inter- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1109件
A jump operation control circuit 16 outputs drive information so as to perform tracking servo corresponding to the target address by position information or the like from a control circuit 17 and the thread drive signals and to perform corresponding focus servo by obtaining a target focus drive signal level at a request address after the inter-layer movement on the basis of the held focus drive signal level.例文帳に追加
ジャンプ動作制御回路１６は、制御回路１７からの位置情報等とスレッド駆動信号とによって目標アドレスに対応するトラッキングサーボを行うように、また保持されたフォーカスドライブ信号レベルに基づいてレイヤ間移動後の要求アドレスにおける目標フォーカスドライブ信号レベルを求めて対応するフォーカスサーボを行うように駆動情報を出力する。 - 特許庁
A semiconductor memory device has a double layer structure having a third insulation film selected from aluminum oxide or silicon nitride as an inter-poly insulation film between a floating gate electrode and a control gate, and a fourth insulation film selected from a rare earth metal oxide or a group IV-A metal oxide formed on the third insulation film in a non-volatile semiconductor device.例文帳に追加
不揮発性半導体装置における浮遊ゲート電極と制御ゲート電極間のインターポリ絶縁膜として、酸化アルミニウム及びシリコン窒化膜から選ばれる第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜上に形成された希土類金属の酸化物及び４Ａ族金属の酸化物から選ばれる第４の絶縁膜との二層構造を用いる半導体メモリ装置。 - 特許庁
Further, the electrooptical device has storage capacitors which are arranged above the data lines and each constituted by laminating a pixel-potential-side electrode, a dielectric film, and a fixed-potential-side electrode in order from below, pixel electrodes which are arranged by pixels and electrically connected to the pixel-potential-side electrodes and thin film transistors, and an inter-layer insulating film laminated above the dielectric films.例文帳に追加
更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。 - 特許庁
To provide an excellent optical recording method capable of efficiently controlling the position of light irradiation for focusing, tracking or the like in recording or reproducing, and effectively adjusting the variation of inter-layer distances of recording layers in the recording medium and the error of optical recording and optical reproducing devices, and to provide an optical recording apparatus and an optical recording medium.例文帳に追加
本発明は、ホログラフィを利用して記録する光記録媒体に対して、記録又は再生時のフォーカスやトラッキングなどの光照射の位置制御を効率よく行い、該光記録媒体内の記録層などの層間距離のばらつきや光記録及び光再生装置の誤差などに対して、効果的に調整することができる優れた光記録方法、光記録装置及び光記録媒体の提供。 - 特許庁
An inter-layer insulating film structure which includes at least a copper contact or copper wire line connected to the lower contact and a copper diffusion preventive film for preventing copper diffusion of the copper contact or copper wiring and having an optical element opening part for collecting light from the surface of its top part of the optical element through the copper diffusion preventive film above the optical element is formed inside on the lower insulating film.例文帳に追加
下部絶縁膜上の内部に下部コンタクトと接続する少なくとも一つの銅コンタクトまたは銅配線ラインと銅コンタクトまたは銅配線の銅拡散を防止するための銅拡散防止膜を含み、光素子上部にその最上部表面から銅拡散防止膜を通過するように光を収集するための光素子開口部を有する層間絶縁膜構造物を形成する。 - 特許庁
The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.例文帳に追加
本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にＮｉ層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がＳｎ−３ｗｔ％Ｃｕ〜Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｃｕであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、６μｍ〜５０μｍであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁
One box mark from among the pair of box marks is constituted of an opening groove 9-a formed on an inter-layer insulating film 7 and a rectangular slit 9-b having almost the same center as the opening groove 9-a, and the other box mark among the pair of box marks is a positioning mark 11-a formed on the opening groove.例文帳に追加
１対のボックスマークのうち１方のボックスマークが、層間絶縁膜７上に形成されてなる開口溝９−ａと、開口溝９−ａとほぼ同一中心を有する矩形状のスリット９−ｂとで構成され、１対のボックスマークのうち他方のボックスマークが、開口溝上に形成された位置合わせマーク１１−ａであることにより、層間絶縁膜７に再度リフローが起きた場合に、開口溝９−ａのエッジ部分の形状変化を最小限に抑えることができる。 - 特許庁
This semiconductor device is constituted by stacking semiconductor chips formed by integrating elements on semiconductor substrates in layers across inter-layer insulating films so that those semiconductor chips are mutually connected by connection plugs buried in through holes bored in the semiconductor substrates and bumps provided on the connection plugs; and the connection plugs and bumps are formed integrally of the same metal having a fusion point of ≥400°C.例文帳に追加
半導体基板に素子が集積形成された半導体チップを層間絶縁膜を介して複数層積層してなり、これら複数の半導体チップの相互間は、前記半導体基板に設けられた貫通孔に埋め込まれた接続プラグ、およびこの接続プラグ上に設けられているバンプにより接続されている半導体装置であって、前記接続プラグおよびバンプは、４００℃以上の融点を有する同一金属により、一体的に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
The metal silicide layer is so formed as to enable the upper end of the inter-electrode insulating film to protrude.例文帳に追加
、電極間絶縁膜で囲まれ、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、前記電極間絶縁膜の上端よりも下方に上端が位置するように絶縁分離される多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を加熱し、シリサイド化を行う工程と、シリサイド化されずに残った金属膜を選択的に除去する工程とを含み、前記電極間絶縁膜の上端が突出するように金属シリサイド層を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁
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