「GaN」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DIRECT BONDING METHOD OF GaN/GaN例文帳に追加

ＧａＮ／ＧａＮの直接接合方法 - 特許庁

Title: Shishineko no gan, Jikishotokuhon no gan, Kenenjosho no gan, Fukasuisha no gan and Yokushokasui no gan 例文帳に追加

願名…至心廻向の願・植諸徳本の願・係念定生の願・不果遂者の願・欲生果遂の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Tokukongoshin no gan and Naraenshin no gan 例文帳に追加

願名…得金剛身の願・那羅延身の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Jojukeraku no gan and Jurakumuzen no gan 例文帳に追加

願名…常受快楽の願・受楽無染の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Monmyogukon no gan and Shokongusoku no gan 例文帳に追加

願名…聞名具根の願・諸根具足の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Further, the upper part of the GaN layer 5 is processed into GaN pillars 5a, and a new GaN layer 7 is grown by crystal growth, until the surface thereof is made planarized.例文帳に追加

さらに、GaN層５の上部をGaN柱５ａに加工し新たなGaN層７を表面が平坦化するまで結晶成長させる。 - 特許庁

Title: Shishinhogan no gan, Shushokudoku no gan, Rinjugenzen no gan, Genzendosho no gan, Raigoinjo no gan and Shishinhogan no gan 例文帳に追加

願名…至心発願の願・修諸功徳の願・臨終現前の願・現前導生の願・来迎引接の願・至心発願の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

GaN-BASED LASER DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系レーザ素子 - 特許庁

GAN CONTROL AMPLIFIER例文帳に追加

利得制御増幅器 - 特許庁

GaN SYSTEM SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＮ系半導体 - 特許庁

GaN CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ結晶基板 - 特許庁

Title: Monmyobongyo no gan and Joshubongyo no gan 例文帳に追加

願名…聞名梵行の願・常修梵行の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Saraichikyo no gan and Nintenchikyo no gan 例文帳に追加

願名…作礼致敬の願・人天致敬の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Monmyoshoki no gan and Shosonkike no gan 例文帳に追加

願名…聞名生貴の願・生尊貴家の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Monmyogutoku no gan and Gusokutokuhon no gan 例文帳に追加

願名…聞名具徳の願・具足徳本の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Monmyofutai no gan and Tokufutaiten no gan 例文帳に追加

願名…聞名不退の願・得不退転の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加

GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁

Title: Gensoeko no gan, Hisshifusho no gan and Isshofusho no gan 例文帳に追加

願名…還相廻向の願・必至補処の願・一生補処の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The GaN layer 19 is selectively grown for about 10 μm.例文帳に追加

GaN層19を10μm程度選択成長させる。 - 特許庁

The GaN layer 16 is selectively grown for about 6 μm.例文帳に追加

GaN層16を6μm程度選択成長させる。 - 特許庁

The grown GaN can be used as a GaN substrate.例文帳に追加

これもＧａＮ基板とすることができる。 - 特許庁

Title: Banmotsugonjo no gan and Shoshuenshin no gan 例文帳に追加

願名…万物厳浄の願・所須延身の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Dojoju no gan and Kendojoju no gan 例文帳に追加

願名…道場樹の願・見道場樹の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Bensaimujin no gan and Chibenmukyu no gan 例文帳に追加

願名…弁才無尽の願・智辯無窮の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Monmyokenbutsu no gan and Jujokenbutsu no gan 例文帳に追加

願名…聞名見仏の願・住定見仏の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Pardon me, general gan例文帳に追加

お赦しを 甘将軍 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The GaN substrate 30 can be separated easily when the contact area (GaN layer 31) with the original substrate 1 is decreased.例文帳に追加

GaN基板30は元基板1との接触面(GaN層31)を小さくしておけば、分離が容易である。 - 特許庁

Title: Zuiimonpo no gan 例文帳に追加

願名…随意聞法の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Jinsokunyo no gan and Jinsokuchitsu no gan 例文帳に追加

願名…神足如意の願・神足智通の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Monmyotokujo no gan and Jujokubutsu no gan 例文帳に追加

願名…聞名得定の願・住定供仏の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Ryotokutengen no gan and Tengenchitsu no gan 例文帳に追加

願名…令得天眼の願・天眼智通の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Myokogojo no gan and Hokogojo no gan 例文帳に追加

願名…妙香合成の願・宝香合成の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Hisshimetsudo no gan 例文帳に追加

願名…必至滅度の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Kuyonyoi no gan 例文帳に追加

願名…供養如意の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Monmyotokunin no gan 例文帳に追加

願名…聞名得忍の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Title: Kenshobutsudo no gan 例文帳に追加

願名…見諸仏土の願 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 12, an InGaN/GaN active layer 14, a p-type GaN layer 16, and a transparent electrode layer 18 are stacked to constitute a light-emitting diode.例文帳に追加

sapphire基板１０の上にｎ型GaN層１２、InGaN/GaN活性層１４、ｐ型GaN層１６、透明電極層１８を積層して発光ダイオードを構成する。 - 特許庁

To provide a relatively convenient direct bonding method of GaN/GaN in which even the bonding surfaces of GaN having protrusions and recesses can be bonded directly.例文帳に追加

たとえ凹凸を有するGaN接合表面同士の直接接合でも可能とする比較的簡便なGaN/GaNの直接接合方法を提供することである。 - 特許庁

Title: Shobutsushomyo no gan, Shobutsushoyo no gan, Shobutsushosan no gan, Shobutsushisha no gan, Osoeko no gan, Senchakushomyo gan (選択称名願), Ososhogyo (往相正業) (sorted by summarized test) 例文帳に追加

願名…諸仏称名の願・諸仏称揚の願・諸仏称讃の願・諸仏咨嗟の願・往相廻向の願・選択称名願・往相正業（略文類） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

GaN BASED LED ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤ素子 - 特許庁

GaN-BASED LED CHIP例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤチップ - 特許庁

Then, the GaN layer 19 is selectively grown for about 10 μm.例文帳に追加

次に、GaN層19を10μm程度選択成長させる。 - 特許庁

GaN SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

ＧａＮ系半導体レーザ - 特許庁

POLISHING METHOD OF GaN AND POLISHING AGENT FOR GaN例文帳に追加

ＧａＮの研磨方法及びＧａＮ用研磨剤 - 特許庁

SINGLE CRYSTAL GaN SUBSTRATE例文帳に追加

単結晶ＧａＮ基板 - 特許庁