「iii nitride」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A group III nitride ground surface film 3 is then formed on this group III nitride buffer film 2.例文帳に追加

次いで、このIII族窒化物緩衝膜２上に、III族窒化物下地膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride capable of obtaining the group III nitride at low temperature and pressure.例文帳に追加

III族窒化物を、低温、低圧において得ることができるIII族窒化物の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Successively the second group III nitride 59 is deposited on the first group III nitride film 53c(53e).例文帳に追加

引き続いて、第１のIII族窒化物膜５３ｃ（５３ｅ）上に第２のIII族窒化物５９を堆積する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SUBSTRATE, AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物基板およびＩＩＩ族窒化物結晶基板 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ - 特許庁

III-NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ＩＩＩ−ニトリド発光ダイオード - 特許庁

III-NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物発光ダイオード - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体基板 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体素子 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体装置 - 特許庁

GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体光素子 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体積層物 - 特許庁

GROUP III NITRIDE ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物電子デバイス - 特許庁

GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

３族窒化物系発光ダイオード - 特許庁

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物複合基板 - 特許庁

III GROUP NITRIDE CRYSTAL GROWING METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶成長法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物の製造方法 - 特許庁

GROUP III NITRIDE-BASED SOLAR CELL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系太陽電池 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物の製造方法 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

３族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

３族窒化物発光素子 - 特許庁

APPARATUS FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物製造装置 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体素子およびＩＩＩ族窒化物半導体基板 - 特許庁

METHOD FOR MAKING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の作製方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体 - 特許庁

GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶およびＩＩＩ族窒化物結晶基板 - 特許庁

III NITRIDE ELEMENT AND III NITRIDE EPITAXIAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物素子及びＩＩＩ族窒化物エピタキシャル基板 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE FILM, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物膜の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体素子 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD OF GROUP III NITRIDE, AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD OF GROUP III NITRIDE AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法及びＩＩＩ族窒化物結晶 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE CRYSTAL AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE CRYSTAL, AND GROUP III NITRIDE CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE LAYER AND GROUP III NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物層の成長方法およびＩＩＩ族窒化物基板 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SUBSTRATE AND GROUP III NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加

３族窒化物基板の製造方法、および３族窒化物基板 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, GROUP III NITRIDE DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE DEVICE例文帳に追加

３族窒化物基板の製造方法、３族窒化物基板、エピタキシャル層付き３族窒化物基板、３族窒化物デバイス、エピタキシャル層付き３族窒化物基板の製造方法、および３族窒化物デバイスの製造方法。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor layer forming method for forming a group III nitride semiconductor layer having excellent crystallinity, a group III nitride semiconductor substrate manufacturing method, and a group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

The substrate 1 for forming a group III nitride semiconductor substrate is to be used for obtaining a group III nitride semiconductor substrate by growing a group III nitride semiconductor layer on the group III nitride semiconductor film 13 and removing the base substrate 11.例文帳に追加

III族窒化物半導体基板形成用基板１は、III族窒化物半導体膜１３上に、III族窒化物半導体層を成長させ、下地基板１１を除去し、III族窒化物半導体基板を得るために使用されるものである。 - 特許庁

The active layer 15-1 includes a group-III nitride semiconductor.例文帳に追加

活性層１５−１はIII族窒化物半導体からなる。 - 特許庁

To stably grow a crystal of a group III nitride.例文帳に追加

安定してIII族窒化物の結晶成長を行なう。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor substrate excellent in quality.例文帳に追加

良質なIII族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

To form a defect-free III nitride thin film/insulating film.例文帳に追加

欠陥のないIII族窒化物薄膜／絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive group III nitride semiconductor light emitting element.例文帳に追加

安価なIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。 - 特許庁

The group III nitride support substrate 13 has a conductivity.例文帳に追加

III族窒化物支持基体１３は、導電性を有している。 - 特許庁

In addition, the group-III nitride grows to a seed crystal.例文帳に追加

また、III族窒化物を種結晶に成長させる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING FILM OF GROUP III NITRIDE SUCH AS GALLIUM NITRIDE例文帳に追加

窒化ガリウム等のＩＩＩ族窒化物の成膜方法 - 特許庁