mlaを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 59件
The particulate layers 51 operate as antireflection bodies preventing interface reflection due to refractive index differences on the interface between the MLA substrate 31 and junction surface 47 and the interface between the junction layer 47 and counter substrate 32 to prevent a decrease in contrast caused by stray light.例文帳に追加
微粒子層５１は、ＭＬＡ基板３１と接合層４７の界面、接合層４７と対向基板３２の界面における屈折率差に起因した界面反射を防止する反射防止体として作用し、迷光によるコントラスト低下を防止する。 - 特許庁
To provide a reflection sheet having scratch preventing function for a backlight of a liquid crystal display(LCD) device, which prevents peaks of embossed projecting parts of a light transmission plate with an embossed surface, worked with an MLA(microlens array) technique, from being scratched and from crushing, and to provide an LCD device using the same.例文帳に追加
ＭＬＡ技術でエンボス加工した表面を有する導光板のエンボス凸部の先端が傷ついて潰れるのを防ぐことができる液晶表示装置バックライト用傷防止機能付き反射シート及びそれを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
MLACs 12C_0 to 12C_4 are provided corresponding to PWM intervals T_0 to T_4 and respectively conduct MLA computations for PWM components of the PWM intervals T_0 to T_4 outputted from a GDATP 11 and row selection patterns outputted from a RSELR 15.例文帳に追加
ＭＬＡＣ１２Ｃ_０〜１２Ｃ_４は、各ＰＷＭ期間Ｔ_０〜Ｔ_４に対応して設けられ、それぞれ、ＧＤＡＴＰ１１から出力される各ＰＷＭ期間Ｔ_０〜Ｔ__４のＰＷＭ成分と、ＲＳＥＬＲ１５から出力される行選択パターンとについてＭＬＡ演算を行う。 - 特許庁
The MLA3 and APA 4 are aligned based on the photographed image to allow the centers of the laser beams L1, L2 passing through apertures to be coincident with the centers of the respective apertures, as well as the MLA 3 and APA 4 are fixed with a UV-curing adhesive 6 and the spacer 5.例文帳に追加
撮像画像に基づき、アパーチャを通過したレーザ光Ｌ１，Ｌ２の中心が該アパーチャの中心に一致するように、ＭＬＡ３とＡＰＡ４との位置合わせを行うとともに、ＭＬＡ３とＡＰＡ４とを、ＵＶ硬化型の接着剤６及びスペーサ５により固着する。 - 特許庁
MLACs 12C_0-12C_2 are provided corresponding to a weighted PWM period and respectively perform MLA arithmetic operations for PWM components of respective PWM periods (0)-(2) outputted from a GDATP 11 and a raw selection pattern outputted from an RSELR 15.例文帳に追加
ＭＬＡＣ１２Ｃ_０〜１２Ｃ_２は、重み付けされたＰＷＭ期間に対応して設けられ、それぞれ、ＧＤＡＴＰ１１から出力される各ＰＷＭ期間（０）〜（２）のＰＷＭ成分と、ＲＳＥＬＲ１５から出力される行選択パターンとについてＭＬＡ演算を行う。 - 特許庁
A head controller 20 includes a line buffer 23, a data transfer control section 24, image memory 25, a video data control section 26, a writing address operation section 27, a registration-inclination compensating information storing section 28, a UART communication section 29, a curve-MLA (micro lens array) compensating information storing section 30 and an EEPROM communication section 31.例文帳に追加
ヘッドコントローラ２０には、ラインバッファ２３、データ転送制御部２４、画像メモリ２５、ビデオ（ＶＩＤＥＯ）データ制御部２６、書き込みアドレス演算部２７、レジスト・斜行補正情報記憶部２８、ＵＡＲＴ通信部２９、湾曲・ＭＬＡ（マイクロレンズアレイ）補正情報記憶部３０、ＥＥＰＲＯＭ通信部３１が設けられている。 - 特許庁
Concerning a plurality of images having respectively different points of view obtained by picking up with the image sensor 13 images formed by the individual MLs of the MLA 12, an arithmetic processing circuit 34 computes a parallax for each characteristic point being noted inside the respective images, and finds information on the depth of the object to be inspected from those parallaxes.例文帳に追加
演算処理回路３４は、MLA１２の各ＭＬの各々により結像された像を、撮像素子１３により撮像することで得られるそれぞれが異なる視点となる複数の画像において、それぞれの画像内の注目している特徴点ごとに視差を演算し、それらの視差から被検物の奥行きに関する情報を求める。 - 特許庁
A calculation process circuit 34 generates a plurality of measuring images from the output of the image taking element 13 and measures the profile of the testing object by using a reference image obtained from the pixels in the position crossing the principal ray of the objective lens 11, among the pixels composing the imaging area of the imaging element 13 corresponding to each of a plurality of MLs arranged on the MLA 12, as the correction information.例文帳に追加
演算処理回路３４は、撮像素子１３の出力から複数の測定画像を生成し、MLA１２に配列された複数のＭＬの各々に対応する撮像素子１３の撮像領域を構成する画素のうち、対物レンズ１１の主光線と交わる位置にある画素から得られる基準画像を補正情報として用いて、被検物の形状を測定する。 - 特許庁
In the semiconductor device, in which the sealing resin 103 for sealing the semiconductor chip 105 is molded on the circuit board 101 where a plurality of wiring patterns HP are formed on the surface and solder resist 115 for insulating and coating the wiring patterns is formed, the wiring patterns HP have the interval (d) of adjacent wiring patterns HP that is made almost uniform in a mold line region MLA of the sealing resin 103.例文帳に追加
表面に複数本の配線パターンＨＰが形成され、かつ当該配線パターンを絶縁被覆するためのソルダーレジスト１１５が形成された回路基板１０１上に半導体チップ１０５を封止するための封止樹脂１０３をモールド成形してなる半導体装置において、配線パターンＨＰは封止樹脂１０３のモールドライン領域ＭＬＡでは隣接する配線パターンＨＰの間隔ｄをほぼ均一にする。 - 特許庁
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