「LEC」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In this irrigation pipe 10, the outer peripheral surface of a pipe body 14 having water discharge holes 12 formed in the wall part at predetermined intervals is covered with a water absorption cloth 16 having a water absorption rate of 20 mm or longer in averaged value by Bayh Lec method in the water absorbency test method for textiles specified in JIS L 1907.例文帳に追加

壁部に所定間隔毎に水流出孔１２が形成されたパイプ本体１４の外周面に、ＪＩＳ Ｌ １９０７に規定された繊維製品の吸水性試験方法におけるバイレック法による吸水速度の平均値が２０ｍｍ以上の吸水布１６を被覆した灌水パイプ１０とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal, which can prevent polycrystallization by optimizing the shape of the solid-liquid interface of the growing crystal in the production of a large-diameter compound semiconductor single crystal of a crystal diameter φ of 200 mm or more by an LEC method (Liquid Encapsulated Czochralski method).例文帳に追加

ＬＥＣ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）により結晶径φ２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound semiconductor single crystal which employs a technique applied for a crystal growth method using an LEC method and by which the evaporation of the structural component of growing crystal is easily prevented to thereby grow a large-sized ZnTe based compound semiconductor single crystal with excellent crystal quality.例文帳に追加

ＬＥＣ法を利用した結晶成長法に適用できる技術であって、成長結晶の構成成分が蒸発するのを容易に防止して、大型のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶を優れた結晶品質で成長できる化合物半導体単結晶の製造方法及び結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

To highly reproducibly control the solid/liquid interface temperature gradient in the crystal growth direction throughout the entire growth process so as for the interface profile to be convex toward the melt side to thereby markedly improve the yields of a compound semiconductor single crystal in the growth of the compound semiconductor crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での化合物半導体単結晶の成長において、固液界面の結晶成長方向の温度勾配を適正値に規定することにより、成長過程全般での固液界面形状を、再現性良く融液側に凸形状に制御し、これにより化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる。 - 特許庁