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snmを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 12



例文

Thus, the deterioration of SNM is prevented.例文帳に追加

結果として、SNMの悪化を防止することができる。 - 特許庁

To accurately improve SNM in SRAM.例文帳に追加

SRAMにおけるSNMを精度良く改善する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which uses a back-gate fin FET while having an SRAM cell which is able to obtain a sufficient SNM.例文帳に追加

バックゲート型のフィンFETを使いながらも十分なSNMを得ることのできるSRAMセルを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for ensuring both an SNM and a write margin simultaneously in a semiconductor device having static memory cells.例文帳に追加

スタティック型メモリセルを有する半導体装置において、SNMとライトマージンの両方を同時に確保することができる技術を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor memory device having a memory cell capable of improving a static noise margin (SNM) when a reading/writing operation.例文帳に追加

読み出し及び書き込み動作時におけるスタティックノイズマージン(SNM)を改善できるメモリセルを有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a static random access memory whose static noise margin can easily be measured and an SNM measuring method.例文帳に追加

SNMを容易に計測可能なスタティックランダムアクセスメモリおよびSNM計測方法を提供する。 - 特許庁

Thereby a cell area can be made smaller than that of prior art SRAM cell, while obtaining the same cell current and the same SNM.例文帳に追加

これにより、従来のSRAMセルと同等のセル電流、同等のSNMを得ながら、セル面積を縮小することができる。 - 特許庁

To provide a test method of a semiconductor device, which has high detection sensitivity of a defective cell that will be actualized due to deterioration of a threshold, such as defective SNM.例文帳に追加

SNM不良など閾値低下により顕著化する不良セルの検出感度が高い半導体装置のテスト方法を提供すること。 - 特許庁

To enable an SRAM inspection to screen reliability failures caused by the insufficiency of SNM (Static Noise Margine) in an initial inspection.例文帳に追加

SRAMの検査において、SNM値不足による信頼性不良を初期検査でスクリーングすることを可能とする。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor integrated circuit apparatus provided with a static type RAM in which both SNM and margin can be realized even in low power source voltage.例文帳に追加

低電源電圧でもSNMと書き込みマージンを両立させることができるスタティック型RAMを備えて半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

例文

The control unit calculates the future target revolutions of the motor MG1 from the future revolutions snetagf of the engine and the real revolutions snm of the motor MG2 (S304).例文帳に追加

制御ユニット190は、エンジン150の将来の回転数snetagfとモータMG2の実回転数snmとから、モータMG1の将来の目標回転数を算出する(S304)。 - 特許庁

例文

In addition, since the resistance components of the word transistors Qn3 and Qn4 to channel currents become larger relatively than those of the driving transistors Qn1 and Qn2, cell operations, such as the SNM, etc., can be stabilized.例文帳に追加

(DT.W_1 /WT.W_1 )/(WT.L_1 /DT.L_1 )<1.2 駆動トランジスタの長さDT.W_1 とワードトランジスタの長さWT.W_1 とを等しくし、p型能動領域101a,101bのパターンにおける段差を低減させる一方、ワードトランジスタのチャネル長WT.L_1 を、駆動トランジスタのチャネル長DT.L_1 よりも大きく(WT.L_1 /DT.L_1 >1)する。 - 特許庁

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