ドーパント分布の英語

ドーパントを拡散し屈折率分布を有するプラスチック光ファイバを溶融押出法で製造する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a plastic optical fiber which diffuses dopant thereinto and has a refractive index distribution according to a fused extrusion method. - 特許庁

第１エピタキシャル層１１に含まれるドーパントの基板本体１３表面に平行な面における濃度分布は、第２エピタキシャル層１２に含まれるドーパントの基板本体１３表面に平行な面における濃度分布に合うように構成される。例文帳に追加

A concentration distribution of a dopant included in the first epitaxial layer 11 in a surface parallel with the surface of the substrate main body 13 is configured to match with a concentration distribution of the dopant included in the second epitaxial layer 12 in a surface parallel with the surface of the substrate main body 13. - 特許庁

石英ガラスを主成分とし、ドーパントが添加されることによって屈折率が外周から内部に向かって次第に大きくなるような屈折率分布が形成されている屈折率分布型レンズの製造方法において、屈折率分布型レンズのプリフォームを熱処理することにより、該プリフォーム中のドーパントを熱拡散させる。例文帳に追加

The method produces a gradient index lens which is based on quartz glass and has a gradient index that the refractive index gradually increases toward the direction from the periphery to the inside by the addition of a dopant, wherein a preform of a gradient index lens is heat-treated to thermally diffuse the dopant into the preform. - 特許庁

ｎ型ドーパントのＳｉ_2Ｈ_6とＨ_2Ｓｅは、成長温度に対してドーピング効率が互いに異なるため、ウェハ面内の温度分布に対して相反するドーピング分布を示す。例文帳に追加

Si2H6 and H2Se as N-type dopant are different from each other in doping efficiency at growth temperatures, so that Si2H6 and H2Se indicate the opposed doping distributions to a temperature distribution through the surface of the wafer 1. - 特許庁

ソース／ドレイン領域９，５９の形成のためのイオン注入時にシリコン層３，５３中へもドーパントが注入されて、窒素分布層３Ｎ，５３Ｎよりも深い領域にホウ素分布層３Ｂ又はリン分布層５３Ｐが形成される。例文帳に追加

At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N. - 特許庁

イオンビーム中の水素イオン（Ｈ_Ｘ^＋）を低減し、均一な電流分布を持つドーパント比率の高いイオンビームを生成できるイオン源装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion source device capable of generating an ion beam of high dopant ratio having even current distribution by reducing hydrogen ion (H_x^+) in the ion beam. - 特許庁

したがって、本発明の抵抗はポリシリコン膜内の微粒子グレインによりドーパントの濃度勾配が小さくなりながら均一な分布を持つようになる。例文帳に追加

Thus, the fine grain in the polysilicon film causes the resistor of the present invention to have a reduced dopant concentration gradient, which results in a uniform resistance distribution. - 特許庁

貯蔵燐光体又はパネルに有利に適用される、均質に分布されたドーパント又はアクチベータ要素を含む構造化された粒子を有する貯蔵燐光体の提供。例文帳に追加

To provide a storage phosphor for advantageously applied for the storage phosphor screen or panel which has structured particles containing a dopant or an activator element homogeneously distributed. - 特許庁