vs eの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
00>=40 .vs 0u0short x, y;} XPoint; All x and y members are signed integers. 例文帳に追加
e 全ての x, y メンバは符号付き整数である。 - XFree86
00>=40 .vs 0u0Time time;short x, y;} XTimeCoord; The time member is set to the time, in milliseconds. 例文帳に追加
e time メンバにはミリ秒単位で時刻がセットされる。 - XFree86
00>=40 .vs 0u0 Here sn is the sine of the angle of the line, and cs is the cosine of the angle of the line.例文帳に追加
e ここで sn は線の角度のサインであり、cs は線の角度のコサインである。 - XFree86
The battery module 21 is a serial-parallel chopper circuit and an output voltage Vs thereof is adjustable in stepless manner over the range from a voltage E of one storage battery to 2E, a twofold thereof, through the adjustment of the power rate of a switching element 213.例文帳に追加
電池モジュール２１は直並列チョッパ回路で、スイッチング素子２１３の通電率の調節で、出力電圧Vsを蓄電池１つの電圧Eからその2倍の２Eまで無段階に調節できる。 - 特許庁
Backup voltage VS is supplied to the E-RAM 13, and when history of voltage drop of the backup voltage VS is judged to exist in the case of startup of the system, the user program in the flash memory 12 is transferred to the E-RAM 13 and a control system is evaluated.例文帳に追加
Ｅ＿ＲＡＭ１３には、バックアップ電圧ＶSが供給されており、システム起動時に、バックアップ電圧ＶSの電圧低下の履歴有りと判定された場合、フラッシュメモリ１２のユーザプログラムがＥ＿ＲＡＭ１３へ転送されて制御システムが評価される。 - 特許庁
A correction value setting section 64 sets a correction value CA from the difference between a measurement potential VS and a potential VA at a measurement point N1 between the light emitting element E and drive transistor TDR for the first measurement operation period.例文帳に追加
補正値設定部６４は、第１測定動作時における発光素子Ｅと駆動トランジスタＴDRとの間の測定点Ｎ1の電位ＶAと測定用電位ＶSとの差分から補正値ＣAを設定する。 - 特許庁
In this calculation of the flow rate Qth, a theoretical mass flow rate vs. effluence coefficient table 52 stored in a memory is referred, corresponding to the gas groups A-E, to select a desired effluence coefficient CD (among Cda-Cde).例文帳に追加
理論出力流量Ｑｔｈが計算されたとき、ガスの分類Ａ〜Ｅに対応して、メモリに記録されている理論質量流量・流出係数対応テーブル５２を参照し、所望の流出係数Ｃｄ（Ｃｄａ〜Ｃｄｅ中の１つ）を選択する。 - 特許庁
The piezoelectric thin film element comprising a piezoelectric ceramic sandwiched by upper and lower electrodes has a lower field region (70 kV/cm or below) where the displacement δ in a field vs displacement characteristic curve A depends on the field E, and an intermediate field region (70 kV/cm-140 kV/cm) where the displacement δ does not depend on the field E but has a constant value.例文帳に追加
本発明の圧電体薄膜素子は、上部電極と下部電極に挟まれた圧電性セラミックスを備える圧電体薄膜素子であって、電界対変位特性曲線Ａが、変位δが電界Ｅに依存する低電界領域（７０ｋＶ／ｃｍ以下）と、変位δが電界Ｅに依存せずに一定の値を有する中電界領域（７０ｋＶ／ｃｍ以上１４０ｋＶ／ｃｍ以下）とを有する。 - 特許庁
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