「inter- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The inter-gate dielectric film includes: an electron trap layer made of a first dielectric material having the ability to trap electrons; and first and second dielectric layers made of a second dielectric material smaller than the first material in the ability to trap electrons, and sandwiching the electron trap layer therebetween.例文帳に追加

前記ゲート間絶縁膜は、電子トラップ性を有する第１の絶縁材料からなる電子トラップ層と、前記第１の材料よりも電子トラップ性が低い第２の絶縁材料からなり、前記電子トラップ層を挟む第１および第２の絶縁層とを含む。 - 特許庁

To provide a technique which makes a package interconnection easy by enabling positions of input/output pads to be different for each inter-layer die in accordance with a coding information by a multi-chip package, related to a semiconductor package.例文帳に追加

本発明は、半導体パッケージに関し、マルチチップパッケージでコーディング情報に従い層間ダイごとに入/出力パッドの位置を異にイネーブルし、パッケージ連結を容易にする技術を開示する。 - 特許庁

To provide a container for oxidation dye capable of preventing any inter-layer peeling from being produced among many resin layers constituting a container wall even if the stored articles are stored for a long period of time under their storage state.例文帳に追加

内容物を収容した状態で長期間保存しても、容器壁を構成する多層の樹脂層間での層間剥離が生じることを防止し得る酸化染料用容器を提供すること。 - 特許庁

A high-concentration body area 39 is formed in a channel area, and a body contact 41 passing through an inter-layer insulating film 33 and a gate electrode portion 29 is formed on the high-concentration body area.例文帳に追加

チャネル領域内に高濃度ボディ領域３９を形成し、この高濃度ボディ領域上に、層間絶縁膜３３及びゲート電極部２９を貫通するボディコンタクト４１を形成する。 - 特許庁

Further, since tread surface outside rigidity is increased by the inter-layer shearing force of the high angle belt 31, deformation of the tread part 5 at cornering becomes small, and slip of the tread surface 6 relative to the road surface also becomes small.例文帳に追加

また、高角度ベルト３１の層間せん断力によりトレッド面外剛性が増加するため、コーナリング時のトレッド部５の変形が小さくなり、路面に対するトレッド面６の滑りが小さくなる。 - 特許庁

A discharge stage of discharging an ink drop containing a material of the inter-layer insulating film into the formed cut hole 203 and a drying stage of drying the ink drop are repeatedly performed a plurality of times.例文帳に追加

形成されたカット穴２０３に層間絶縁膜の材料を含有するインク液滴を吐出する吐出工程と、インク液滴を乾燥させる乾燥工程とを複数回繰り返して行う。 - 特許庁

A contact hole is formed in a gate insulating film 12 formed of SiO_2 and a laminated inter-layer insulating film 13 formed on SiN thereupon by etching using buffer hydrofluoric acid.例文帳に追加

ＳｉＯ_２により構成されたゲート絶縁膜１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Therefore, the upper layer wiring 152 and the 1st inter-substrate conduction terminals 170 on each side face of the bed electrode 122 are electrically connected to the bed electrode 122 via the side faces 122A.例文帳に追加

このため、下地電極１２２の各側面１２２Ａに掛かる上層配線１５２および第１基板間導通端子１７０は、側面１２２Ａを介して下地電極１２２に電気的に接続される。 - 特許庁

The transparent electrode has a transparent area 52 and an uneven area 52b patterned into many islands and the reflecting electrode is formed on the inter-layer insulation films while being placed on the uneven area.例文帳に追加

透明電極は、透過領域５２ａおよび多数の島状にパターニングされた凹凸領域５２ｂを有し、反射電極は、凹凸領域に重ねて層間絶縁膜上に形成されている。 - 特許庁

Subsequently, an additional high-density and low-energy plasma treatment is processed, so that a top surface of the lithium alloy oxide layer forms uniform, dense, and inter-necked nano grains, and an inside/lower part remains unchanged.例文帳に追加

続いて、付加的な高密度、低エネルギーのプラズマ処理を実行して、リチウム合金酸化層の上表面が、均一、緻密、緊密に接合したナノ粒子を形成し、内部/下方は、そのまま維持する。 - 特許庁

The piezoelectric body 48 which is stacked on the first inter-laminar insulating layer 54 includes an amorphous phase or a pyrochlore phase, and becomes a piezoelectric body non-motion region 48B in which the piezoelectric body 48 is not displaced.例文帳に追加

第１の層間絶縁層５４上に堆積された圧電体４８は非晶質相又はパイロクロア相を含んでおり、圧電体４８が変位しない圧電体非動作領域４８Ｂとなる。 - 特許庁

To manufacture a base material for a multilayer substrate by which inter-layer connection base on conductive paste is performed at low resistance and high reliability without generating chipped defects on a projection part of the conductive paste in a manufacturing process.例文帳に追加

製造過程で、導電性ペーストの突起部に欠損不良が生じることがなく、導電性ペーストによる層間導通を、低抵抗で、信頼性高く行う多層基板用基材を製造すること。 - 特許庁

In a DRAM memory cell being a semiconductor memory, a bit line 21a connected to a bit line plug 20b and a local wire 21b are arranged on a first inter-layer insulation film 18.例文帳に追加

半導体記憶装置であるＤＲＡＭのメモリセルにおいて、第１層間絶縁膜１８の上には、ビット線プラグ２０ｂに接続されるビット線２１ａと、局所配線２１ｂとが設けられている。 - 特許庁

In this route information setting method in a switching system of a connection layer 2, route information is set without performing inter- processor communication between a routing processor managing the route information and the main processor.例文帳に追加

コネクション型レイヤ２のスイッチングシステムにおけるルート情報設定方法において、ルート情報を管理するルーティングプロセッサ部とメインプロセッサ部のプロセッサ間通信を行うことなく、ルート情報を設定する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display which has a stable gap and excel lent display quality even when the display is equipped with an inter-layer insulat ing film for electrically insulating a wire etc., from an electrode formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成される配線等と電極とを絶縁するための層間絶縁膜を備えていても、安定したセルギャップを有し、かつ、表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the inter-network connecting device 101 functions as a switching hub and executes data transfer of the data link layer level, between the WAN port 107 and each of the LAN ports 108a-108n.例文帳に追加

これにより、ネットワーク間接続装置１０１はスイッチングハブとして機能し、ＷＡＮポート１０７とＬＡＮポート１０８ａ〜１０８ｎの各々との間でデータリンク層レベルのデータ転送を実行する。 - 特許庁

A contact hole 11 formed at the inter-layer insulating film 10 penetrates the second silicon oxide film 10b with an almost vertical side wall while penetrating the first silicon oxide film 10a with a forward tapered surface.例文帳に追加

層間絶縁膜１０に形成されたコンタクト孔１１は、第２のシリコン酸化膜１０ｂを略垂直側壁をもって貫通し、第１のシリコン酸化物膜１０ａを順テーパ面をもって貫通する。 - 特許庁

The top electrode 33 is thin and inferior in step coverage, so even if foreign matter is present in the capacitor insulating film 32, the bottom electrode 31 and top electrode 33 less have an inter-layer short circuit.例文帳に追加

上層電極３３が薄く、ステップカバレージが悪いので、キャパシタ絶縁膜３２中に異物が存在しても、下層電極３１と上層電極３３との間で層間ショートが発生しにくくなる。 - 特許庁

A second resist is formed on the second metal film 24, in a region where the first metal film 20 is present on the inter-layer insulating film 17 and in a portion of a region where the first metal film 20 does not exist.例文帳に追加

層間絶縁膜１７上に第１金属膜２０が存在する領域及び第１金属膜２０が存在しない領域の一部において第２金属膜２４上に第２レジストを形成する。 - 特許庁

The protective layer 4 has inorganic particles 14, and an inter-particle phase 24 including a compound of a metallic element that is equivalent to at least one type of a metallic element among metallic elements contained in the magnet body 2.例文帳に追加

この保護層４は、無機粒子１４、及び、磁石素体に含まれる金属元素のうちの少なくとも１種と同じ金属元素の化合物を含む粒子間相２４を有している。 - 特許庁

The connection portion 11 connecting between the inspection wiring 5 and inspection outside pad 16 is formed at a position apart from the sides of the inter-layer insulating film 6 and surface protection film 12.例文帳に追加

そして、検査用配線５と検査用外部パッド１６とを接続する接続部１１は、層間絶縁膜６および表面保護膜１２の側面に対して間隔を空けた位置に形成されている。 - 特許庁

To provide a composition for film formation capable of forming a silica-based film having good filtering of a solution and a small number of foreign matters in the solution as an inter-layer insulation film material in a semiconductor element or the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、溶液の濾過性が良好で、かつ溶液中の異物数が少ないシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

The engaging members 13 are fitted on the outer wall material 11 side and engaged with the framework 12 side under the state in which the outer wall material 11 can be locked in the case of the inter-layer deformation of the framework 12 by the earthquake or the like.例文帳に追加

また、地震等による軸組12の層間変形時における外壁材11のロッキングを可能とした状態で、係合部材13を外壁材11側へ取り付けたり、軸組12側へ係合させる。 - 特許庁

The polishing solution for polishing a barrier material on an inter-layer insulating material has pH of 5.5 to 8.5 and is an aqueous solution of a dicarboxylic acid compound in which silicon dioxide particles are dispersed.例文帳に追加

層間絶縁材上のバリア材を研磨するための研磨液であって、ｐＨ５．５〜８．５であり、かつ酸化ケイ素粒子を分散したジカルボン酸化合物の水溶液であることを特徴とする研磨液。 - 特許庁

For an IC chip 10, circuit wiring relating to elements is provided through the elements and an inter-layer insulation film not shown in the figure on a semiconductor substrate 11, and an IC chip internal region 12 is constituted.例文帳に追加

ＩＣチップ１０は、半導体基板１１上に図示しない素子及び層間絶縁膜を介して素子に関係する回路配線が設けられ、ＩＣチップ内部領域１２が構成されている。 - 特許庁

A gap 40 is formed across inter-layer films 32 and 33 formed on the board 21, in such a way that the gap 40 virtually encircles the charge storage unit 3 in a plan view in a direction almost normal to the board 21.例文帳に追加

基板２１上に形成された層間膜３２，３３に、間隙４０が、基板２１の略法線方向から見た平面視で前記電荷格納部を実質的に囲むように形成される。 - 特許庁

Shield wiring 102a and 102b constituted of wiring layers in the same layer are installed adjacently to a dynamic node 101 in a standard cell so that inter-standard cell wiring can be prevented from being communicated adjacently to the dynamic node.例文帳に追加

スタンダードセル内のダイナミックノード１０１に隣接して、同層の配線層からなるシールド配線１０２ａ，１０２ｂを設け、ダイナミックノードに隣接してスタンダードセル間配線が通らないようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer wiring board in which, specially, a multilayer wiring board with high connection reliability of inter-layer connection is suitably manufactured at low manufacturing costs through simple manufacturing stages.例文帳に追加

簡単な製造工程及び低い製造コストで層間接続の接続信頼性の高い特に多層配線基板の製作に好適な積層配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a multilayer print circuit board capable of performing inter-layer connection without manufacturing a mask by eliminating a wet process, and capable of manufacturing a multilayer print circuit board with high reliability.例文帳に追加

湿式工程をなくしてマスクの製造なしで層間接続ができ、信頼性の高い多層印刷回路基板を製造することのできる多層印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrolyte film layer 110 is formed into a film by using a proton conductive compound of a perovskite structure, and exerts a proton conductive property in a state that an oxygen atom is introduced in an inter-lattice oxygen deficiency.例文帳に追加

電解質膜層１１０は、ペロブスカイト型プロトン伝導体化合物を用いて製膜され、格子間酸素の欠損への酸素原子導入が起きた状態でプロトン伝導の性質を呈する。 - 特許庁

To realize an optical disk reproducing device capable of performing correct reproduction by removing the effect of the false peak of a focus error signal and carrying out a stable inter-layer jump even in the occurrence of the false peak.例文帳に追加

フォーカスエラー信号の偽ピークの影響を除去して、偽ピークが発生した場合でも、安定した層間ジャンプが行え、正しい再生が行える光ディスク再生装置の実現を課題とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of subjecting an inter-layer insulating layer 61 to dry etching using a mask having a plurality of first openings and a plurality of second openings arranged more closely than the first openings, and forming first holes reaching a ground layer 10 below the first openings and second holes 41 reaching the ground layer 10 below the second openings.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の第１の開口と第１の開口よりも密に並んだ複数の第２の開口とを有するマスクを用いて層間絶縁層６１をドライエッチングし、第１の開口の下で下地層１０に達する第１のホールと、第２の開口の下で下地層１０に達する第２のホール４１とを同時に形成する工程を備えている。 - 特許庁

Further, the small-area dummy pattern of a lower layer and the small area dummy pattern Ds2 of an upper layer are arranged to a region with a wide inter-pattern space in patterns (active regions L1, L2, L3, and a gate electrode 17 or the like) that act as elements in a product region PR and the scribe region SR.例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

To provide a coating composition suitable for a material for forming dielectric layer of a PDP and an inter-layer insulation film of an SED made to have a relative dielectric constant of 5 or less by combination of a wet process and heating process of 600°C or less.例文帳に追加

ウェットプロセスと６００℃以下の熱処理の組み合わせによって、比誘電率が５以下である、ＰＤＰの誘電体層やＳＥＤの層間絶縁膜を形成する材料として好適なコーティング組成物、及びそれを用いた誘電体層や層間絶縁膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a generation method for mask data applied to manufacture of a semiconductor device provided with an inter-layer insulating layer with an excellent embedding property between adjacent wiring layers even for a design rule of 0.13 μm generation or lower for instance, and a mask, a recording medium and a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

例えば０．１３μｍ世代以下のデザインルールであっても、隣接する配線層間の埋め込み性に優れた層間絶縁層を有する半導体装置の製造に適用されるマスクデータの生成方法、マスクおよび記録媒体、ならびに半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The inter-substrate wiring is formed by embedding conductive materials in a connection hole 66 formed in a first multilayer wiring layer on a surface of the first semiconductor wafer 31 and a through connection hole 65 formed in a second multilayer wiring layer on a surface of the second semiconductor wafer 45.例文帳に追加

基板間配線は、第１の半導体ウェハ３１表面の第１の多層配線層に形成される接続孔６６と、第２の半導体ウェハ４５表面の第２の多層配線層に形成された貫通接続孔６５とに、導電材料が埋め込まれて形成されている。 - 特許庁

Since the inter-lattice distance of the AlN crystal layer 80 substantially agrees with the lattice constant intrinsic of AlN crystal, the Al crystal layer 80 contains no distortions caused by the difference in lattice constant with the Si substrate 1 as in the case when lattice matches the Si substrate 1.例文帳に追加

ＡｌＮ結晶層８０の格子間距離は、ＡｌＮ結晶体本来の格子定数にほぼ一致するので、Ｓｉ基板１と格子整合している場合のように、Ａｌ結晶層８０には、Ｓｉ基板１との格子定数の相違に起因する歪みが内在することがない。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element that suppresses light reflected in an inter-layer insulation layer below a light shield film among incident light made incident to a photosensor unit and leaked to a vertical electric charge transfer unit so as to reduce a smear component, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、フォトセンサ部に入射する入射光のうち遮光膜下の層間絶縁層を反射して垂直電荷転送部に漏れ込む光を抑制してスミア成分を低減するようにした固体撮像素子及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

The distance between an external connection pad 5 and signal wiring 1S increases and even if the inter-layer insulating layer 2e in contact with the external connection pad 5 starts to crack at an edge of the external connection pad 5, it takes a long period for the crack to reach the signal wiring 1S.例文帳に追加

外部接続パッド５と信号配線１Ｓとの間の距離が遠くなり、例え外部接続パッド５の縁を起点として外部接続パッド５に接する層間絶縁層２ｅにクラックが発生したとしても、そのクラックが信号配線１Ｓに到達するまでに長期間を要する。 - 特許庁

To detect an envelope defect of a read signal caused by a fingerprint on the surface of a disk, the inter-layer interference of a dual-layer disk or the like which is a factor of a read error of an optical disk, and to improve the read capability of an optical disk drive while avoiding a read error by performing appropriate processing.例文帳に追加

光ディスクのリードエラー要因となるディスク表面上の指紋や２層ディスクの層間干渉などに起因する再生信号包絡線の異常を検出し、適切な処理を行うことによりリードエラーを回避し光ディスクドライブの再生性能を向上する。 - 特許庁

The first and second terminals 21 and 22 of the chip capacitor housed in a recess 30a of a core substrate 30 are connected to a via hole 46 formed at an inter-layer resin insulating layer 40 through a conductive bump 31 and a conductor circuit 34, for a high connection reliability.例文帳に追加

また、コア基板３０の凹部３０ａに収容されたチップコンデンサ２０の第１、第２端子２１，２２と、層間樹脂絶縁層４０に形成されたバイアホール４６とを、導電性バンプ３１と導体回路３４とを介して接続するため、高い接続信頼性を達成することができる。 - 特許庁

On the 1st inter-substrate conduction part 20ac, a conductive member 22 is arranged and a sealing material 24 is applied over both an area where the protection layer 10a and an area where the protection layer is not formed to stick a 1st substrate 30 and a 2nd substrate 30b which face each other together.例文帳に追加

そして、第１の基板間導通部２０ａｃ上に導電部材２２を配置し、保護層１０ａが形成されている領域と保護層が形成されていない領域とにまたがって密封材２４を塗布して、二枚の対向する第１基板３０ａと第２基板３０ｂとを貼り合わせる。 - 特許庁

The film thickness of the stacked-layer film is larger than film thickness of each of a photosensitive polyimide resin film 11 formed on the lower layers of the Cu wiring 10 and the bump-land 10A, an inorganic passivation film 26, a third Al wiring 25, the bump-pad BP, and a second inter-layer insulating film 24.例文帳に追加

この積層膜の膜厚は、Ｃｕ配線１０およびバンプ・ランド１０Ａの下層に形成された感光性ポリイミド樹脂膜１１の膜厚、無機パッシベーション膜２６の膜厚、第３層Ａｌ配線２５およびボンディングパッドＢＰの膜厚、第２層間絶縁膜２４の膜厚に比べて厚い。 - 特許庁

To provide a wiring board having a highly precise and fine wiring pattern without deteriorating peeling strength by maintaining satisfactory inter-layer electric connection reliability by forming a plurality of types of different conductive materials like a layer in a through-hole.例文帳に追加

貫通孔内に異なる複数の種類の導電性材料を、層状に形成することにより、良好な層間の電気的接続信頼性を保持するとともに、剥離強度を低下させることなく、高精度且つ微細な配線パターンを有する配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide a cutting tool insert coated by the chemical vapor deposition method and equipped with a TiC_xN_y layer having a low tensile stress of 10 to 300 MPa and an αAl_2O_3 layer having a high surface smoothness of 0.1 μm or less when measured in the inter-atomic force microscopic process.例文帳に追加

本発明は、１０〜３００ＭＰａの低引張応力を備えたＴｉＣ_ｘＮ_ｙ層と、原子間力顕微鏡技法によって測定したときに０．１μｍ以下の高表面平滑度を備えたαＡｌ_２Ｏ_３層と、を有する化学蒸着法で被覆した切削工具インサートに関する。 - 特許庁