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MOS memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 201件
When a metal wiring layer connected with a gate layer is formed above the gate layer in order to transmit an electric signal to the gate layer of a MOS transistor formed in a functional circuit region adjacent to the cell formation region of an SRAM memory cell, the metal wiring layer is arranged in a layer different from a wordline layer formed above the gate layer at a metal damascene process using a second metal damascene process.例文帳に追加
SRAMメモリセルのセル形成領域に隣接した機能回路領域に形成されるMOSトランジスタのゲート層に電気的信号を伝達するために前記ゲート層と接続される金属配線層を前記ゲート層の上方に形成する場合に、前記ゲート層の上方に金属ダマシン工程で形成されるワードライン層とは互いに異なる層で第2の金属ダマシン工程を用いて前記金属配線層を配置する。 - 特許庁
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