| 例文 |
variable-pointの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 407件
When the photodiode PD having a fast response is used, an ASW control signal Sa is asserted at the point of time when the voltage Vpd of a variable resistor 7 reaches a second reference voltage Vr2 smaller than a first reference voltage Vr1 without waiting for the delay time of a delay circuit 10 by a selector circuit 13, an analog switch 3 is turned on, and the APC operation is started.例文帳に追加
応答の速いフォトダイオードPDを使用した場合は、選択回路13によって、遅延回路10の遅延時間を待つことなく、可変抵抗7の電圧Vpdが第1基準電圧Vr1よりも小さい第2基準電圧Vr2に達した時点でASW制御信号Saをアサートしてアナログスイッチ3をオンさせてAPC動作を開始するようにした。 - 特許庁
When a gear shift is executed exceeding a rotation synchronizing point RSP from a present unit gear ratio IVTRATIO toward a target unit gear ratio DIVTRATIO, the gear ratio RATIO of a continuously variable transmission mechanism is changed directly toward a target unit gear ratio and simultaneously, sifting is effected with a power circulation mode clutch and a direct coupling mode clutch brought into a half-clutch state.例文帳に追加
現在のユニット変速比IVTRATIOから目標ユニット変速比DIVTRATIOへ向けて回転同期点RSPを超えて変速するときには、無種変速機構の変速比RATIOを、直接、目標ユニット変速比へ向けて変速すると同時に、動力循環モードクラッチと直結モードクラッチを半クラッチ状態にして切り換えを行う。 - 特許庁
To provide a frictional continuously variable transmission structure capable of changing a speed by easily moving a frictional contact point without mounting a complicated mechanism even if a driving-side rotating body and a driven-side rotating body are stopped.例文帳に追加
この発明は、駆動側回転体と従動側回転体との摩擦接触ポイントを移動させることで変速を行う摩擦式無段変速機構造において、駆動側回転体や従動側回転体が停止した場合でも、複雑な機構を設けることなく容易に摩擦接触ポイントを移動させて、変速することができる摩擦式無段変速機構造を提供することを目的とする。 - 特許庁
A mounting structure of a semiconductor package is formed by electrically connecting and laminating a first semiconductor package 20 and a second semiconductor package 30 using variable melting point solder 41 as a first connecting member and then connecting a laminated semiconductor package electrically with a printed wiring board 10 using solder 40 as a second connecting member.例文帳に追加
この半導体パッケージの実装構造は、第1の半導体パッケージ20と第2の半導体パッケージ30とを第1の接続部材としての融点変化型はんだ41で電気的に接続して積層化した半導体パッケージとしており、この積層化した半導体パッケージをプリント配線基板10と第2の接続部材としてのはんだ40で電気的に接続することにより形成されている。 - 特許庁
The controller, which outputs a manipulated variable subjected to PID operation to bring a measured value in a controlled object at a predetermined set point, comprises PID value calculating means for calculating a PID value through automatic tuning operation, and PID value correcting means for correcting the PID value calculated by the PID value calculating means in dependence on characteristics of the controlled object.例文帳に追加
制御対象における測定値を予め定められた設定値に一致させるようにPID演算を施して操作量を出力する調節計において、オートチューニング動作によりPID値を算出するPID値算出手段と、制御対象の特性に応じて、PID値算出手段により算出されたPID値を修正するPID値修正手段とを備える。 - 特許庁
A coarse adjustment mechanism control part 153 instructs a coarse adjustment mechanism part 20 to start the movement of a sample 2 in a direction close to a probe 12, and thereafter, whenever predetermined conditions are satisfied, resets a set point value at a value obtained by adding a predetermined offset frequency to the variable frequency Δf shown by an electric signal from a frequency detecting device 10 at the time when predetermined conditions are satisfied.例文帳に追加
粗動機構制御部153は、プローブ12に接近する方向への試料2の移動の開始を粗動機構部20に指示した後、予め定める条件が満たされる度に、予め定める条件が満たされた時点に、周波数検出装置10からの電気信号が示す変動周波数Δfに、設定されているオフセット周波数を加算した値をセットポイントの値に再設定する。 - 特許庁
The resistance change memory device includes a memory cell MC configured by serially connecting a variable resistance element whose resistance state is reversibly changed by voltage or current application and a diode, and state transition stabilizing transistors MP and MN serially connected to the current path of the memory cell to stabilize the resistance state transition of the memory cell by an operation point movement due to the resistance state transition.例文帳に追加
抵抗変化メモリ装置は、電圧又は電流印加により抵抗状態が可逆的に遷移する可変抵抗素子とダイオードを直列接続して構成されるメモリセルMCと、前記メモリセルの電流経路に直列に接続されて、前記メモリセルの抵抗状態遷移に伴う動作点移動によりその抵抗状態遷移を安定化させる状態遷移安定化用トランジスタMP,MNとを有する。 - 特許庁
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