「junction optical waveguide」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a waveguide type semiconductor optical device with which excellent extinction ratio characteristics are obtained and which contains a pin type junction structure.例文帳に追加

良好な消光比特性が得られるｐｉｎ型接合構造を含む導波路型半導体光デバイスを提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing an optical waveguide, a first glass material is directly joined to an Si wafer 11 in a clad junction process.例文帳に追加

光導波路の製造方法において、クラッドを接合する工程をＳｉウエハ１１に第一のガラス素材を直接接合するものである。 - 特許庁

The ring resonator type phase shifter is equipped with a ring shaped optical waveguide 3 mounted so as to mode couple with the corresponding branching optical waveguide 7A, and is constructed in such a way that an amplitude branching ratio K between the corresponding branching optical waveguide 7A and a ring type optical waveguide 3 can be varied for example via refractive index variation and so on accompanying voltage application in a p-n junction.例文帳に追加

リング共振型位相シフタは、対応する分岐光導波路７Ａにモード結合するように配置されたリング型光導波路３を備え、対応する分岐光導波路７Ａとリング型光導波路３との間の振幅分岐比Ｋを、例えばｐｎ接合における電圧印加に伴う屈折率変化などを通じて、変化させることができるように構成される。 - 特許庁

To provide a refractive index control sheet for optical path junction excellent in practicality and capable of connecting optical paths between various optical members, for example, between optical fibers or between an optical fiber and an optical waveguide with a small loss and high connection stability.例文帳に追加

光ファイバ−光ファイバ間や光ファイバ−光導波路間等の各種光学部材間における光路を、低損失で、かつ、高い接続安定性を有しつつ接続することが可能な、実用性に優れた光路接合用屈折率制御シートを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element of a waveguide type with a high mesa ridge structure, the semiconductor optical element in which an excellent ohmic junction can be obtained and light intensity is prevented from decreasing.例文帳に追加

ハイメサリッジ構造を有する導波路型の半導体光素子において、良好なオーミック接合が得られ、かつ光強度の低下を防止した半導体光素子を提供する。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス２０は、半絶縁性基板１上に、ｎ型クラッド層２、３、ｉ型吸収層４及びｐ型クラッド層６とからなるｐｉｎ型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記ｉ型吸収層における不純物濃度が１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁