意味 | 例文 (6件) |
workfunctionを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
DUAL WORKFUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
デュアル仕事関数半導体デバイス - 特許庁
DUAL WORKFUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME例文帳に追加
二重仕事関数半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁
The dual workfunction semiconductor device comprises a first transistor comprising a first gate stack 111 having a first effective workfunction, and a second transistor comprising a second gate stack 112 having a second effective workfunction being different from the first effective workfunction.例文帳に追加
二重仕事関数半導体デバイスは、第1実効仕事関数を有する第1ゲートスタック111を含む第1トランジスタと、第1実効仕事関数とは異なる第2実効仕事関数を有する第2ゲートスタック112を含む第2トランジスタとを備える。 - 特許庁
To provide a dual workfunction semiconductor device with a simplified integration mechanism and a method for fabricating the same.例文帳に追加
簡単化した集積機構を備えた二重仕事関数半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device (1) includes: a fully silicided electrode (4) formed of an alloy of a semiconductor material and a metal, and comprising a workfunction modulating element for modulating a workfunction of the alloy; and a dielectric (3) in contact with the fully silicided electrode (4).例文帳に追加
本発明は、半導体材料と金属の合金から形成され、合金の仕事関数を変調させる仕事関数変調元素を含む完全にシリサイド化されたゲート電極(4)と、完全にシリサイド化されたゲート電極(4)に接触した誘電体(3)とを含む半導体装置(1)を提供する。 - 特許庁
At least a part of the dielectric (3) which is directly contacted with the fully silicided electrode (4) includes a stopping material for substantially preventing the workfunction modulating element from being implanted into the dielectric (3) and/or diffusing towards the dielectric (3).例文帳に追加
完全にシリサイド化された電極と直接接触する誘電体(3)の少なくとも一部は、仕事関数変調元素が誘電体(3)中に注入され、および/または誘電体(3)に向かって拡散するのを実質的に防止するストップ金属を含む。 - 特許庁
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