| 例文 (10件) |
H3 (film)の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
The external connection terminal 221 includes a conductive film formed on the inner-wall surface of the contact hole H3, the surface layer 294, and wiring 244 at a part exposed into the contact hole H3.例文帳に追加
外部接続端子２２１は、コンタクトホールＨ３の内壁面と表層２９４上とコンタクトホールＨ３内に露出した部分の配線２４４とにわたって形成された導電膜を含んでいる - 特許庁
Next, the joining terminal 24 and a conductive film M that will become a conductive pattern (rearrangeable wiring 42, etc.) are formed in a lump onto the hole H3 and to that position on the active surface which continues into the hole H3, and then, the surface of the conductive film M is ground to make uniform the thickness of the conductive film M.例文帳に追加
次に、前記孔部Ｈ３及びこの孔部Ｈ３に連なる能動面上の位置に、接続端子２４及び導電パターン（再配置配線４２等）となる導電膜Ｍを一括で形成し、続いて、この導電膜Ｍの表面を研磨して該導電膜Ｍの膜厚を均一化する。 - 特許庁
With respect to a coil film 27 placed in the top layer, a film thickness H1 of coil parts 271 closest to ABSs 13 and 14 is thinner than a film thickness H3 of a coil part 273 placed in the middle part.例文帳に追加
最上層に位置するコイル膜２７は、ＡＢＳ１３、１４に最も近いコイル部分２７１の膜厚Ｈ１が、中間部に位置するコイル部分２７３の膜厚Ｈ３よりも小さい。 - 特許庁
The surface of a semiconductor substrate 10 in a predetermined region of thin oxide film formation is made higher by H3 than the surface of a semiconductor substrate 10 in a predetermined region of thick oxide film formation.例文帳に追加
厚い酸化膜形成予定領域における半導体基板１０表面の高さより、薄い酸化膜形成予定領域における半導体基板１０表面に高さを、Ｈ３だけ高くする。 - 特許庁
Thin film patterns 12, 15 or a common wiring 3 made of a first conductive film is formed in substantially entire regions on the bottom layers of the regions H1, H2, H3 so that the heights from a substrate 1 may be substantially the same.例文帳に追加
この領域Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３の下層のほぼ全領域に、基板１からの高さがほぼ同じになるように第１の導電膜からなる薄膜パターン１２、１５または共通配線３が形成されている。 - 特許庁
A thickness h3 of the anisotropic conductive film 16 for circuit connection is less than or equal to the total of a height h1 of the circuit electrode 12b and a height h2 of the circuit electrode 14b.例文帳に追加
回路接続用異方導電フィルム１６の厚みｈ３は、回路電極１２ｂの高さｈ１と回路電極１４ｂの高さｈ２との合計以下である。 - 特許庁
A liquid crystal panel 2 having the protective films 27a, 27b attached to both surfaces in the thickness direction is held by holding hands H21, H22, and the protective film 27b is peeled by a peeling hand H3 and a peeling robot R3.例文帳に追加
厚み方向両表面に保護フィルム２７ａ，２７ｂが貼着された液晶パネル２は、保持ハンドＨ２１，Ｈ２２に保持され、剥離ハンドＨ３および剥離ロボットＲ３によって保護フィルム２７ｂが剥離される。 - 特許庁
A transparent electrode pad 19 extends from a second contact hole H2 on a flattening film 15 so as to be superposed on a common potential wire 18, and is connected to the common potential wire 18 via a third contact hole H3 formed on the flattening film 15.例文帳に追加
透明電極パッド１９は第２のコンタクトホールＨ２から平坦化膜１５上を共通電位配線１８上に重畳するように延在し、平坦化膜１５に形成された第３のコンタクトホールＨ３を介して共通電位配線１８に接続されている。 - 特許庁
An array substrate 100 has regions H1, H2, H3 in which an intermediate resist film thickness is formed and processed by an intermediate exposure amount which does not completely expose a resist 30, respectively on a drain electrode 8, source terminal 62 and a common connection wiring 46 which are made of a second conducive film.例文帳に追加
アレイ基板１００は、第２の導電膜からなるドレイン電極８、ソース端子６２、及び共通接続配線４６上に、レジスト３０を完全に露光しない中間的な露光量により、中間レジスト膜厚が形成されて加工された領域Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３をそれぞれ備えている。 - 特許庁
The ratio of the Young's modulus E3 to the hardness H3 in the intermediate layer 300 is larger than the ratio of the Young's modulus E2 to the hardness H2 in the substrate 200 but smaller than the ratio of the Young's modulus E4 to the hardness H4 in the DLC film 400.例文帳に追加
中間層３００における硬さＨ２のヤング率Ｅ２に対する比は、基材２００における硬さＨ２のヤング率Ｅ２に対する比よりも大きく、ＤＬＣ膜４００における硬さＨ４のヤング率Ｅ４に対する比よりも小さい。 - 特許庁
| 例文 (10件) |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
