ドーパント不純物の英語

不純物は、ｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントを含まず、炭素、窒素および酸素のうちいずれか１つ、２つまたはすべてである。例文帳に追加

An impurity does not include a p-type dopant or an n-type dopant, but includes one or two or all of carbon, nitrogen and oxygen. - 特許庁

熱処理によりドーパント不純物を活性化する際に、バーズビークの発生を抑制しつつ、ドーパント不純物の外方拡散を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which suppresses a bird's beak and also suppresses an outward spread of dopant impurities when the dopant impurities are activated by a heat treatment. - 特許庁

不純物領域形成のためのｎ型ドーパントとしても、窒素以外のＶｂ族、またはＶＩ族元素を用いる。例文帳に追加

A group Vb element or a group VI element other than nitrogen is also used as an n-type dopant for forming impurity regions. - 特許庁

同時に、基板裏面に注入されたドーパントイオンが活性化され、不純物ドープ層１５が形成される。例文帳に追加

At the same time, the dopant ions injected to the back face of the substrate are activated, and an impurity dope layer 15 is formed. - 特許庁

ドーパント不純物は、活性化剤として存在する１つ又は複数の化学種（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｍｎ、Ｒｕ及び／又はそれらの混合物等）であり得る。例文帳に追加

Dopant impurities may be one or more species such as Eu, Ce, Mn, Ru, and/or mixtures thereof present as activators. - 特許庁

その後、熱処理を行ってドーパント液内の不純物を基板表面を通じてＰ型基板２１内に拡散させる。例文帳に追加

Then, the impurity in the dopant liquid is made to diffuse in the p-type substrate 21, through the substrate surface by thermal processing. - 特許庁

半導体層中のドーパントを所望の不純物濃度に拡散制御するプロセス及びそれにより形成された半導体層を提供する。例文帳に追加

To provide a process for controlling the diffusion of dopant in a semiconductor layer at the levels of impurity concentration required, and also to provide a semiconductor layer formed thereby. - 特許庁

ドーパント不純物がゲート絶縁物を通り抜けて拡散するのを防止した高度ＦＥＴデバイスの構造を開示すること。例文帳に追加

To provide an advanced FET device preventing dopant impurities from passing through a gate insulator and being diffused. - 特許庁