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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > crystallyに関連した英語例文

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crystallyを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 6



例文

By the method, the basal plane dislocation 6 is not propagated to the crystally grown semiconductor layer.例文帳に追加

本発明によると、結晶成長された半導体層に基底面内転位6が伝播しない。 - 特許庁

Hence, approximately more than half of polysilicon in the second gate conductor layer is titanized crystally.例文帳に追加

従って、第2のゲート導体層のポリシリコンの約半分超は、結晶的にチタン化される。 - 特許庁

Since the basal plane dislocation 6 is not propagated to the crystally grown semiconductor layer, a leakage current is suppressed.例文帳に追加

基底面内転位6が結晶成長された半導体層に伝播していないために、リーク電流を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a technology capable of preventing the propagation of basal plane dislocation from a semiconductor layer having the basal plane dislocation to a crystally grown semiconductor layer without performing etching treatment.例文帳に追加

エッチング処理を行わなくても、基底面内転位を有する半導体層から結晶成長された半導体層に基底面内転位が伝播することを防止することができる技術を提供する。 - 特許庁

例文

A method includes: a specifying step of specifying the position 8 of the basal plane dislocation 6 on the surface 2a of the semiconductor layer 2; a crystal re-array step of re-arraying crystals at the position 8 specified in the specifying step; and a crystal growth step of crystally growing the semiconductor layer from the surface 2a after the crystal re-array step.例文帳に追加

本発明の方法は、半導体層2の表面2aにおける基底面内転位6の位置8を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置8において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面2aから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。 - 特許庁


例文

A method for fabricating a cellular trench MOSFET includes depositing a first photoresist atop a first epitaxial (epi) layer to pattern a trench area, depositing a second photoresist atop a first gate conductor layer to pattern a mesa area, etching away part of the first gate conductor layer in the mesa area to form a second gate conductor layer with a hump, and titanizing crystally the second gate conductor layer to form a Ti-gate conductor layer.例文帳に追加

多孔質のMOSFETの製造方法は、トレンチ領域をパターニングするために第1のエピタキシャル(エピ)層の上に第1のフォトレジストを堆積する段階と、メサ領域をパターニングするために第1のゲート導体層の上に第2のフォトレジストを堆積する段階と、ハンプを有する第2のゲート導体層を形成するために前記メサ領域の前記第1のゲート導体層の部分をエッチング除去する段階と、Tiゲート導体層を形成するために前記第2のゲート導体層を結晶的にチタン化する段階と、を含む。 - 特許庁

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