「cell memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

DYNAMIC MEMORY CIRCUIT INCLUDING SPARE CELL例文帳に追加

スペアセルを含むダイナミックメモリー回路 - 特許庁

The memory cell array 11 has a memory cell array group in which a plurality of memory cells are connected in series.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１は、メモリセルが複数個直列に接続されたメモリセル群を有する。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY CELL ARRAY, SELECTION METHOD OF MAGNETIC MEMORY CELL WRITE CURRENT AND MAGNETIC RESISTANCE ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気メモリセルのアレイ、磁気メモリセル書き込み電流選択方法および磁気抵抗アクセスメモリ - 特許庁

The first memory string includes a first memory cell and a second memory cell aligned along a first axis.例文帳に追加

第１メモリストリングは、第１軸に沿って並ぶ第１メモリセル及び第２メモリセルを含む。 - 特許庁

FLASH MEMORY, STRUCTURE OF FLASH MEMORY CELL AND ARRAY STRUCTURE例文帳に追加

フラッシュメモリ、フラッシュメモリセルの構造及びアレイ構造 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND RELIEVING METHOD FOR MEMORY CELL例文帳に追加

半導体記憶装置及びメモリセルの救済方法 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR PUMPING MEMORY CELL IN MEMORY例文帳に追加

メモリ内のメモリセルをポンピングする装置及び方法 - 特許庁

METHOD OF ARRANGING MEMORY CELL AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリセルの配置方法及び半導体記憶装置 - 特許庁

The memory cell array includes at least two memory banks.例文帳に追加

メモリセルアレイは、少なくとも二つのメモリバンクを含む。 - 特許庁

The dummy cell 16 simulates the operation of the memory cell 12.例文帳に追加

ダミーセル１６は、メモリセル１２の動作を模擬する。 - 特許庁

EVALUATION METHOD OF SRAM MEMORY CELL例文帳に追加

ＳＲＡＭメモリセルの評価方法 - 特許庁

The constitution of each first memory cell unit on the end side of a memory cell array is made different from that of each memory cell unit on the end side of the memory cell array.例文帳に追加

そして、前記第１のメモリセルユニットの前記メモリセルアレイ端側の構成が前記第２のメモリセルユニットと異なることを特徴とする。 - 特許庁

MEMORY CELL FILAMENT ELECTRODE AND METHOD例文帳に追加

メモリセルフィラメント電極及び方法 - 特許庁

MEMORY CELL AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加

メモリセル及び半導体記憶装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセルの製造方法 - 特許庁

COMPLEMENTARY OUTPUT RESISTIVE MEMORY CELL例文帳に追加

相補出力型抵抗性メモリセル - 特許庁

CIRCUIT FOR SENSING MEMORY CELL RESISTIVE STATE例文帳に追加

メモリセル抵抗状態感知回路 - 特許庁

DRAM (DYNAMIC/RANDOM ACCESS MEMORY) CELL例文帳に追加

ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）セル - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL AND OPERATING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリーセルと動作方法 - 特許庁

ISOLATION OF MEMORY CELL IN INTERSECTION POINT ARRAY例文帳に追加

交点アレイ内のメモリセルの分離 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY CELL AND FERROELECTRIC MEMORY CELL例文帳に追加

強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ素子 - 特許庁

A memory cell has a chalcogenide random access memory, CRAM, cell 40 and a CMOS circuit.例文帳に追加

メモリセルはカルコゲニドランダムアクセスメモリ（CRAM）セル４０とCMOS回路とを有している。 - 特許庁

The semiconductor memory is provided with a memory cell array including dynamic memory cells.例文帳に追加

半導体メモリは、ダイナミックメモリセルを有するメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR WRITING IN MEMORY CELL IN MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリ装置およびメモリ装置における記憶セルへの書き込み方法 - 特許庁

This memory test circuit 41 is provided on the semiconductor memory device which includes a memory cell and a redundancy cell for relieving the memory cell by replacing it when this memory cell is defective memory cell.例文帳に追加

本発明にかかるメモリテスト回路４１は、メモリセルと、当該メモリセルが不良メモリセルである場合に置き換えて救済するための冗長セルとを有する半導体メモリ装置に設けられている。 - 特許庁

For this reason, the memory cell of the redundant information area operates quickly compared with the memory cells of the memory cell area and the redundant memory cell area.例文帳に追加

このため、冗長情報領域のメモリセルは、メモリセル領域、冗長メモリセル領域のメモリセルに比べ早く動作する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY CELL例文帳に追加

強誘電メモリ・セルの製造方法 - 特許庁

MEMORY CELL, AND NONVOLATILE STORAGE DEVICE例文帳に追加

メモリセル及び不揮発性記憶装置 - 特許庁

ONE-TRANSISTOR CELL FeRAM MEMORY ARRAY例文帳に追加

１トランジスタセルＦｅＲＡＭメモリアレイ - 特許庁

To provide a random access memory cell.例文帳に追加

ランダム・アクセス・メモリ・セルを提供する。 - 特許庁

FLOATING TRAP TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

浮遊トラップ型不揮発性メモリ素子 - 特許庁

MAGNETIC STORAGE CELL AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイス - 特許庁

METHOD FOR READING NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセルの読出し方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY CELL RECOVERY METHOD例文帳に追加

半導体記憶装置およびメモリセルの救済方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING STATIC MEMORY CELL例文帳に追加

半導体メモリおよびスタティックメモリセルの製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND SENSING METHOD OF DATA OF MEMORY CELL例文帳に追加

半導体記憶装置及びメモリセルのデータセンス方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND LAYOUT METHOD OF MEMORY CELL例文帳に追加

半導体記憶装置およびメモリセルのレイアウト方法 - 特許庁

A complementary memory cell consists of two memory units MU.例文帳に追加

相補型メモリセルは、２つのメモリユニットＭＵから成る。 - 特許庁

A flash/EEPROM memory cell having the same structure as a memory cell M1 is used as a memory cell RM1 for reference.例文帳に追加

リファレンス用メモリーセルＲＭ１として、メモリーセルＭ１と同じ構造のフラッシュ／ＥＥＰＲＯＭメモリーセルを用いる。 - 特許庁

Also, when a stand-by failure occurs in the memory cell 1 in a certain column, the memory cell is substituted with a redundant memory cell.例文帳に追加

また、ある列のメモリセル１にスタンバイ不良が発生すると、このメモリセルは冗長メモリセルに置換される。 - 特許庁

To provide a memory in which electrical/physical states caused are same between a redundant memory cell replaced for a memory cell and a redundant memory cell (and a memory cell) positioning close to the redundant memory cell, in either case that a memory cell is replaced by a redundant memory cell or not replaced.例文帳に追加

メモリセルが冗長メモリセルに置換された場合と置換されない場合とで、メモリセルを置換した冗長メモリセルとその冗長メモリセルの近傍にある冗長メモリセル（及びメモリセル）との間に生じる電気的物理的状態が同一であるメモリを提供する。 - 特許庁

The memory cell block has plural memory cell strings in which memory cells are arranged in the one direction and a redundant memory cell string for relieving defects of these memory cell strings.例文帳に追加

メモリセルブロックは、メモリセルが一方向に配置された複数のメモリセル列およびこれ等メモリセル列の不良を救済するための冗長メモリセル列を有している。 - 特許庁

A memory cell is refreshed successively for each of a plurality of memory cell blocks 2071-2074, and a refresh defect memory cell is also refreshed when the memory cell of the other memory cell blocks with the same row address as the refresh defect memory cell is to be refreshed when the refresh defect memory cell exists.例文帳に追加

複数のメモリセルブロック２０７_1〜２０７_4毎にメモリセルを順次リフレッシュし、リフレッシュ欠陥メモリセルが存在する場合には、リフレッシュ欠陥メモリセルと同一のローアドレスを有する他のメモリセルブロックのメモリセルをリフレッシュする時にリフレッシュ欠陥メモリセルも共にリフレッシュする。 - 特許庁

A defective memory cell RM 1 is intentionally built into a redundant memory cell part 50.例文帳に追加

冗長メモリセル部５０に、意図的に不良メモリセルＲＭ１を作り込む。 - 特許庁

This memory cell may then be replaced with a redundant memory cell.例文帳に追加

このメモリ・セルは、次に冗長メモリ・セルにより置き換えられることができる。 - 特許庁