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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > interatomicの意味・解説 > interatomicに関連した英語例文

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interatomicを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 63



例文

(2) The modified cross-sectional regenerated cellulose fiber characterized by having a degree of modification of 1.1 to 10 and a fiber surface roughness parameter Ra of 10 to 50 nm measured with an interatomic force microscope and containing fine powder having a 50% average particle diameter of 0.05 to 10 μm in an amount of 0.2 to 5 wt.%.例文帳に追加

(2) 繊維の異型度が1.1〜10で、原子間力顕微鏡で測定した繊維表面粗度パラメータRaが10〜50nmであり、かつ50%平均粒径が0.05〜10μmである微粉末を0.2〜5重量%含有する異型断面再生セルロース繊維。 - 特許庁

To provide an atomic force microscope which can precisely detect interaction quantity due to interatomic force between a cantilever and a sample with a measurement method using light such as an optical lever method, even when the cantilever is driven in high speed in the Z direction, and to provide a cantilever support of the atomic force microscope.例文帳に追加

カンチレバーをZ方向に高速に駆動した場合にも、光てこ法等の光を使った測定法でカンチレバーの試料との間の原子間力による相互作用量を正確に検出できる原子間力顕微鏡及びそのカンチレバー支持具を提供する。 - 特許庁

To provide a cutting tool insert coated with a TiC_xN_y layer having low tensile stress of 10-300 MPa and an αAl_2O_3 layer having a high surface smoothness of 0.1 μm or less when measured by an interatomic power microscopic technical method, in accordance with a chemical deposition method.例文帳に追加

本発明は、10〜300MPaの低引張応力を備えたTiC_xN_y層と、原子間力顕微鏡技法によって測定したときに0.1μm以下の高表面平滑度を備えたαAl_2O_3層と、を有する化学蒸着法で被覆した切削工具インサートに関する。 - 特許庁

There is provided the CVD coated cutting tool insert including: a TiCxNy layer having a low tensile stress level of 50-390 Mpa; and Al_2O_3 having surface smoothness having a high average Ra of 0.12 μm or lower measured by an interatomic force microscope (AFM) technology.例文帳に追加

本発明は、50〜390Mpaの低引張応力レベルを有するTiC_XN_Y層と、原子間力顕微鏡(AFM)技術によって測定される平均Raが0.12μm以下の高い表面平滑度を有するAl_2O_3と備えるCVD被覆切削工具インサートに関する。 - 特許庁

例文

The oxide films which are usually formed on the metal sheets surfaces are destroyed to sufficiently fine debris by performing the cold pressure welding under such conditions and the debris is dispersed to wide spacings at a joint point, and thereby interatomic bonding of the metals having no oxide films is made possible.例文帳に追加

このような条件にて冷間圧接を行うことで、通常、金属板表面に形成されている酸化膜を十分に微細な破片に圧壊して、その破片を接合箇所で広い間隔に分散させることにより、酸化膜のない金属同士を原子間結合させることができる。 - 特許庁


例文

In the method for evaluating the performance of the electrode catalyst for the fuel cell supporting an N_4 chelate type dimerized metal complex carried by a conductive support, the interatomic distance of oxygen an oxygen molecule adsorbed by the N_4 chelate type dimerized metal complex to be obtained from a molecule simulation analysis is provided by an index of performance evaluation.例文帳に追加

N_4キレート型2量化金属錯体が導電性担体に担持された燃料電池用電極触媒の性能評価方法において、分子シュミュレーション解析から得られる該N_4キレート型2量化金属錯体に吸着された酸素分子の酸素原子間距離を性能評価の指標とする。 - 特許庁

The compound oxide catalyst is a Ce-Al compound oxide catalyst which contains cerium (Ce), aluminum (Al) and oxygen and has such a fluorite type structure that Al is substituted for a part of Ce or Al intrudes into the interatomic spacing of a crystal lattice of CeO_2.例文帳に追加

セリウム(Ce)とアルミニウム(Al)と酸素とを含有し、AlがCeの一部と置換又はAlがCeO_2の結晶格子の原子間隙に侵入した蛍石型構造を有するCe−Al複合酸化物触媒、これを用いたディーゼルパティキュレートフィルタ、及び複合酸化物触媒の製造方法である。 - 特許庁

An AC voltage applied between an electrode 11 of a piezoelectric element 3 and a cantilever 1 has a frequency nearly corresponding to a characteristic frequency of the cantilever 1, while an amplitude of the AC voltage is controlled to vibrate a probe 2 such that the probe 2 comes into an area where the interatomic force acts between the probe 2 and a sample 4.例文帳に追加

圧電素子3の電極11、カンチレバー1間に印加される交流電圧はカンチレバー1の固有振動数にほぼ対応した振動数を有し、且つ、探針2と試料4間に原子間力が働く領域内に前記探針2が入るように該探針を振動させる振幅にコントロールされる。 - 特許庁

The method of drawing the interatomic force electron beam line comprises the steps of: impressing a voltage between a cantilever 11 and an exposed substrate 13; focusing by a focusing magnetic field 16 an electron beam line 15 consisting of a tunnel electron emitted from a probe 12 attached to the cantilever 11; and focusing and irradiating the electron beam line 15 on a resist film 14 of the exposed substrate 13.例文帳に追加

原子間力電子線描画法は、カンチレバー11と被露光基板13との間に電圧を印加して、該カンチレバー11に取り付けられたプローブ12から放出するトンネル電子から成る電子線15を集束磁界16で収束して、被露光基板13のレジスト膜14上に収束照射させるものである。 - 特許庁

例文

This scanning type probe microscope is provided with a cantilever 21 having a probe 20 opposed to a sample 12, a measuring part (optical lever type optical microscope and feedback servo control loop) for measuring interatomic force or the like generated between the probe and the sample when the probe scans a surface of the sample, and a moving mechanism for varying relatively positions of the probe and the sample to conduct a scanning operation.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡は、試料12に対向する探針20を有するカンチレバー21、探針が試料の表面を走査するとき探針と試料の間で生じる原子間力等を測定する測定部(光てこ式光学顕微鏡やフィードバックサーボ制御ループ)、探針と試料の位置を相対的に変化させ走査動作を行わせる移動機構を備える。 - 特許庁

例文

A measuring means is the one that measures the change of interatomic force generated between the probe 21 and the surface of the semiconductor substrate W, or measures the change of a tunnel current made to flow between the probe 21 and the surface of the semiconductor substrate W, or measures the change of the scattering state of light which passes through between the probe 21 and the surface of the semiconductor substrate W.例文帳に追加

測定手段は、プローブ21と半導体基板W表面間に生じる原子間力の変化を測定する手段、或いはプローブ21と半導体基板W表面間に流したトンネル電流の変化を測定する手段、或いはプローブ21と半導体基板W表面間を通過させた光の錯乱状態の変化を測定する手段である。 - 特許庁

The method for manufacturing the layered optical element comprises laminating a plurality of optical wafers made of quartz or glass wafers to form a layered optical wafer, then cutting and dividing the optical wafer into individual layered optical elements, wherein a silicon oxide film (SiO_2 film) is deposited on the joining faces of the glass wafers to obtain optical wafers and these optical wafers are directly joined by interatomic bonds.例文帳に追加

また、水晶ウェハ又はガラスウェハからなる光学ウェハの複数枚を貼り合わせて積層光学ウェハを形成した後、前記積層光学ウェハを個々の積層光学素子に切断分割してなる積層光学素子の製造方法において、前記ガラスウェハの接合面には酸化珪素膜(SiO_2膜)を形成して光学ウェハとし、前記光学ウェハの複数を原子間結合によって直接接合してなる製造方法とする。 - 特許庁

例文

To provide a technique capable of measuring accurately a topograph relative to even the sample surface whose accurate surface topograph measurement is difficult by a conventional method, by overcoming a defect that the accurate surface topograph can not be measured because an attraction detected by a cantilever tip includes both an interatomic force and an electrostatic force when executing the surface topograph measurement by a conventional noncontact type atomic force microscope.例文帳に追加

本発明は、従来の非接触型原子間力顕微鏡による表面トポグラフ計測の際に、カンチレバー先端で検出される引力には原子間力と静電気力の両方が含まれるために正確な表面トポグラフを計測できないという欠点を克服し、従来法では正確な表面トポグラフ計測が困難であった試料表面に対しても、そのトポグラフを正確に計測する技術を提供するものである。 - 特許庁




  
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