| 意味 | 例文 (8件) |
superconducting memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
SUPERCONDUCTING MEMORY CELL AND SUPERCONDUCTING MEMORY DEVICE USING THE CELL例文帳に追加
超伝導メモリセル及びこれを用いた超伝導メモリ装置 - 特許庁
SUPERCONDUCTING RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
超伝導ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁
a conventional distributed memory design where each node consists of a superconducting CPU, superconducting memory and conventional DRAM memory 例文帳に追加
それぞれのノードが超伝導CPU, 超伝導メモリおよび通常のDRAMメモリからなる, 通常の分散メモリ設計 - コンピューター用語辞典
In a bulk superconductor including a short cylindrical superconducting bulk body and a surrounding belt of a shape memory alloy which surrounds and pressurizes the circumferential surface of the superconducting bulk body, the surrounding belt pressurizes the superconducting bulk body by recovering the shape, after surrounding the superconducting bulk body.例文帳に追加
上記課題を解決するために、短筒状の超電導バルク体と、前記超電導バルク体の側周面を加圧囲繞する形状記憶合金の囲繞ベルトとからなるバルク超電導体であって、前記囲繞ベルトは、超電導バルク体を囲繞した後に、形状回復処理をすることで超電導バルク体を加圧するようにしたバルク超電導体を提供する。 - 特許庁
A memory-array or a cross-bar-switch can be formed by arranging plural superconducting cells having direct coupling on rows and columns.例文帳に追加
直接結合を有する超電導セルを複数個、行列上に配列して、メモリ・アレイ又はクロスバー・スイッチを形成することができる。 - 特許庁
To manufacture a memory medium having a cell capable of recording a multi-valued digital signal by holding a state of a line of a magnetic force and a state of electrons on an infinitesimal superconducting ring, or an infinitesimal superconducting plate and a device for fetching a signal from the medium.例文帳に追加
微小な超電導リング又は微小な超電導板に、磁力線の状態、及び、電子の状態を保持させることにより、多値のデジタル信号を記録できる素子からなる、メモリー媒体、及び、それから信号を取り出す装置を作製すること。 - 特許庁
To provide the device structure of a superconducting random access memory of ultra high speed and a large scale, of which the high temperature process can be employed for most of manufacturing processes, a memory cell can be miniaturized, an inductance can be efficiently formed on a DC bias current supply line, and a magnetic field is not affected by the bias current.例文帳に追加
大部分の製造工程に高温プロセスを採用することができ、また、メモリセルの小型化が可能であり、さらに、直流のバイアス電流供給線路に効率的にインダクタンスを形成でき且つこのバイアス電流による磁場の影響を受けない、超高速で、大規模な、超伝導ランダムアクセスメモリのデバイス構造を提供する。 - 特許庁
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