「disordered semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In addition, the semiconductor laser device is provided with the same double hetero-junction structure, a second p-type clad layer, a p-type contact layer, and a p-side electrode, and the cleavage end face of the double hetero-junction structure has a disordered layer structure.例文帳に追加

または、同様のダブルヘテロ接合構造、第２のｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層と、ｐ側電極を具備し、ダブルへテロ接合構造のへき開端面が、無秩序化された層構造である。 - 特許庁

To solve the problem that the waveform of signal is disordered and the quality of signal is deteriorated during the transmission of the signal when the signal at several hundreds MHz is transmitted between a mother board and a memory module through a bus wire in a semiconductor memory device.例文帳に追加

半導体メモリ装置において、数百ＭＨｚの信号がバス配線を通しマザーボードとメモリモジュールとの間で伝送された場合、信号の伝送中、信号の波形が乱れ、信号品質の低下が生じる。 - 特許庁

On the identical semiconductor substrate 1, a first semiconductor laser structure body 8 having a first wavelength band and a second semiconductor laser structure body 15 having a second wavelength band are formed monolithically, and each laser output end face of the first and second semiconductor laser structure bodies 8 and 15 is changed into a disordered state by a common Zn diffusion process for forming window structure, thus obtaining a high output.例文帳に追加

同一の半導体基板１上に、第１の波長帯を有する第１の半導体レーザ構造体８と、第２の波長帯を有する第２の半導体レーザ構造体１５とがモノリシックに形成され、第１、第２の半導体レーザ構造体８、１５のそれぞれのレーザ出力端面が、共通のＺｎ拡散工程によって無秩序化して窓構造が形成されていることで、高出力を得ることが可能である。 - 特許庁

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.例文帳に追加

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁

In this semiconductor laser diode with SAS type structure that has a current block layer where a stripe-shaped opening from one resonance end to the other is formed by etching to inject current to an active layer in a specific width, an area near an emission part being located directly below an opening is disordered without disordering the current lock layer.例文帳に追加

活性層に対して所定の幅に電流を注入するように、一方の共振端面から他方の共振端面に至るストライプ状の開口部がエッチングにより形成されてなる電流ブロック層を備えたＳＡＳ型構造の半導体レーザダイオードであって、各共振端面近傍において、電流ブロック層を無秩序化することなく、開口部直下に位置する出射部近傍を無秩序化した。 - 特許庁