半導体装置等の製造プロセスにおいて、基板上に金（Au）層を有する電極、配線が存在しても基板全体に均一にEB直接描画用レジストが塗布でき、EBの直接描画による良好なレジストパターン形成、その後の良好な回路パターンの形成を可能とした方法を提供する。 - 特許庁
The photoresist composition can especially be used as a chemical amplification type photoresist composition suitable for ArF or KrF excimer laser lithography, ArF immersion exposure lithography, EB exposure lithography, and EUV exposure lithography.例文帳に追加
特に、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザリソグラフィならびにＡｒＦ液浸露光リソグラフィ、ＥＢ露光リソグラフィ、ＥＵＶ露光リソグラフィに好適な化学増幅型フォトレジスト組成として用いることができる。 - 特許庁
Patterns are delineated on a semiconductor device or on a mask for photolithography by using an EB lithography system.例文帳に追加
ＥＢ描画装置を用いて半導体装置や写真製版用マスクにパターンを描画する。 - 特許庁
A round base plate 11 having a resist for electron beam lithography is rotated in the X direction, then an electron beam EB scans it radially (Y direction) from Y1 to Y2.例文帳に追加
電子ビーム描画用レジスト12を有する円形基板11をＸ方向に回転させながら、電子ビームEBを基板径方向（Ｙ方向）にＹ1からＹ2まで走査させる。 - 特許庁
EB LITHOGRAPHY SYSTEM, SEMICONDUCTOR DEVICE, MASK FOR PHOTOLITHOGRAPHY, METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE MASK FOR PHOTOLITHOGRAPHY例文帳に追加
ＥＢ描画装置、半導体装置、写真製版用マスク、半導体装置の製造方法、および写真製版用マスクの製造方法 - 特許庁
To provide a near-field exposing method with which the pattern of a fine opening formed on an exposure mask can be accurately and efficiently exposed, with proximity EB lithography, to 1:1 with respect to an object to be exposed.例文帳に追加
露光用マスク上に形成された微小開口のパターンを、被露光物に対して正確に効率よく、１：１に等倍露光することが可能となる近接場露光方法を提供する。 - 特許庁
To minimize the total length of boundary lines for main fields and sub-fields formed in an effective pattern region per chip area, in a semiconductor device manufactured by using an EB lithography system.例文帳に追加
本発明はＥＢ描画装置を用いて製造される半導体装置に関し、有効なパターン領域内に形成されるメインフィールドやサブフィールドの境界線の総延長を、チップ面積に対して最短化することを目的とする。 - 特許庁
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