「InP」を含む例文一覧(575)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 次へ＞- To provide a semiconductor laser having less roughness on an active layer part by forming a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers so as to function as a current constriction layer, enabling the p-InGaAsP layer which requires a thin layer structure to be used as a current constriction layer.
p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を電流狭窄層として機能するように形成し、薄い層構造で済むこのp-InGaAsP層を電流狭窄層として用いることにより活性層上部での凹凸を小さくすることのできる半導体レーザを提供する。 - 特許庁 - An n-type multilayer reflection layer 12 (first reflection layer), an absorption layer 13, a p-type phase adjustment layer 14, and an anode layer 15 (second reflection layer) are formed on the lower surface of the n-type InP substrate 11 in this order from the side of the n-type InP substrate 11.
ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１１側から順番に、ｎ型多層反射層１２（第１の反射層）、吸収層１３、ｐ型位相調整層１４およびアノード電極１５（第２の反射層）が形成されている。 - 特許庁 - In the laminated structure 30, the crystallizability of the InP layer 34 is made better than the InP layer on the conventional GaAs substrate, and a surface shape is made better than the InP layer by interposing the layer 34 having the film thickness having a ratio of 0.35 to the critical film thickness between the substrate 32 and the layer 34 as a buffer layer as the example.
本化合物半導体積層構造３０は、本実施形態例では、臨界膜厚に対する比率が０．３５の膜厚を有するＧａＡｓ_０．９５Ｐ_０．０５層３４をＧａＡｓ基板３２とＩｎＰ層３４との間にバッファ層として介在させることにより、従来のＧａＡｓ基板上のＩｎＰ層に比べて、ＩｎＰ層３４の結晶性を向上させ、表面形状を良好にしている。 - 特許庁 - Semi-insulating Fe doped InP is embedded in the reflecting mirror, and contact parts with the side parts of the reflecting mirror become conduction parts.
反射鏡は半絶縁性のＦｅドープＩｎＰで埋め込まれているが、反射鏡側面部との接触部分が導電部となる。 - 特許庁 - To provide a dry etching method which quickly enables deep cutting into a substrate of an InP compound semiconductor, and a device.
ＩｎＰ系化合物半導体の基板に対して深堀加工を迅速に行うことができるドライエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - On an InP substrate 11, a semiconductor laminate part 10 is grown which has an active layer 14a and a surface layer (cap layer) 17a.
ＩｎＰ基板１１上に、活性層１４ａ及び表層（キャップ層）１７ａを有する半導体積層部１０を成長させる。 - 特許庁 - The p-AlInAs layer, p-InP layer, and p-GaInAs layer are formed in striped ridges of a 10 μm width.
ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層、ｐ−ＩｎＰ層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓ層は、幅１０μｍのストライプ状リッジとして形成されている。 - 特許庁 - To provide a ridge type InP semiconductor laser element having a current constricting structure composed of Al oxide layers and a superior laser characteristic.
Ａｌ酸化層による電流狭窄構造を有し、レーザ特性が良好なリッジ型ＩｎＰ系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁 - The temperature of the substrate is set higher than that when forming the first layer, a second layer 5 composed of InP being formed, with an active layer 7 being formed thereon.
基板温度を第１の層の形成時よりも高くし、ＩｎＰからなる第２の層を形成し、その上に、活性層を形成する。 - 特許庁 - Using the mask 20a, on the InP layer 24, a group III-V compound semiconductor layer 26a including Ga, In, and As is formed.
マスク２０ａを用いて、ＩｎＰ層２４上にＧａ、Ｉｎ、及びＡｓを含むIII−Ｖ族化合物半導体層２６ａを形成する。 - 特許庁 - This waveguide grating filter has a three-layered stripe structure consisting of a lower clad layer 3, a core layer 2 and an upper clad layer 1 on a non-doped InP substrate 4.
ノンドープＩｎＰ基板４上に、下部クラッド層３、コア層２、上部クラッド層１からなる３層ストライプ構造を有する。 - 特許庁 - A diffraction grating for distributed feedback comprises at least InP semiconductor region 13 and AlGaInAs semiconductor layer 15.
分布帰還のための回折格子は、少なくともＩｎＰ半導体領域１３およびＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５から構成される。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device constituted like this emits light in a perpendicular direction against the n-type InP substrate.
このように構成された本発明の半導体発光素子は、ｎ型ＩｎＰ基板１に対して垂直な方向に光を放射する。 - 特許庁 - To provide ferromagnetic group III-V compounds in which ferromagnetism can be obtained by using the group III-V compounds (GaAs, InAs, GaP, InP) transmitting light, and a method for controlling the ferromagnetic properties of the ferromagnetic group III-V compounds.
光を透過するＩＩＩ-Ｖ族系化合物（GaAs, InAs, GaP, InP）を用いて強磁性が得られる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の提供、およびその強磁性特性を調整することができる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の強磁性特性を調整する方法を提供する。 - 特許庁 - Related to an optical semiconductor transmitter/receiver element 100, a mesa-striped laminated part and an Fe-InP 70, formed on both sides of it, are formed on an n-InP substrate 50, and an AnZnNi electrode 31 and an AnGeNi electrode 32 are provided on the upper and lower surfaces of the element, respectively.
光半導体送受信素子１００は、ｎ−ＩｎＰ基板５０上に、メサストライプ状の積層部とその両側に形成されたＦｅ−ＩｎＰ７０が形成されて、さらに、素子上面および下面には夫々ＡｕＺｎＮｉ電極３１、ＡｕＧｅＮｉ電極３２が設けられている。 - 特許庁 - In the semiconductor light-receiving element (APD: avalanche photodiode) 11, a low carrier-concentration or undoped InP tunnel-current suppression layer 24 is formed between an n-InGaAsP optical absorption layer 23 and an n-InP multiplication layer 25, and the concentration of carriers near a hetero-interface is suppressed.
半導体受光素子（ＡＰＤ）１１では、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層２３とｎ−ＩｎＰ増倍層２５との間に、低キャリア濃度又はノンドープのＩｎＰトンネル電流抑制層２４が形成されているため、ヘテロ界面近傍でのキャリア濃度が抑えられる。 - 特許庁 - An n-type DBR layer 12 (distribution Bragg reflection layer of first conductivity type), an i-InGaAs optical absorption layer 14 (optical absorption layer) with low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 (semiconductor layer of second conductivity type) are formed in order on an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate).
ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。 - 特許庁 - The compound semiconductor wafer for making the ultrahigh- speed electronic devices comprises a GaN substrate 1, a buffer layer 1c formed on the substrate, having thickness ranging from 10 nm to 1 μm and comprising InP, and an epitaxial layer 1d formed on the buffer layer and including InP.
高速電子デバイス形成用化合物半導体ウエハは、ＧａＡｓ基板（１）と、この基板上に形成されていて１０ｎｍ〜1μｍの範囲内の厚さを有するＩｎＰからなるバッファ層（１ｃ）と、このバッファ層上に形成されていてＩｎＰを含むエピタキシャル層（１ｄ）とを含んでいる。 - 特許庁 - By forming the above structure; holes are implanted through two paths of a first path which is directly implanted from the upper face of the InGaAsP active layer 3, and a second path which is implanted from the side face of the InGaAsP active layer 3 through the InGaAsP intermediate layer 7 from the first p-InP clad layer 4.
上記構造とすることにより、正孔は、InGaAsP活性層３の上面から直接注入される第１経路と、第１ｐ−InPクラッド層４からInGaAsP中間層７を介してInGaAsP活性層３の側面から注入される第２経路との２つの経路を経由して注入される。 - 特許庁 - In the semiconductor laser, having an InGaAlAs active layer using an InP substrate, an n-type clad layer making direct contact with the active layer is made of InP or InGaAsP, and a p-type optical waveguide layer making direct contact with the active layer is made of an InGaAlAs or an InAlAs.
ＩｎＰ基板を用いたＩｎＧａＡｌＡｓ系活性層を有する半導体レーザにおいて、活性層に直接接するｎ−クラッド層をＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰとし、活性層に直接接するｐ−光ガイド層をＩｎＧａＡｌＡｓまたはＩｎＡｌＡｓとする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a quantum dot in which the quantum dot is formed in an isotropic shape on an InP substrate by an MBE method.
ＭＢＥによりＩｎＰ基板上に等方的な形状の量子ドットを形成することのできる量子ドットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A lower DBR (distributed Bragg reflector) layer 1, a core layer 2, an upper DBR layer 3, and a dielectric multilayer film 6 are sequentially layered on an n-InP substrate 11.
ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。 - 特許庁 - To manufacture highly efficiently a compound semiconductor particle comprising InP-ZnS good in light emission characteristics by a very simple method.
極めて簡便な方法で発光特性の良好なＩｎＰ−ＺｎＳからなる化合物半導体粒子を高効率に製造できるようにする。 - 特許庁 - The p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 is present on the whole surface between the ridge 28 and the first p-type InP clad layer 20.
リッジ２８と第１のｐ型ＩｎＰクラッド層２０との間の全面にｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２が存在する。 - 特許庁 - To provide a long wavelength band high performance semiconductor light emitting device that is formed on an InP substrate, and also to provide a method for manufacturing the same.
本発明はＩｎＰ基板上に形成可能な長波長帯の高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An optical guide layer 51, an active layer 52 and an optical guide layer 53 constituted of i-type InGaAsP are formed on an n-type InP substrate 50.
ｎ型ＩｎＰ基板５０の上に、ｉ型ＩｎＧａＡｓＰからなる光ガイド層５１、活性層５２及び光ガイド層５３を形成する。 - 特許庁 - The InP substrate 21 contains a first end face 21a and a second end face 21b which are extended along a flat plane crossing the axis Ax.
ＩｎＰ基板２１は、所定の軸Ａｘに交差する平面に沿って伸びる第１の端面２１ａおよび第２の端面２１ｂを有する。 - 特許庁 - Or, indium oxide and/or phosphorus oxide is added to B2O3 as a sealing agent and the InP single crystal is grown by the liquid encapsulating Czochralski method.
または、封止剤であるＢ_2Ｏ_3に酸化インジウムおよび／または酸化リンを添加し、液体封止チョクラルスキー法でＩｎＰ単結晶を育成する。 - 特許庁 - The InGaAsP semiconductor layer 16 is arranged between the InP substrate 4 and the III-V compound semiconductor light-absorbing layer 18.
ＩｎＧａＡｓＰ半導体層１６は、ＩｎＰ基板４とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体光吸収層１８との間に設けられている。 - 特許庁 - The III-V compound semiconductor light-absorbing layer 18 is arranged between the InP substrate 4 and the InGaAsP semiconductor layer 20.
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体光吸収層１８は、ＩｎＰ基板４とＩｎＧａＡｓＰ半導体層２０との間に設けられている。 - 特許庁 - The upper part of the spacer layer, active layer, and buffer layer is worked into a mesa- stripe, with its both sides embedded with p/n-InP layers 8/9.
スペーサ層、活性層及びバッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その両側はｐ／ｎ−ＩｎＰ層８／９で埋め込まれている。 - 特許庁 - To decrease a dark current by reducing an InGaAs photodetection layer in As concentration and improving an InP window layer in crystallinity at the same time.
ＩｎＧａＡｓ受光層でのＡｓ抜け低減と、ＩｎＰ窓層での結晶性の向上との両立により、暗電流を低減することができるようにする。 - 特許庁 - To solve a problem caused by an impurity as a contaminant adhered to the surface of a substrate formed of InP in a state that he desired characteristics can be obtained.
所望の特性が得られる状態で、ＩｎＰからなる基板の表面に付着した汚染物としての不純物による問題が解消できるようにする。 - 特許庁 - The resist pattern 64 is removed to thereby form an SiO_2 mask for manufacturing a waveguide layer structure having a tilted surface a on InP (e).
レジストパターン６４を除去することにより、ＩｎＰ上に傾斜面ａを有する導波層構造を作製するためのＳｉＯ_２マスクが形成される（ｅ）。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laser provided with a diffraction grating including an InP semiconductor and an AlGaInAs semiconductor without using an InAsP semiconductor.
、ＩｎＡｓＰ半導体を用いることなくＩｎＰ半導体およびＡｌＧａＩｎＡｓ半導体を含む回折格子を備える半導体レーザを提供する。 - 特許庁 - To reduce a defect (for instance, displacement) of a metamorphic substrate growing an InP-based semiconductor device by using a compression strain layer and a tensile strain layer.
圧縮歪層と引張歪層とを利用して、ＩｎＰ系半導体デバイスを成長させるメタモルフィック基板の欠陥（例えば転位）の低減を可能にする。 - 特許庁 - A high-resistance layer 15 is formed among an upper surface of the optical waveguide layer 6, a side surface of the clad layer 4, and a surface of the undoped InP layer 7.
光導波層６の上面およびクラッド層４の側面と、アンドープ型ＩｎＰ層７の表面との間に、高抵抗層１５が設けられる。 - 特許庁 - On the second surface of the n-type InP substrate 32, a material or a structure having a higher reflectance to the incident light than that of the low reflection film 46 is not provided.
ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面には、低反射膜４６よりも入射光に対する反射率が高い物質又は構造が設けられていない。 - 特許庁 - The Mach-Zehnder optical modulator 3, the output optical waveguide 4, and the light receiving parts 5 and 6 are monolithically integrated on one n-type InP substrate 1.
これらのマッハツェンダ型光変調器３、出力光導波路４、及び受光部５，６は、１つのｎ型ＩｎＰ基板１上にモノリシックに集積されている。 - 特許庁 - Each of bipolar transistors T5, T11 for level shift has an emitter terminal to which a constant current is supplied and a base terminal for receiving input signals INP, INM respectively.
レベルシフト用バイポーラトランジスタＴ５，Ｔ１１は、エミッタ端子に定電流が供給されるとともに、ベース端子に入力信号ＩＮＰ，ＩＮＭを受ける。 - 特許庁 - An InGaAlAs layer 201 is introduced by about 30 nm between an upper side guide layer 104 of undoped InGaAsP and a p-type InP clad layer 105.
アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側ガイド層１０４とｐ型ＩｎＰクラッド層１０５との間に、ＩｎＧａＡｌＡｓ層２０１を３０ｎｍ程度導入する。 - 特許庁 - Furthermore, Zn is thermally diffused selectively into the light receiving region until the n-type InP avalanche multiplication layer 6 is reached, thus forming a p-type conductive region 10.
さらに、前記受光領域に、Ｚｎを選択的にｎ型ＩｎＰアバランシェ増倍層６に至るまで熱拡散し、ｐ型導電領域１０を形成する。 - 特許庁 - The plurality of barrier layers 2 include a second conductivity-type barrier layer 2a into which second conductivity-type dopants contained in the n-InP clad layer 23 are introduced.
複数のバリア層２は、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３に含まれる第２導電型のドーパントが導入された第２導電型バリア層２ａを含んでいる。 - 特許庁 - The structure is realized by forming the substrate side of a channel layer with an InP layer, an insertion layer of an InAlP layer, and a buffer layer of InAlAs layer, for example.
この構造は、例えば、チャネル層の基板側をＩｎＰ層、挿入層をＩｎＡｌＰ層、バッファ層をＩｎＡｌＡｓ層とすることにより実現する。 - 特許庁 - To provide an InP single crystal which is reduced in twin defects in an area with low carrier concentration while reducing dislocation density therein.
キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したＩｎＰ単結晶およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing simply and industrially-advantageously indium organic carboxylate useful as an indium source in the production of InP fine particles or the like.
ＩｎＰ微粒子などの製造におけるＩｎ源として有用な有機カルボン酸インジウムを、簡易にかつ工業的に有利に製造する方法を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor optical element 50b is provided with group III-V compound semiconductor layer 26a, along the edge of the backside of an InP support base 10a.
半導体光素子５０ｂでは、ＩｎＰ支持基体１０ａの裏面のエッジに沿ってIII−Ｖ族化合物半導体層２６ａが設けられている。 - 特許庁 - To allow liquid-phase epitaxial growth by a temperature- difference method or an annealing method on a substrate S of a III-V compound semiconductor such as GaP or InP.
ＧａＰあるいはＩｎＰなどのIII-Ｖ族系化合物半導体からなる基板Ｓ上に温度差法あるいは徐冷法により液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁 - A mesa structure 31 comprising a second conductive cladding layer 37 as InP, an etched active region 35 and a first conductive cladding layer 33 are formed.
ＩｎＰである第２導電型クラッド層３７、エッチングされた活性領域３５、および第１導電型クラッド層３３を含むメサ構造３１を形成する。 - 特許庁 - To realize low chirping (including zero chirping) in a capacity loaded type semiconductor Mach-Zehnder optical modulator which is formed by an InP related material.
ＩｎＰ系材料からなる容量装荷型の半導体マッハツェンダ型光変調器において、低チャーピング（ゼロチャーピングを含む）を実現できるようにする。 - 特許庁
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