「multifinger」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The ESD protection circuit of a semiconductor device in multifinger structure is constituted of a plurality of active areas 200 which are separately formed on the upper face of a semiconductor substrate, two gates 203 and 204 formed on the upper faces of the active areas 200 and n+ or p+-type active areas formed between the active areas 200.例文帳に追加

半導体基板の上面に分離して形成された複数のアクティブ領域２００と、該アクティブ領域２００の上面にそれぞれ形成された２つのゲート２０３、２０４と、アクティブ領域２００の間に形成されたｎ^+型又はｐ^+型のアクティブ領域２０１とにより、マルチフィンガ構造の半導体装置のＥＳＤ保護回路を構成する。 - 特許庁

The invention relates to the zinc finger polypeptide library in which each polypeptide comprises not less than one zinc finger which has been at least partially randomized, and to a set of zinc finger polypeptide libraries which encode overlapping zinc finger polypeptides, each polypeptide comprising not less than one zinc finger which has been at least partially randomized, and which polypeptide may be assembled after selection to form a multifinger zinc finger polypeptide.例文帳に追加

この発明は、各ポリペプチドが少なくとも部分的に無作為化されている1つ以上のジンクフィンガーを含んでなるジンクフィンガーポリペプチドライブラリー、およびオーバーラップするジンクフィンガーポリペプチドをコードするジンクフィンガーポリペプチドライブラリーセットに関し、このポリペプチドは選択の後、多重フィンガージンクフィンガーポリペプチドが形成されるように組み立てられることができる。 - 特許庁

In a high-frequency power amplifier comprising a multifinger FET, the amount of hot electron, which is generated at a drain end of each MOS transistor 2 and is accumulated in a second electrode of a gate 10 when the gate of each MOS transistor is applied with RF input signal and RF output is taken out of a drain region 8, is detected with a charge amount detector 40.例文帳に追加

マルチフィンガーＦＥＴからなる高周波電力増幅器において、各ＭＯＳトランジスタのゲートにＲＦ入力信号が印加されてドレイン領域８からＲＦ出力が取り出されているときに、各ＭＯＳトランジスタ２のドレイン端に発生しゲート１０の第２電極に蓄積されるホットエレクトロンの量は、電荷量検出器４０によって検出される。 - 特許庁