| 例文 (7件) |
silicon‐germanium alloyの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
METHOD OF MANUFACTURING SILICON-GERMANIUM ALLOY FILM, USING ORGANOGERMANIUM CLUSTERS例文帳に追加
オルガノゲルマニウムクラスターを用いたシリコンーゲルマニウム合金の薄膜製造法 - 特許庁
USING SILICON-GERMANIUM AND OTHER ALLOY AS SUBSTITUTION GATE FOR MANUFACTURING MOSFET例文帳に追加
ＭＯＳＦＥＴの製造を目的とした置き換えゲートとしてシリコンゲルマニウムおよびその他の合金の使用 - 特許庁
To provide a silicon-germanium alloy film and its manufacturing method which facilitates manufacture of the silicon-germanium alloy film, without employing the CVD or the MBE method using explosive and high-toxic Si and Ge hydride gases, and to provide manufacturing methods for various uses according to that manufacturing method.例文帳に追加
本発明の目的は、爆発性で、毒性の強いＳｉ及びＧｅの水素化物ガスを用いるＣＶＤ法やＭＢＥ法によらずにシリコン-ゲルマニウム合金の薄膜を容易に製造できるシリコン-ゲルマニウム合金薄膜とその製造法及びその製造法による各種用途の製造法を提供することにある。 - 特許庁
METHOD OF PREPARING SILICON DIOXIDE LAYER BY HIGH-TEMPERATURE OXIDATION ON SUBSTRATE HAVING GERMANIUM OR SILICON-GERMANIUM ALLOY ON AT LEAST ITS SURFACE例文帳に追加
少なくともその表面にゲルマニウムまたはケイ素−ゲルマニウム合金を持つ基板上において、高温酸化により二酸化ケイ素層を調製する方法 - 特許庁
A substrate 2 comprises a first silicon layer 3 and a target layer 1 made of a silicon-germanium alloy-base material forming a three-dimensional pattern including first and second securing areas and at least one connecting area.例文帳に追加
基板２は、第１シリコン層３と、第１及び第２固定領域と少なくとも１つの接続領域を含む３次元パターンを形成するシリコンゲルマニウム合金系材料からなるターゲット層１を備える。 - 特許庁
It is desirable that the element 3 capable of forming an alloy with lithium is at least one kind of element selected from a group of zinc, cadmium, aluminum, gallium, indium, thallium, silicon, germanium, tin, lead, antimony, and bismuth.例文帳に追加
リチウムと合金を形成することが可能な元素３としては亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、錫、鉛、アンチモン、及びビスマスからなる群から選択される少なくとも一種類の元素であることが好ましい。 - 特許庁
The method for producing a silicon germanium nanowire aggregate is characterized in that an alloy having a composition shown by general formula Si_xGe_1-x (wherein, 0<x<1) is melted by a floating zone melting method, and, by regulating the melting temperature, the differential degree of x in the formula between the spherical part and the nanowire part is controlled.例文帳に追加
シリコンゲルマニウムナノワイヤー集合体の製造方法は、一般式Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ（式中、０＜ｘ＜１）で示す組成を有する合金を浮遊帯域溶融法により溶解させることからなり、その溶融温度を調整することで、前記球状部とナノワイヤー部との前記式中のｘの相違具合を制御する構成である。 - 特許庁
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