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SILICON OXIDE FILMの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4223件
SILICON OXIDE FILM例文帳に追加
ケイ素酸化膜 - 特許庁
SILICON OXIDE FILM例文帳に追加
ケイ素酸化物被膜 - 特許庁
The first silicon oxide film is thicker than the second silicon oxide film.例文帳に追加
第１シリコン酸化膜は第２シリコン酸化膜よりも厚い。 - 特許庁
SILICON OXIDE FILM REMOVAL METHOD例文帳に追加
シリコン酸化膜除去方法 - 特許庁
A silicon oxide film (82) is polished from above the silicon oxide film (82).例文帳に追加
シリコン酸化膜（８２）上からシリコン酸化膜（８２）を研磨する。 - 特許庁
The dielectric film of the capacity element 53 includes the silicon oxide film 25 (thermal oxide film), the silicon oxide film 37 (HTO film) and the silicon oxide film 31 (thermal oxide film).例文帳に追加
容量素子５３の誘電体膜は、シリコン酸化膜２５（熱酸化膜）、シリコン酸化膜３７（ＨＴＯ膜）およびシリコン酸化膜３１（熱酸化膜）を含む。 - 特許庁
PRODUCTION METHOD OF SILICON OXIDE FILM例文帳に追加
シリコン酸化膜の製造方法 - 特許庁
METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加
シリコン酸化膜の堆積方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF SILICON OXIDE FILM例文帳に追加
シリコン酸化膜の製造方法 - 特許庁
METHOD OF DEPOSITING SILICON OXIDE FILM例文帳に追加
シリコン酸化膜の成膜方法 - 特許庁
The second silicon oxide film and the silicon nitride film are etched.例文帳に追加
第２酸化シリコン膜と窒化シリコン膜をエッチングする。 - 特許庁
SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD, SILICON OXIDE FILM AND INK JET HEAD例文帳に追加
酸化シリコン膜の形成方法と酸化シリコン膜およびインクジェットヘッド - 特許庁
METHOD OF FORMING SILICON OXIDE FILM AND SILICON NITRIDE OXIDE FILM, AND SILICON WAFER例文帳に追加
シリコン酸化膜およびシリコン窒化酸化膜の形成方法ならびにシリコンウエーハ - 特許庁
The dielectric film of the capacity element 55 includes the silicon oxide film 25 (thermal oxide film), the silicon oxide film 37 (HTO film), a silicon nitride film 29b and the silicon oxide film 31 (thermal oxide film).例文帳に追加
容量素子５５の誘電体膜は、シリコン酸化膜２５（熱酸化膜）、シリコン酸化膜３７（ＨＴＯ膜）、シリコン窒化膜２９ｂおよびシリコン酸化膜３１（熱酸化膜）を含む。 - 特許庁
The silicon nitride film 2 and the silicon nitride oxide film are patterned.例文帳に追加
シリコン窒化膜２とシリコン窒化酸化膜とをパターニングする。 - 特許庁
That is, by making the silicon oxide film contain Kr in it, stresses are relaxed in the silicon oxide film and the interface between the silicon oxide and a silicon.例文帳に追加
本発明のシリコン酸化膜は、シリコン酸化膜中にＫｒを含有することを特徴とする。 - 特許庁
The insulating film 5 consists of a stack having a silicon oxide film 5a, a silicon nitride film 5b formed on the silicon oxide film 5a, silicon oxide film 5c formed on the silicon nitride film 5b, and an insulating film 5d thinner than the silicon oxide film 5c and formed on the silicon oxide film 5c.例文帳に追加
この絶縁膜５は、酸化シリコン膜５ａと、その上に形成された窒化シリコン膜５ｂと、その上に形成された酸化シリコン膜５ｃと、その上に形成されかつ酸化シリコン膜５ｃよりも薄い絶縁膜５ｄとの積層膜からなる。 - 特許庁
DRY ETCHING METHOD OF SILICON OXIDE FILM例文帳に追加
シリコン酸化膜のドライエッチング方法 - 特許庁
A silicon oxide film 5 for filling the trench 1h is formed, so that the silicon oxide film 5 is brought into contact with the silicon oxide film 3.例文帳に追加
シリコン酸化膜３ｂに接するようにトレンチ１ｈを充填するシリコン酸化膜５を形成する。 - 特許庁
The silicon oxide film 42 has a film thickness larger than at least the step of the underlying third silicon oxide film 40.例文帳に追加
このため、第１のシリコン酸化膜も等方性エッチングをすることができる。 - 特許庁
FORMATION OF SILICON OXIDE FILM AND SILICON OXYNITRIDE FILM UNDER LOW PRESSURE例文帳に追加
低圧下のシリコン酸化膜及び酸窒化膜形成方法 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING SILICON OXIDE THIN FILM OR TITANIUM OXIDE THIN FILM例文帳に追加
シリコン酸化薄膜またはチタン酸化薄膜の製造方法 - 特許庁
FORMING METHOD OF SILICON OXIDE FILM, FORMING APPARATUS OF SILICON OXIDE FILM, AND PROGRAM例文帳に追加
シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラム - 特許庁
A crystalline silicon film used as the active layer, a first silicon oxide film, a second silicon oxide film, a third silicon oxide film overlying them, further a silicon nitride film overlying the third silicon oxide film, and the silicon nitride film are covered by a resin film in the semiconductor device.例文帳に追加
活性層となる結晶性珪素膜を、第１の酸化珪素膜、第２の酸化珪素膜、それらを覆う第３の酸化珪素膜と、さらに第３の酸化珪素膜を覆う窒化珪素膜、前記窒化珪素膜を樹脂膜で覆う。 - 特許庁
FILM FORMING MATERIAL FOR SILICON OXIDE FILM AND METHOD OF FORMING THE SILICON OXIDE FILM USING THE SAME例文帳に追加
シリコン酸化膜用成膜原料およびそれを用いたシリコン酸化膜の成膜方法 - 特許庁
PRODUCTION OF TITANIUM OXIDE-SILICON OXIDE MULTIPLE FILM例文帳に追加
酸化チタン−酸化珪素複合膜の製造方法 - 特許庁
After the first silicon oxide film is formed, a first silicon nitride film that covers the first silicon oxide film is formed.例文帳に追加
第１シリコン酸化膜を形成した後、第１シリコン酸化膜を覆う第１シリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁
Further, the method may include a silicon oxide film forming process for forming a silicon oxide film by oxidizing the silicon film after the heat treatment process and a silicon oxide film removing process for removing the silicon oxide film.例文帳に追加
また、熱処理工程後にシリコン膜を酸化して酸化シリコン膜とする酸化シリコン膜形成工程と、酸化シリコン膜を除去する酸化シリコン膜除去工程と、を含んでいてもよい。 - 特許庁
A silicon nitride film 16 is formed on a silicon oxide film 10.例文帳に追加
シリコン酸化膜１０にシリコン窒化膜１６が形成されている。 - 特許庁
A silicon nitride film 8 is formed on the silicon oxide film 5.例文帳に追加
シリコン酸化膜５上にシリコン窒化膜８が形成されている。 - 特許庁
The density of the silicon oxide film 421 is lower than that of the silicon oxide film 422.例文帳に追加
シリコン酸化膜４２１の密度は、シリコン酸化膜４２２の密度より小さい。 - 特許庁
A silicon oxide film 2 is formed on a silicon substrate 1, and a polycrystalline silicon film 3 is formed on the silicon oxide film 2.例文帳に追加
シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を形成し、このシリコン酸化膜２上に多結晶シリコン膜３を形成する。 - 特許庁
Then, a silicon nitride film 8 is formed on the silicon oxide film 4 and silicon nitride film 7.例文帳に追加
次に、シリコン酸化膜４及びシリコン窒化膜７上にシリコン窒化膜８を形成する。 - 特許庁
The intermediate insulation film of the split gate type memory transistor 51 includes a silicon oxide film 25 (thermal oxide film), a silicon oxide film 37 (HTO film), a side part insulation film 29a and a silicon oxide film 31 (thermal oxide film).例文帳に追加
スプリットゲート型メモリトランジスタ５１の中間絶縁膜は、シリコン酸化膜２５（熱酸化膜）、シリコン酸化膜３７（ＨＴＯ膜）、側部絶縁膜２９ａおよびシリコン酸化膜３１（熱酸化膜）を含む。 - 特許庁
Thereafter, the silicon oxide film 11 and the silicon oxide film 7 are CMP-processed until at least part of the silicon nitride film 5 is exposed under the silicon oxide film 7.例文帳に追加
その後、シリコン酸化膜５下からシリコン窒化膜５の少なくとも一部が露出するまで、シリコン酸化膜１１とシリコン酸化膜５とにＣＭＰ処理を施す。 - 特許庁
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