| 意味 | 例文 (7件) |
Quantum Annealingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
The metal quantum dots 8 are made of Pt, and formed on the insulating film 5 by annealing a Pt thin film by thermal plasma jet.例文帳に追加
金属量子ドット８は、Ｐｔからなり、Ｐｔ薄膜を熱プラズマジェットによってアニールして絶縁膜５上に形成される。 - 特許庁
To suppress variations in the band gaps in a quantum well active layer and the diffusion of Zn, i.e., P-type dopant, into the quantum well active layer in thermal annealing treatment.例文帳に追加
熱アニール処理による量子井戸活性層内のバンドギャップのばらつき、および、Ｐ型ドーパントのＺｎの量子井戸活性層への拡散を抑制する - 特許庁
A quantum well active layer 1104 is provided with a disordered region 1104b formed by an annealing processing in a state where a dielectric film 1601 is formed only in the opening part 1107h.例文帳に追加
量子井戸活性層１１０４は、開口部１１０７ｈ内にのみ誘電体膜１６０１を形成した状態でのアニール処理により形成された無秩序化領域１１０４ｂを備える。 - 特許庁
Since Al and N are strongly joined with each other after annealing, electric conductivity is lowered, and a band gap is increased because of the crystal mixing effect of guide layers 3 and 5 and the quantum well layer 4 so as to form a current block layer.例文帳に追加
アニール後にAlとNが強く結合するために電気伝導率が低下し、さらにガイド層3,5と量子井戸層4との混晶効果によりバンドギャップが増大し、電流ブロック層となる。 - 特許庁
In this method, after manufacturing a quantum well structure 25, annealing 27 and the growth of a second conductivity group III-V compound semiconductor region 29 are executed using an organometallic vapor growth furnace 11.例文帳に追加
この方法では、量子井戸構造２５を作製後、有機金属気相成長炉１１を用いて熱処理２７と第２導電型ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体領域２９の成長とを行う。 - 特許庁
Since the annealing of the quantum well structure 25 and thermal cleaning prior to the growth of the second conductivity group III-V compound semiconductor region 29 are executed in the organometallic vapor growth furnace 11, a process is simplified.例文帳に追加
有機金属気相成長炉１１において、量子井戸構造２５のアニールと、第２導電型ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体領域２９の成長に先立つ熱クリーニングとを行うので、工程を簡素化できる。 - 特許庁
To obtain a highly efficient semiconductor laser having a sufficiently high optical output causing the generation of end-face destruction and reducing a threshold current in constituting disordering quantum wells and forming a window structure by injecting impurities into an active layer end face area and annealing the impurities.例文帳に追加
活性層端面領域に不純物を注入してアニールすることにより、量子井戸を無秩序化して窓構造を形成した構成において、端面破壊を生じる光出力が十分高く、しきい値電流の低い高効率な半導体レーザを得る。 - 特許庁
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