「floating gate memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS EQUIPPED WITH EMBEDDED FLOATING GATE, MOUNTAIN-SHAPED FLOATING GATE AND MOUNTAIN-SHAPED CHANNEL REGION例文帳に追加

埋込型浮動ゲート、山形浮動ゲート及び山形チャネル領域を備えた浮動ゲートメモリセルの半導体メモリアレイ - 特許庁

The memory cell transistor has a floating gate including a first floating gate.例文帳に追加

前記メモリセルトランジスタは、第１の浮遊ゲートを含む浮遊ゲートを有する。 - 特許庁

FLOATING GATE MEMORY MODULE ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板上の浮動ゲートメモリモジュール - 特許庁

METHOD OF FORMING FLOATING GATE OF FLASH-MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁

FLOATING GATE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING FLOATING GATE OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS EQUIPPED WITH EMBEDDED FLOATING GATE AND MOUNTAIN-SHAPED CHANNEL REGION例文帳に追加

埋込型浮動ゲートと山形チャネル領域を備えた浮動ゲート式メモリセルの半導体メモリアレイ - 特許庁

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY UTILIZING FLOATING GATE例文帳に追加

フローティングゲートを利用した半導体不揮発性メモリ - 特許庁

FLOATING GATE ELECTRODE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法 - 特許庁

The memory cell transistor MC has a floating gate 20 and a control gate 50.例文帳に追加

メモリセルトランジスタＭＣは、浮遊ゲート２０と制御ゲート５０を有する。 - 特許庁

The memory cell transistor 10 has a control gate 15 and a floating gate 13.例文帳に追加

メモリセルトランジスタ１０は、制御ゲート１５と浮遊ゲート１３を有する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SELF-ALIGNED FLOATING GATE IN FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

フラッシュメモリセルの自己整列フローティングゲート形成方法 - 特許庁

The memory cell array 2 includes a plurality of memory cells including a floating gate.例文帳に追加

メモリセルアレイ２は、フローティングゲートを備える複数のメモリセルを有している。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING FLASH MEMORY HAVING U-SHAPED FLOATING GATE例文帳に追加

Ｕ字状浮遊ゲートを有するフラッシュメモリの製造方法 - 特許庁

FLOATING GATE MEMORY DEVICE WITH INTERPOLY CHARGE TRAPPING STRUCTURE例文帳に追加

ポリ間電荷トラップ構造体を有する浮遊ゲートメモリ素子 - 特許庁

FLOATING GATE MEMORY DEVICE HAVING A LOW CURRENT PAGE BUFFER例文帳に追加

低電流ページ・バッファーを有するフローティング・ゲート・メモリー・デバイス - 特許庁

NONVOLATILE FLOATING GATE MEMORY CELL HAVING FLOATING GATE FORMED IN RECESS, ITS ARRAY AND FABRICATING METHOD例文帳に追加

窪み中に形成された浮遊ゲートを持つ不揮発性浮遊ゲート・メモリセル及びその配列及び製造方法 - 特許庁

CELL OPERATING METHOD USING GATE INJECTION FOR FLOATING-GATE NAND FLASH MEMORY例文帳に追加

浮遊ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ用のゲート注入を用いるセル動作方法 - 特許庁

The memory cell includes a floating gate isolated from the gate electrode part of a gate line by means of an insulator.例文帳に追加

メモリセルは、絶縁体によってゲートラインのゲート電極部分から分離された浮遊ゲートを含む。 - 特許庁

IMPROVED SPLIT GATE TYPE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL AND ARRAY WHICH HAVE FLOATING GATE, CONTROL GATE, SELECTION GATE, AND ERASE GATE WITH OVERHANG ON FLOATING GATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING例文帳に追加

浮遊ゲート、制御ゲート、選択ゲート、及び浮遊ゲートの上にオーバーハングをもつ消去ゲートを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性フラッシュメモリ・セル、アレイ、及び製造方法 - 特許庁

To provide a split gate flash memory cell equipped with a peak floating gate that is improved in coupling ratio between the peak floating gate and a control gate, and to provide a method of manufacturing the memory cell.例文帳に追加

ピークフローティングゲートと制御ゲートとの間の結合比を向上させたピークフローティングゲートを備えるスプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming the floating gate of a flash memory element in which the space of a floating gate can be ensured.例文帳に追加

フローティングゲートのスペースを確保することが可能なフラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS HAVING EMBEDDED SOURCE LINE AND FLOATING GATE, AND MEMORY ARRAY FOAMED BY USING THE SAME例文帳に追加

埋設ソースライン及びフローティングゲートを伴うフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレーを形成する自己整列型方法及びそれにより作られたメモリアレー - 特許庁

SELF-ALIGNING METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELLS HAVING ELONGATED NONLINEAR FLOATING GATE, AND MEMORY ARRAY FORMED USING THE SAME例文帳に追加

非直線的な細長いフローティングゲートを伴うフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレーを形成する自己整列方法及びそれにより形成されたメモリアレー - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY CELL HAVING FLOATING GATE AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

フローティングゲートを有する不揮発性記憶セル及びその形成方法 - 特許庁

To provide an AND floating gate flash memory having scalability.例文帳に追加

スケーラビリティを有するＡＮＤ型フローティングゲートフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

FLOATING GATE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SUCH DEVICE例文帳に追加

フローティングゲート半導体メモリデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法 - 特許庁

The semiconductor memory comprises the floating gate 5, a source diffusion layer 2 which is capacitive-coupled with the floating gate 5 and controls the potential of the floating gate 5, and the control gate 7 so disposed as to be opposite to the floating gate 5.例文帳に追加

この半導体メモリは、浮遊ゲート５と、浮遊ゲート５と容量結合され、浮遊ゲート５の電位を制御ゲートするためのソース拡散層２と、浮遊ゲート５と対向するように配置された制御ゲート７とを備えている。 - 特許庁

To provide a flash memory element in which the gate capacity coupling rate is enhanced between a floating gate and a control gate.例文帳に追加

フローティングゲートとコントロールゲートとの間のゲートキャパシティブカップリング率を向上させたフラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

In the floating gate 6 of each nonvolatile memory cell 5, charges are stored.例文帳に追加

各不揮発性メモリセル５のフローティングゲート６には、電荷が蓄積されている。 - 特許庁

METHOD OF ERASING CHARGE FROM ELECTRICAL PATH AND FLOATING GATE OF MEMORY CELL例文帳に追加

電気経路およびメモリセルのフローティングゲートから電荷を消去する方法 - 特許庁

ONE KIND OF LOW VOLTAGE OPERATION AND NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY HAVING FLOATING GATE例文帳に追加

一種の低電圧操作とフローティングゲートを持つ不揮発性フェロエレクトリックメモリー - 特許庁

To obtain a semiconductor memory device capable of reducing the area of a memory array block without narrowing the gate width of a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲートのゲート幅を狭くすることなくメモリアレイブロックの面積を縮小できる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises memory cells each including: a floating gate that is provided above a semiconductor substrate and can accumulate charges; and a control gate that is provided above the floating gate and controls the amount of charges accumulated in the floating gate.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板の上方に設けられ電荷を蓄積可能なフローティングゲートと、フローティングゲートの上方に設けられ該フローティングゲートに蓄積された電荷量を制御するコントロールゲートとを含むメモリセルを備えている。 - 特許庁

A memory cell array MS is composed of stack gate structured memory cells, having control gate electrodes 12(CG) and floating gate electrodes 16(FG).例文帳に追加

メモリセルアレイ部ＭＳは、コントロールゲート電極１２（ＣＧ）及びフローティングゲート電極１６（ＦＧ）を有するスタックゲート構造のメモリセルから構成される。 - 特許庁

SELF ADJUSTMENT METHOD FOR FORMING A SERIES OF SEMICONDUCTOR MEMORY FLOATING GATE MEMORY CELLS WHICH HAVE GATE SPACER, AND MEMORY ARRAY FORMED BY THE METHOD例文帳に追加

制御ゲートスペーサを有する一連の半導体メモリ浮動ゲートメモリセルを形成する自己調整方法及びそれにより形成されるメモリアレイ - 特許庁

IMPROVED METHOD FOR PROGRAMMING ELECTRON ON FLOATING GATE OF NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセルの浮遊ゲート上に電子をプログラムする改良された方法 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH DOUBLE FLOATING GATE STRUCTURE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

ダブルフローティングゲート構造を持つスプリットゲート型不揮発性半導体メモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

FLOATING GATE HAVING UNEVEN SURFACE, NONVOLATILE MEMORY CELL HAVING CONTROL GATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

表面が不均一な浮遊ゲート及び制御ゲートを有する不揮発性メモリセル及びその製造方法 - 特許庁

To provide a floating gate memory structure suitable to the latest device where a buried floating gate led from a back plane is used.例文帳に追加

バックプレーンから引き出した埋込みフローティング・ゲートを用いる最新のデバイスに適合したフローティング・ゲート・メモリ構造を提供すること。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY, FLOATING GATE MEMORY CELL SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

半導体装置、不揮発性ランダムアクセスメモリセル、フローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイ、及び、このアレイを形成する方法 - 特許庁

The method for evaluating the semiconductor memory is a method for evaluating a floating gate type semiconductor memory.例文帳に追加

半導体記憶装置の評価方法は、浮遊ゲート型の半導体記憶装置の評価方法である。 - 特許庁

FLOATING BACK GATE ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM)例文帳に追加

フロ—ティング・バックゲ—ト電気的消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ） - 特許庁

To provide a non-volatile memory cell having a floating gate and its forming method.例文帳に追加

フローティングゲートを有する不揮発性記憶セル及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile floating gate memory cell made by a trench of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板のトレンチに作られる不揮発性フローティングゲートメモリセルを提供する。 - 特許庁