「cell memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

MEMORY CELL ARRAY AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加

メモリセルアレイ及び半導体記憶装置 - 特許庁

In other embodiments, the MLC memory cell comprises an MLC flash memory cell.例文帳に追加

他の実施形態においては、ＭＬＣメモリセルは、ＭＬＣフラッシュメモリセルを備える。 - 特許庁

LAYOUT OF METAL LINE IN MEMORY CELL例文帳に追加

メモリ・セルにおける金属ラインのレイアウト - 特許庁

The memory cell 10 has a memory cell active region 20 having a minute plane pattern width and a memory cell element isolation region 18.例文帳に追加

メモリセル部１０は、微細な平面パターン幅のメモリセル活性領域２０及びメモリセル素子分離領域１８を有する。 - 特許庁

NONVOLATILE FLASH MEMORY CELL OF SINGLE GATE例文帳に追加

単一ゲートの不揮発性フラッシュメモリセル - 特許庁

SELECTION OF MEMORY CELL IN DATA STORAGE DEVICE例文帳に追加

データ記憶装置内のメモリセルの選択 - 特許庁

LOW-POWER FLASH MEMORY CELL AND METHOD例文帳に追加

低電力フラッシュメモリセルおよび方法 - 特許庁

IMPROVED PROGRAMMING METHOD FOR MEMORY CELL例文帳に追加

メモリセルの改善されたプログラミング方法 - 特許庁

FLOATING BODY MEMORY CELL HAVING DOUBLE GATE例文帳に追加

二重ゲートを有する浮遊ボディメモリセル - 特許庁

METHOD FOR STORING DATA IN MEMORY CELL CIRCUIT, MEMORY CELL CIRCUIT, SYSTEM FOR WRITING DATA IN MEMORY CELL, AND SYSTEM FOR SUPPLYING SIGNAL例文帳に追加

メモリセル回路にデータを格納する方法、メモリセル回路、データをメモリセルに書き込むシステム、及び信号を供給するシステム - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH CAPACITOR, METHOD OF MANUFACTURING MEMORY CELL, TRENCH CAPACITOR AND MEMORY CELL例文帳に追加

トレンチキャパシタの製造方法、メモリセルの製造方法、トレンチキャパシタ、およびメモリセル - 特許庁

Any active cell for that particular memory例文帳に追加

その特定の記憶を司る細胞は - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

a memory cell in a computer called magnetic core 例文帳に追加

コンピューターで,磁気コアという記憶素子 - EDR日英対訳辞書

To inhibit the lowering of the coupling ratio of a memory cell, and to improve the characteristics of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルのカップリング比の低下を抑制し、メモリセルの特性を向上する。 - 特許庁

A plurality of memory cells are arranged in a matrix state in a memory cell array 1, the memory cell array 1 has a memory cell MC1 to be read out and memory cells MC2 to MC4 arranged adjacent to the memory cell 1.例文帳に追加

メモリセルアレイ１には複数のメモリセルが行列状に配列されており、メモリセルアレイ１は、読み出し対象のメモリセルＭＣ１と、メモリセルＭＣ１に隣接して配置されたメモリセルＭＣ２〜ＭＣ４を有する。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with a memory cell array which is sectioned into blocks, redundant memory cells which replaces a defective memory cell in the memory cell array, and a redundant memory cell selecting circuit which replaces a defective memory cell by a redundant memory cell.例文帳に追加

半導体記憶装置には、複数のブロックに区画されたメモリセルアレイ、このメモリセルアレイ内の不良メモリセルと置換される冗長メモリセル及び前記不良メモリセルと前記冗長メモリセルとの置換を行う冗長メモリセル選択回路が設けられている。 - 特許庁

MEMORY CELL, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND MICROCOMPUTER HAVING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリセル、半導体メモリ装置、及び半導体メモリ装置を備えたマイクロコンピュータ - 特許庁

When a memory cell A of (n) row (m) column of the main memory is assumed to be a defective cell, data to be written in this memory cell A is previously written in a memory cell A of the (m) column of a spare memory.例文帳に追加

主メモリのｎ行、ｍ列のメモリセルＡが不良であるとすると、このメモリセルＡに書いておくべきデ−タを予備メモリのｍ列のメモリセルＡに予め書いておく。 - 特許庁

In a semiconductor memory device having plural memory cell blocks (BLK0-BLK3), each of the memory cell blocks is provided with a regular memory cell array 1, a redundant memory cell array 2 and a column decoder 8.例文帳に追加

複数のメモリセルブロック（ＢＬＫ０〜ＢＬＫ３）を有する半導体メモリ装置であって、各メモリセルブロックはレギュラーメモリセルアレイ１と、冗長メモリセルアレイ２と、カラムデコーダ８とを有する。 - 特許庁

Also, the redundant control circuit invalidates a memory cell column corresponding to a defective memory cell column in the other memory block, and validates a redundant memory cell column instead of these memory cell columns.例文帳に追加

また、冗長制御回路は、その他のメモリブロックにおいて、不良メモリセル列に対応するメモリセル列を無効にし、これ等メモリセル列の代わりに冗長メモリセル列を有効にする。 - 特許庁

LAMINATED GATE STRUCTURE FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY CELL, NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NOR TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の積層ゲート構造体、不揮発性メモリセル、不揮発性メモリ装置、ＮＯＲ型不揮発性メモリセル - 特許庁

To relax stress to a memory cell and increase reliability of a memory.例文帳に追加

メモリセルへのストレスを緩和し、メモリの信頼性を高める。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell MC and bit line sense amplifiers 7B.例文帳に追加

メモリセルＭＣと、ビット線センスアンプ７Ｂとを備える。 - 特許庁

Furthermore, a memory storage provided with this memory cell is disclosed.例文帳に追加

また、このメモリセルを備えた記憶装置として構成した。 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY CELL AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性メモリセル及び不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

FLASH MEMORY ELEMENT HAVING DUMMY CELL AND METHOD FOR ERASING FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ダミーセルを有するフラッシュメモリ素子及びその消去方法 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT, PHASE CHANGE CHANNEL TRANSISTOR AND MEMORY CELL ARRAY例文帳に追加

相変化メモリ素子、相変化チャンネルトランジスタおよびメモリセルアレイ - 特許庁

METHOD AND MEMORY CIRCUIT FOR OPERATING RESISTIVE MEMORY CELL例文帳に追加

抵抗メモリセルを動作させるための方法およびメモリ回路 - 特許庁

A memory cell array(100) having a parallel memory planes is developed.例文帳に追加

平行なメモリプレーンを持つメモリセルアレイ（１００）が開示される。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF NOR-TYPE MEMORY CELL OF NON- VOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

非揮発性メモリ素子のＮＯＲ型メモリセルの製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS DEFECTIVE MEMORY CELL RELIEVING METHOD例文帳に追加

半導体記憶装置及びその不良メモリセル救済方法 - 特許庁

The semiconductor memory is provided with an SRAM memory cell.例文帳に追加

半導体記憶装置はＳＲＡＭメモリセルを備えている。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes a memory cell array and the page buffer.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置はメモリセルアレイとページバッファを含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD OF FBC MEMORY CELL例文帳に追加

半導体記憶装置およびＦＢＣメモリセルの駆動方法 - 特許庁

SENSING APPARATUS AND METHOD FOR MULTIBIT MEMORY CELL IN MEMORY ARRAY例文帳に追加

メモリアレイのマルチビットメモリセル用検知回路及び検知方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY CELL例文帳に追加

半導体装置、半導体メモリ装置及び半導体メモリセル - 特許庁

The memory cell array part includes a laminate, a semiconductor layer and a memory film.例文帳に追加

メモリセルアレイ部は、積層体、半導体層、メモリ膜を含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING DEFECTIVE MEMORY CELL RELIEVING CIRCUIT例文帳に追加

不良メモリセル救済回路を有する半導体記憶装置 - 特許庁

METHOD FOR DETECTING FAULT OF MEMORY CELL AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリセルの不良検出方法及び半導体記憶装置 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE INCLUDING FUSE CELL ARRAY REALIZED WITH FLASH CELL例文帳に追加

フラッシュセルに実現したヒューズセルアレイを含むフラッシュメモリ装置 - 特許庁

MAGNETIC STACK AND MEMORY CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING CELL例文帳に追加

磁気スタックおよびメモリセル、ならびにセルを製造する方法 - 特許庁

A dummy cell (DMC) is arranged for each memory cell row.例文帳に追加

さらに、各メモリセル列に対してダミーセル（ＤＭＣ）を配置する。 - 特許庁

The reference cell 21 has a structure similar to that of a memory cell 11.例文帳に追加

リファレンスセル２１は、メモリセル１１と同じ構造を有する。 - 特許庁

To provide a memory cell in which cell data are surely initialized.例文帳に追加

セルデータを確実に初期化できるメモリセルを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the constitution of a memory cell can be switched electrically from a normal single memory cell type to a twin memory cell type.例文帳に追加

メモリセルの構成を通常のシングルメモリセル型からツインメモリセル型へ電気的に切替えることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁